Транзисторный ключ

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИА ЛИСТ ИЧЕСНИРЕСПУБЛИН 511 3 К 760 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ АР дг;впе со ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(56) Авторское свидетельство СССРВ 1039033, кл. Н 03 К 17/60, 1983.Патент США В 4375074,кл. 361/91, Н 02 Н 9/04, 1983.(57) Изобретение относится к областэлектротехники и направлено на опти миэацию режима работы транзисторно" о ключа в схеме выходного каскада ърочной развертки. С целью повышеия быстродействия и стабильностириода следования выходных импульв используется цепь отрицательной братной связи с коллектора ключево" о,транзистора в цепь управления ткрывающим током. Причем цепь обрат ой связи выполнена в виде пикового етектора напряжения открытого клюа. 1 ил.Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для использования в генераторах строчной развертки телевизионных приемников.Цель,из об ре тения - повышение быстро 5действия и стабильности периода следования выходных импульсов.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема ключа.10Транзисторный ключ содержит сило, вой транзистор 1 включенный по схеУме с общим эмиттером к источнику 2питания через индуктивную нагрузку 3,управляемый генератор 4 запирающеготока, выполненный на транзисторе 5 ирезисторе 6 и включенный между ба"зой силового транзистора 1 и шиной"Минус" источника 7 напряжения смещения, генератор 8 разнополярных им пульсов, который через управляющийтранзистор 9 включающего тока соединен с базой силового транзистора1, диодный пиковый детектор 10 содним выходом 11 и тремя входами 12- 14.Диодный пиковый детектор 10(блокуправления насыщением силового транзистора) содержит элемент памяти, состоящий из параллельно соединенных30конденсатора 15 и резистора 16 утеч"ки, диода 17 пикового детектора, коммутирующего диода 18, коммутирующего транзистора 19, первого 20 и второго 21 резисторов. При этом выходэлемента памяти на конденсаторе 15 и 35резисторе 16 и катод диода 17 соединены с базой управляющего транзистора9, анод диода 17 через коммутирующийтранзистор 19 и первый резистор 20соединен с базой силового транзистора 1, через коммутирующий диод 18 -с коллектором силового транзистора1 и через второй резистор 21 - сшиной питания "Плюс",Для коррекции амплитуды и формы. выходных импульсов транзисторныйключ может быть шунтирован блоком22 коррекции, который содержит обратный диод 23, конденсатор 24 и последовательный 1.С-контур 25, 26. 50Устройство работает следующимобразом,При формировании на выходе генератора 8 прямоугольного импульса напряжения отрицательной полярности 55включается управляемый генератор 4,который запирает по базе силовойтранзистор 1 отрицательным напряжением смещения. Это напряжение одновременно поступает на первый вход 12 диодного пикового детектора 10 и открывает коммутирующий транзистор 19. При этом происходит коммутация анода диода 17 к общей шине. В коллекторной цепи силового транзистора 1 происходит формирование импульса, который по амплитуде в несколько раз пре вышает напряжение питания, Высоковольтный импульс образуется в результате разрядки индуктивной нагрузки на элементы блока 22 коррекции. При Формировании высоковольтного импульса коммутирующий диод 18 запирается.После смены отрицательной полярности напряжения на выходе генерато" ра 8 на положительную происходит отпирание силового транзистора 1 за счет включения управляющего транзистора 9 и выключения транзистора 5. Положительное напряжение базы силового транзистора 1 подается на первый вход 12 диодного пикового детектора 10. Это напряжение вызывает запирание коммутирующего транзистора 19. В связи с тем, что напряжение на коллекторе силового транзистора 1 приблизительно равно напряжению насыщения, на аноде коммутирующего диода 17 напряжение увеличивается на величину прямого падения напряжения на коммутирующем диоде 18, который открыт током через второй резистор 21. На этапе включенного состояния силового транзистора 1 происходит Формирование линейно нарастающего тока в индуктивной нагрузке 3, При увеличении амплитуды этого тока происходит увеличение напряжения на переходе коллектор - эмиттер силового транзистора 1 в связи с тем, что величина тока базы стабилизирована с помощью напряжения, поступающего с выхода 11 диодного пикового детектора 10 на вход управляющего транзистора 9, Конденсатор 15 в течение времени формирования импульса тока в индуктивной нагрузке 3 почти не изменяет свой заряд.На этапе окончания действия отпирающего импульса напряжения положительной полярности на выходе генератора 8 напряжение на коллекторе силового транзистора 1 достигает такой же величины, как и напряжение на конденсаторе 15. На этом этапе открывается диод 17, и конденсатор 15 до15 из обретения Формула Транзисторный ключ, содержащий силовой транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, у которого между базой и эмиттером последовательно включены управляемый генератор запирающего тока и источник напряжения смещения, между выходом 35 3 14 О 51 заряжается до установившегося значения напряжения, которое определяется значением тока базы силового транзистора 1 в следующий период следования импульса тока,После смены полярности импульса напряжения на выходе генератора 8 включается генератор 4 запирающего тока, который вызывает запирание силового транзистора 1. Отрицательное напряжение, поступающее на первый вход 12 диодного пикового детектора, включает коммутирующий транзистор 19, который коммутирует на общую шину анод диода 17.Далее процессы в схеме повторяются.Введение в устройство следящей системы за напряжением на силовом транзисторе 1 в виде диодного пикового детектора 10 позволяет повысить быстродействие транзисторного ключа и стабилизировать период следования выходных импульсов за счет стабилиза ции рабочей точки силового транзистора на конечном этапе увеличения тока в индуктивной, нагрузке. 134генератора разнополярных импульсов и базой силового транзистора включен управляющий транзистор включающего тока, у которого база подключена к выходу блока управления насыщением силового транзистора, база управляемого генератора запирающего тока соединена с выходом генератора разно- полярных импульсов, при этом первый вход блока управления насыщением силового транзистора соединен с его коллектором, второй вход - с базой, а третий вход - с шиной питания, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения быстродействия и стабильности периода следования импульсов, блок управления насыщением,силового транзистора выполнен в виде диодного пикового детектора, у которого элемент памяти представляет собой параллельную КС-цепь, подключенную выходом к базе управляющего транзистора включающего тока и к катоду диода пикового детектора, анод диода диодного пикового детектора соединен с тремя его входами, при этом первый вход соединен через коммутирующий диод с коллектором силового транзистора, второй вход соединен через коммутирующий транзистор и первый резистор, который включен с ним последовательно в цепи эмиттера, с базой силового транзистора, третий вход соединен через второй резистор с шиной питания, база коммутирующего транзистора соединена с общей шиной.1405113 Составитель А.Бомкоунько Техред А.Кравчук Корр Редакто Муск мите открыая наб Пр одственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектна акаэ 3110/56 Ти ВНИИПИ Го по дел 113035, Моск