Устройство для контроля процесса поверхностного культивирования микроорганизмов

2 6 С 01 К ИЕ ИЗОБРЕТЕ ПИ ИДЕТЕЛЬСТВ ВТОР СКОМУ(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯСА ПОВЕРХНОСТНОГОМИКРООРГАНИЗМОВ КОНТРОЛЯ ПРОЦЕЛЬТИВИРОВАНКЯ1 Ф 10учно-исследовабиологического обретение относится к устройдля контроля культивирования ганизмов и направлено на поточности контроля поверхностльтивирования микроорганизмов. тво размещается в центре И вам В. Роганов микроо вышени етельство СССР К 17/00, 1977. го к трой СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГННТ СССР(71) Всесоюзный нтельский институтприборостроения1465452 10 25 30 35 теплообменного элемента культиватора для поверхностного культивирования микроорганизмов, Оно содержит рабочий тепловой мост, часть которого находится в контакте с растущей культурой микроорганизмов, а другая часть - в контакте с рабочими датчиками теплового потока, и контрольный тепловой мост, часть которого находится в воздушной камере, а другая часть - в контакте с контрольнымидатчиками теплового потока, Противоположные стороны всех датчиков тепловых потоков, омываются термостатиИзобретение относится к устройствам для контроля процесса культивирова.нил микроорганизмов и может быть использовано в пищевой и микробиологической промышленности,Целью изобретения является повы-.шение гочности контроля поверхностного культивирования микроорганизмов за счет размещения чувствительного элемента в месте максимальнойинтенсивности биосинтеза.На Фиг,1 схематично изображенопредлагаемое устройство, на Фиг.2 -расположение устройства в культиваторе.Устройство содержит рабочие 1,2,и контрольные 3,4 кюветы с патрубками 5 длл ввода и вывода термостатируемой жидкости. Рабочие датчикиб и 7 потока теплоты размещены в боковых стенках рабочих кювет 1 и 2 инаходятся в контакте с тепловым мостом 8. Контрольные датчики 9 и 10потока. теплоты размещены в боковыхстенках контрольных кювет 3 и 4 инаходятся в контакте со вторым тепловым мостом 11. Все элементы устройства помещены в корпус 12, имеющий в одном торце воздушную камеру13; Измерительный блок: кюветы 1 и2, датчики б и 7 и первый тепловоймост 8, и сравнительный блок: кюветы 3 и 4, датчики 9 и 10 потока теплоты и второй тепловой мост 11, разделены стенкой из нетенлопроводногоматериала 14. Стенки корпуса 12 выполнены также изнетеплопроводного рующей жидкостью. Тепловой поток отрастущей культуры микроорганизмов потепловому мосту переносится к рабочим датчикам и отводится термостатирующей жидкостью. Из суммарного сигнала рабочих датчиков вычитаетсясуммарный сигнал контрольных датчиков. Полученная разность сигналов,пропорциональная теплопродукции растущей культуры, Фиксируется регистратором. Повышение точности контролядостигается за счет размещения устройства в месте максимальной интенсивности биосинтеза, 2 ил. материала, Не менее 2/3 длины первого теплового моста 8 находятся втепловом контакте с двумя рабочимидатчиками потока теплоты б и 7, аостальная часть выступает над торцовой частью корпуса 12, Не менее 2/3длины второго теплового моста 11 находится в тепловом контакте с двумяконтрольными датчиками потока теплоты, а остальная часть второго теплового моста находится в воздушнойкамере 13, С помощью штанг 15 устройство помещают в теплообменный элемент 16 культиватора 17, где находится твердая питательная среда 18. Выходы рабочих датчиков б и 7 тепловых потоков и контрольных датчиков 9 и 10 тепловых потоков подклю 20 чены к регистратору 19 по дифферен циальной схеме. Устройство работает следующим обо разом.Загружается твердая питательная среда 18 в теплообменные элементы 16 культиватора 17. Включается воздушная аэрация теплообйенных элементов и одновременно осуществляется посев культуры на питательную среду. Устройство для контроля поверхностного культивирования микроорганизмов размещается так, чтобы выступающая часть теплового моста 8 находилась в центре теплообменного элемента 16 и контактировала с твердой питательной средой и растущей культурой микроорганизмов. Тепловой поток от растущейкультуры по тепловому мосту 8 переносится к рабочим датчикам 6 и 7 и отводится термостатирующей жидкостью (водой) в кюветах 1 и 2. Иэсуммарного сигнала рабочих датчиков 6 и 7 вычитается суммарный сигнал контрольных датчиков 9 и 1 О, контактирующих с тепловым мостом 11. Полученная разность сигналов, пропорциональная теплопродукции растущей культуры в теплообменнике, фиксируется регистратором 19.Экспериментально дрказано, что в центре слоя питательной среды во время роста культуры температура достигает максимального значения 46 С для культуры Азр. Ях 8 ег и превышает температуру поверхности на 6 С, т.е. при толщине слоя 6 см твердой фазы . среды градиент температур достигает 1 С/см слоя питательной среды.Такой достаточно высокий градиент температуры может быть проконтролирован с помощью теплового моста датчика теплового потока.Установка теплового моста 8 в указанном месте позволяет получить максимальную разницу тепловых потоков . по тепловым мостам 8 и 11, что повышает точность контроля роста микро- .1 организмов при их поверхностномкультивировании на твердых питательных средах. 5 Формула и з обр ет ения Устройство для контроля процессаповерхностного культивирования микроорганизмов, содержащее рабочий иконтрольный датчики потока теплотыи тепловой мост, о т л и ч а ю щ е. е с я тем, что, с целью повышенияточности контроля, в него дополни тельно введены второй рабочий и второй контрольный датчики потока теп"лоты, второй тепловой мост, две рабочие и две контрольные кюветы ипримыкающая к последним воздушнаякамера, причем четыре датчика тепловых потоков размещены в боковыхстенках соответственно четырех кювет,не менее 2/3 длины первого теплового%моста находится в тепловом контакте 25 с двумя рабочими датчиками потокатеплоты,не менее 2/3 длины второготеплового моста находится в тепловом контакте с двумя контрольнымидатчиками потока теплоты, а остальЗ 0 ная часть второго теплового мостанаходится в воздушной камере.1465452 ставитель Н. Алкеевхред М.Ходанич Корректор М. Демч Редактор Т, Лаэоренко гарина,10 оиэводственно-иэдательский комбинат "Патент", г. Ужгород Закаэ 910/28 Тираж 500 ВНИИПИ Государственного комитета по и 113035, Москва, Ж, Подписноетениям и открытиям при ГКНТ С ская наб., д. 4/5