Устройство для получения газовой струи
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
,.к сйод ударные явлес, 13-28.ьство СССР 33/22,22, 07.8 ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИ ОПИСАНИЕ ИЗО РСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУБНИЧ ГАЗОВОЙ СТРУИ(57) Изобретение относится к техникеполучения высокоскоростных газовыхпотоков. Цель изобретения - повышение эффективности работы устройстваза счет увеличения объема ударно-сжатой струи газа. Устройство содержит сплошную плиту 1, над которой установ.лена металлическая пластина 2. Междуплитой 1 и пластиной 2 установленывставки 3, изготовленные из пенопласта. На внешней стороне пластины 2 помещен основной заряд 4, по бокам которого установлены дополнительные заряды 5 и 6 взрывчатого вещества,скорость детонации которого вышескорости детонации взрывчатого вещества основного заряда 4, По формепластина 2 имеет вид выпуклой трапеции. На концах дополнительных зарядов 5 и 6 у нижнего основания пластины 2 установлены детонаторы 7 и 8.Для получения газовой струи оператор инициирует одновременно дополнительные заряды 5 и 6 детонаторами7 и 8, от которых детонирует основной заряд 4. Пластина 2 схлопываетсяс плитой 1. 2 з.п.ф-лы, 3 ип.Бьз 1 п Ч/2 Изобретение относится к технике получения высокоскоростных газовых потоков, в частности к устройствам, использующим энергию взрыва.Цепью изобретения является повьйпе" ние эффективности работы устройства за счет увеличения объема ударно-сжатой ; труи газаНа фиг, 1 2 и 3 изображено пред" лагаемое устройствоОно содержит сплошную плиту 1, над КОторой размещена метяллическая плас тина 2, Иежду пйитой и пластиной установлены Вставки 3, изготовленные иэ мягкого материала, например пенопласта, Яа внешней стороне пластины помещен основной заряд 4, выполненный в виде слоя взрывчатого вещества, вдоль боковых стОрон которОГО уста полцены дополнительные заряды 5 и 6 в вице слоев Взрывчатого вещества, скорость детонации которых больше скорости детонации взрывчатого Вещества ОснОвного. зарлДЯ А, Симметричнал относительно своеЙ продОлъиой плоскости пластина имеет Вид выпуклой фигуры, например осесимметричной трапеции, боковые Стороы которой вюилнены В Виде Выпуклых монОТОнных кривых.; схОдлщихся к Ве рхнему Основ я- нпю., причем ширина верхнего основания ее меньше ширины нижнего основания и не равна нулю. На концах дополнительных зарядов у нижнего основания пластины установлены детонаторы 7 и 8 соответственно. Вместо двух детонаторов Возможня устянОВка ОднОГО детонатора, необходимого длл одновременного инициирования дополнительныхзаРЯДОВоВ процессе работы устройства после ниициироВяния зарядов 5 и 6 посрдством детОняторОВ 7 и 3,. Возникшие детОняционнььз волны ряспростраия ются го зарядам 5 и 6больше скорости детонации основного заряда 4, Детонация основного зарядя ч происходит с,дВух сторон От до полнительных зарядов 5 и 6, При этом цетонационняя Волна ряспространяется по заряду А от нижнего основания алас тины 2 к ее верхнему Основанию и од.новременно к продольнОЙ плоскости стр,-петрин то приводит к формировян ню двух Сколь вящих сходдщихся под острьи угломк плоскости симметрии ОсноВНОГО заряда ч симметричных От носзтельно нее детоияциоиньХ ВОлн Ь 2260 2Поэтому сближение пластины 2 с плитой 1 начинаетсл от краев пластины 2, где расположены дополнительные заряды 5 и 6, и одновременцо распростра нлется по всей ее поверхности. Так Формируется клиновидная, с углом при вершине область, ограниченнал плитой 1 и пластиной 2, одна часть которой прижата к плите 1 посредством продуктов взрыва основного заряда 4, другая - ускоренно движется к плитепод их действием. При этом вершина клиновидной области смещаетсл по плоскости симметрии В направлеции сусуженил пластины 2, а угол у одновременно уменьшаетсл. Уменьшение угла Ц обеспечиваетсл за счет уменьшения ширины основного заряда 4 и криволинейности его боковых сторон. Скорость смещения вершины клиновидной области определлется величиной углапо фор- муле Где Я, - скорость детонационной волныВ заряде 4.С уменьшением угла ц скооостьВозрастает. В результате такого процесса происходит ударное сжатие и вытеснение газа из-под пластины 2 внаправлении движения фронта каждойДетонационной Волны 1 Потоки газа,Вызванные волнами 1. сходятся к плоскости симметрии пластины и формируютструю Ф о р м у л а изобретения 1. Устройство для получения газовой струи, состоящее из плиты и установленной на ней пластины с помещенным на ее Внешней стороне зарядом взрывчатого вещества, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью повыше нил эФФективности работы устройства, за счет увеличения объема ударно-сжатой газовой струи, пластина Выполнена в виде Выпуклой осесимметричной трапеции, по крали боковых сторон пластины установлены дополнительные протяженные заряды взрывчатого вещества, скорость детонации которых больше скорости детонации основного заряда, прн этом у большего основания пластины на торцах дополнительных зарядов размещены средства их одновременного инициирования.2, Устройство по п. 1, о т л и - ч а ю щ е е с я тем, что пластина установлена над плитой на вставках, расположенных на поверхности плиты,3. Устройство по пп. 1 н 2, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что пласти-ф на установлена под острым углом к по" верхности плиты.1 3622 ЬО СоСтавитель А, ГнускинРедактор О.Вркова Техред А. Кравчук Корректор А. ОбручарВОЮЮ В МФаюВеВие щ ав роизводственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная,Заказ 2440 ВНИИПИ Госуд по делам и 113035, Москв ФюезеивТиражрственного кобретений иа, 3-35, Раув Подписимитета СССРткрытийская наб., д. 4
СмотретьЗаявка
4031928, 07.01.1986
ИНСТИТУТ ТЕХНИЧЕСКОЙ МЕХАНИКИ АН УССР
АНИЩЕНКО А. Т, МАХИНЯ Л. Н, КОСТЕНКО В. С
МПК / Метки
МПК: G01N 33/22
Опубликовано: 23.05.1992
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-1362260-ustrojjstvo-dlya-polucheniya-gazovojj-strui.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для получения газовой струи</a>
Предыдущий патент: Воздушная линия электропередачи
Следующий патент: Чувствительный элемент для волоконно-оптического сенсора на ионы урана (уi)
Случайный патент: Сырьевая смесь для жаростойкого бетона