Способ выращивания рассады огурца в защищенном грунте

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИ 634188 А ЕСПУБ(9 01 6 31/00 ЕИ РЕТЕНИ ен да- лох ДЫ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(56) Юдина А.В., Ганичкина О.А., Кашина Л.А, Новая прогрессивная техгия возделывания огурцов в теплицУральские нивы, 1974, М 8, с.26 - 32. СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ Р РЦА В ЗАЩИЩЕННОМ ГРУНТ Изобретение относится к сельскому хозяйству, в частности к овощеводству,Целью изобретения является ускорение развития растений и повышение урожая.Г 1 р и м е р . Рассаду на первом - третьем этапах выращивают на четырех режимах, различающихся по температуре и влажности грунта от минимальных до максимальных значений.Влияние температурно-влажностных режимов в грунте на прохождение первого - третьего этапов органогенеэа (ювенильный период) и продуктивность рассады огурца показано в табл.1,Иэ приведенных данных следует, что повышение температуры грунта от 23 до 33 С при прорастании семени и ускорение появления всходов до двух суток не способствуют увеличению урожайности (варианты 1 и 2). Наоборот, некоторое замедление появления всходов в течение трех суток благоприятст(57) Изобретение относится к сельскому хозяйству, в частности к овощеводству. Целью изобретения является ускорение развития растений и повышение урожая. Это достигается тем, что рассаду на первом - третьем этапах выращивают при температуре грунта 23 -25 Си влажности грунта 85 - 84, на четвертом - пятом этапах температуру грунта повышают с 25 до 29 - 30 С, а влажность снижают до 83 - 797 ь, с шестого по седьмой этап температуру грунта понижают до 24 - 23 С и влажность до 77 - 637 ь, при этом изменение режимов осуществляют постепенно день за днем, Изобретение позволяет снизить расход воды на 27- 68, тепла на 137 ь 4 табл,вует развитию более мощной корневой системы, утолщению подсемядольного колена, влияет на развитие продуктивных растений, обеспечивающих более высокую урожайность, Достаточное количество влаги 84 - 85( НВ влияет на накопление растениями вегетативной массы - 6,5 г на растение против 1,5 - 2,8 г на растение, Увеличение влажности грунта до 90 - 957 ь (вариант 1) излишне иэ-за недостатка кислорода и отрицательно влияет на развитие корней и накопление вегетативной массы при всех изучаемых температурах, Понижение температуры грунта до 20 - 22 С после всходов задерживает листообразование на трое суток, накопление биомассы и будущую продуктивность растений. Таким образом, поддержанием в грунте при выращивании рассады огурца на первом - третьем этапах органогенеэа режима: тем 163418851015 20 25 30 35 40 45 50 пература грунта 25 - 23 - 250 С, влажность 85- 84 обеспечивается наиболее мощное развитие вегетативной массы растениИ с повышенной их продуктивно тью,Далее применяется различный температурно-влажностный режим в период прохождения растениями огурца четвертого - пятого этапов органогенеза, т.е. в период закладки генеративных органов, образования первого - второго листа.Результаты отражены в табл.2, Данные табл.2 свидетельствуют о положительной реакции теплолюбивого растения огурца на ускорение органообраэования и повышение продуктивности растений под влиянием повышения температуры с 26 до 30 С в период закладки генеративных органов. Температура 33 С уже излишняя, а 20 - 22 С - недостаточная для формирования растений с максимальной продуктивностью. В варианте 3 условия температуры и влажности отличаются от других вариантов не только абсолютными показателями, но и динамичностью, они меняются каждые сутки с постепенным повышением температуры для ускорения образования и роста генеративных органов и снижением влажности грунта. В варианте 2 (известный способ) явно недостаточно влаги, на ранней фазе происходит угнетение растений, что замедляет процессы накопления биомассы. а в варианте 1 слишком высокая температура усиливает дыхание корней, а высокое содержание влаги вытесняет кислород и процессы образования и роста генерэтивных органов тормозятся, что отражается на продуктивности растений. Наиболее оптимальным режимом на четвертом - пятом этапах органогенеза е период закладки генеративных органов служит режим 3, обеспечивающий ускоренное развитие растений и наивысшую продуктивность их в последствии.В опыте соблюдается различный режим температуры и влажности в грунте е период прохождения растениями огурца шестого - седьмого этапа органогенеза, обрэзоеания цветков и перехода их на седьмой этап органогенеза (выход венчика цветка на уровень чашечки).Результаты приведены в табл.3, Наиболее благоприятные условия для роста и развития генеративных органов складываются в варианте 3, где снижается температура грунта постеденно с 30 до 23 С и влажность с 78 до 63. Развитие вегетативной массы на данном этапе органогенеэа у растений варианта 3 ниже, чем в режиме 1, где были наибольшие влажность и температура грунта, но переход на седьмой этап развития проходит в варианте 3 на 6 сут раньше, что обеспечивает получение наивысшей урожайности при этом режиме. Растения варианта 4 отстают не только по величине биомассы, но и по развитию, т.е. по переходу на седьмой этап органогенеза, на 8 сут в сравнении с лучшим вариантом 3. Различия по урожайности между вариантами существенны, что доказывается математической обработкой полученных данных,Таким образом, соблюдение в грунте постепенного снижения температуры с 30 до 23 С и влажности с 78 до 63 НВ е период прохождения растением шестого и седьмого этапов органогенеза обеспечи-, вает получение наивысшей урожайности,В табл.4 помещены результаты опыта, где способ выращивания рассады огурца в защищенном грунте включает регулирование температуры и влажности грунта по этапам органогенеэа так, чтобы на первом - третьем этапах органогенеэа температура поддерживалась на уровне 25 - 23 - 25 С, а влажность 85 - 84, на четвертом - пятом этапах в период закладки генеративных органов температура грунта повышалась с 26 до 29 - 30 С, а влажность грунта снижалась до 83 - 79, с шестого по седьмой этап температура грунта понижалась до 24 - 23 С и влажность до 77 - 63, при этом изменение режцмое осуществляют постепенно день за днем (вариант 2).В варианте 1 (известный способ) температура грунта первые 15 сут 27 - 28 С, влажность грунта 72 - 730, вторые 15 сут температура грунта 22 - 25 С, влажность 68 - 700 ь, В варианте 3 температура до всходов 25 - 30 С, после всходов 20 - 23"С, влажность грунта 70 - 80 (табл.4),В табл,4 представлены данные биометрических наблюдений, показывающие, что листообразоеание у растений, произрастающих по известному и предлагаемому способам, вначале примерно однообразно, но с некоторым опережением в период образования органов у растений при предлагаемом способе (вариант 2). Отставание е развитии на протяжении всего периода выращивания отмечается у растений е варианте 3,Предлагаемый способ выращивания позволяет выращивать рассаду с меньшим расходом воды на 27 - 68 ф 6 и тепла на 13 и обеспечивает высокую ее продуктивность, что снижает себестоимость зеленцов и увеличивает дополнительную прибыль на 8 -1634188 Таблица 1 Таблица 2 Табл 23 по сравнению с выращиванием рассады известными способами,Формула изобретения Способ выращивания рассады огурца в защищенном грунте, включающий регулирование температуры и влажности грунта, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью ускорения развития растений и повышения урожая культуры. регулирование температуры и влажности грунта осуществляют дифференцированно по этапам органогенеза так, что на первом - третьем этапах температуру поддерживают на уровне 23 - 25 С, а влажность 85 - 84, на четвертом - пятом этапах 5 температуру грунта повышают с 25 С до 29 -30 С, а влажность снижают до 83 - 797 ь, с шестого по седьмой этап температуру грунта понижают до 24 - 23 С и влажность до 77 - 63, причем изменение режимов осуществляют постепенно,%акаэ 766/91 Тираж 382 ПодписноеВЙИИПИ Госудврстввйного комитета м изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж-З 5, Раущская наб., 4/5роизводственно-издательский комбинат"Патент", г, Ужгород, ул, Гагарина, 161