Антенна со щелевым возбудителем

(21) 48 ится к антеннам, чение направлен- бокового излучеением отражателя нного угла с расй не менее двух стин не менее чедящей перегородои плоскости с омки. 3 ил,(46) 30 (71) На диотех (72) В. (56) Ав В 139 (54) АН ТЕЛЕМ УАИх резонанс- ориентироруктивных их решетку еспечивает ды поля в ее на краях, енность аного излучема кромки перегоэффект оптической вания в Е-плоскости радиоволн в паралвыравнивание фаз в антенны, что привоавленности антенны ового излучения. Наф ысощ хемати учей и лоскостГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЪСТВ 9830/0907.9007,93, Бюл. М 28учно-исследовательский институт ранических измерений. Сомов и Ю.М. Панкинорское свидетельство СССР291, кл. Н 01 О 13/02, 1978,ТЕННА СО ЩЕЛЕВЫМ ВОЗБ Изобретение относится к области радиотехники, а именно к антенным устройствам дециметровых и сантиметровых волн с линейной поляризацией электромагнитного полкЦель изобретения - увеличение направленности и снижение уровня бокового излучения.Отличительные от прототипа признаки определяют форму, соотношение размеров, взаимное расположение конструктивных элементов заявляемой антенны и направлены на достижение поставленной цели.Так при заданной высоте проводящего отражателя не меньше 2 А проявляется эффект неоднородного диэлектрического слоя в области между пластинами проводящего отражателя, и, следовательнр, обеспечивается направленность в Е-плоскости.При ширине проводящих пластин не меньше 4 Я предотвращается излучение энергии через открытые торцевые области устройства и тем самым снижается уровень бокового излучения.(57) Изобретение относ Цель изобретения - увели ности и.снижение уровня ния - достигается выполн в виде усеченного двугра твором 100-600 и высот длин волн с шириной пла тырех длин волн с прова кой в бисекториальн определенной формой кр Наличие в перегородке тре ных щелей, заданным образом ванных относительна конст элементов антенны и образующ с комплексным множителем, об требуемое увеличение амплиту центре раскрыва и уменьшение тем самым увеличивая нэправл тенны и снижая уровень боков ния.Предлагаемая форродки воспроизводитлинзы путем преобразорасходящегося пучкалельный, обеспечиваяЕ-плоскости раскрывадит к увеличению напри снижению уровня бок иг.1 представлен общий вид антенлевым возбудителем, на фиг.2 - еское изображение траекторий мплитудных распределений в Е- и, на фиг.З - схематическое изображение амплитудного распределения в Н-плоскости.Антенна со щелевым возбудителем содержит отражатель с пластинами 1, проводящую перегородку 2, активную щель 3, питающую линию 4, две пассивные щели 5, причем высота проводящего отражателя О 2 Х ширина пластин 1 4 Л, минимальное расстояние кромки перегородки 2 от плоскости апертуры ОЬ Л/2, а расстояние от центра щели 3 до основания а Ьщ - 0,7 + ,2 Л расстояние от плоскости щели 3 до пластины отражателя 1 на высоте ее центра Ь -0,5 +0,7 Л, расстояние между щелями д Л, раствор угла отражателя 1 ,10 50 оЗаявляемая антенна работает следующим образом.Активная щель 3 возбуждает в пространстве между пластинами 1 по обе стороны от перегородки 2 электромагнитные волны с вектором электрического поля Е, параллельным пластинам 1. Расстояние между пластинами 1 в области щели 3 допускает распространение низшей волны Н-типа, фазовая скорость которой зависит от расстояния между пластинами 1; которое изменяется вдоль оси Е (фиг.2). Область между пластинами 1 обладает свойством неоднородного диэлектрического слоя, Траектории лучей в таком слое искривляются как показано на фиг.2 (сплошные линии), В случае изотропного излучения это приводит к концентрации энергии с максимумом в сечении х - О, Однако поперечная щель не излучает энергии в этом направлении, поэтому распределение амплитуды поля в Е- плоскости(Е" сопм) имеет вид, показанный штриховыми линиямина фиг,2. Наличие пары пассивных щелей 5, возбуждаемых эа счет электромагнитной связи и образующих вместе с активной щелью.5 фазированную решетку с комплексным множителем, максимум которого расположен по оси 2, обес. печивает требуемое увеличение амплитуды поля в центре раскрыва и дополнительное уменьшение ее по краям.Амплитудное распределение в Н-плоскости раскрыва в областях между перегородкой и пластинами имеет вид 1 (фиг.3).Дпя устранения "провала" в середине раскрыва предусмотрена область без перегородки высотой не менее Л/2 (минимальное расстояние кромки перегородки от плоскости апертуры), где возбуждается волна Н-типа с распределением амплитуды вида 2.Щелевой возбудитель позволяет вдвоеувеличить размер апертуры в Н-плоскости "0 за счет одновременного и симметричноговозбуждения двух объемов по обе стороныот перегородки, кроме того он обеспечивает согласование с фидерной линией при меньших расстояниях от боковых пластин отра 15 жателя по сравнению с вибраторнымвозбудителем,Таким образом, заявляемая антеннаобеспечивает формирование спадающего ккраям в обеих плоскостях амплитудного20 распределения, чем достигается увеличение направленности антенны и снижение.уровня бокового излучения.Формула изобретенияАнтенна со щелевым возбудителем, со-25 держащая отражатель, питающую линию ивозбудитель,отлича ющая с я тем,что,с целью увеличения направленности и снижения уровня бокового излучения,отражатель выполнен в форме усеченного30 двугранного угла с раствором 10-60 и высотой не меньше 2 Ли шириной пластин неменьше 4 Л, в бисекториальной плоскости отражателя по всей его длине установлена проводящая перегородка,35 примыкающую к основанию отражателяи имеющая с ним электрический контакт,кромка которой со стороны раскрыва имеетформу симметричной гладкой кривой,в середине высота перегородки минималь 40 на, причем минимальное расстояние этойкромки от плоскости апертуры не менееЛ/2, а в перегородке симметрично выполнены три резонансных щели, к средней иэкоторых подключена питающая линия, при45 этом расстояние от плоскости щели на высоте ее центра до пластины отражателя(0,5-0,7) Л, а расстояние от центра щели дооснования отражателя (0,7-1,2) Л, где Л -длина волны, 1830572, Милюкова венно-издательский комбинат "Патент", г, Уж ои Гагарина, 101 акаэ 2525 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5