Устройство для вычисления глубины оттаивания под тепловыделяющим участком произвольной конфигурации

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 0 ив 4 С ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ К ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(56) Авторское свидетельство СССР В 408331, кл. С 06 С 7/48, 1973.Авторское свидетельство СССР 9 572663, кл. С 06 С 7/48, 1975.(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫЧИСЛЕНИЯ ГЛУБИНЫ ОТТАИВАНИЯ ПОД ТЕПЛОВЫДЕЛЯЮЩИМ УЧАСТКОМ ПРОИЗВОЛЬНОЙ КОНФИГУРАЦИИ (57) Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике и предназначено для определения продольной глубины оттаивания вечномерзлых оснований сооружений произвольной конфигурации. Устройство позволяет повысить точность моделирования граничных условий, соответствующих граничным температурным пОказателям тепловыделяющего участка, и ис лючить необходимость выполнения и неоднократного использования плана участка в различных масштабах за счет регулируемого плавного перемещения подвижных контактов (ПК), повысить точность и уменьшить трудоемкость измерений глубины оттаивания под тепловыделяющим участком.Для этого на каждом из и элементови планшета выполнены прорези, Подпрорезями установлены и реостатов(Р) с ПК, расположенными в прорезях,Для обеспечения плавного перемещения ПК последние соединены с соответствующими и реверсивными привода 1 чи, управляемыми и усилителями срегулируемыми коэффициентами усиления (КУ) . КУ задают повеличинамсопротивлений Р при совмещении ПКс краями один раэ выполненного Плана участка. Этим обеспечивается точное задание граничных условий. Привключении источника постоянного напряжения перемещение ПК происходитдо тех пор, пока суммарный ток Р,проходящий через обмотку магнитногокомпаратора, не станет равным токузадатчика тока. По полученным величинам сопротивлений Р определяютглубину оттаивания. 1 ил, 1290369шета или, что то же самое, расстояние от точки плана сооружения, под которой определяется, до края плана. В источнике 8 тока устанавливают ток, равный определяемому формулой (5). Коэффициент усиленияусилителя 10 связанноготором 4, подвижный контакт 5 которого расположен на самом коротком наочальном расстоянии К принимают за единицу. Коэффициенты усиления других усилителей устанавливают в соответствии с соотношением:ККк Коогде К - начальное расстояние откподвижного контакта к-горезистора до центра плана.Затем удаляют с планшета модель ,плана тепловьделяющего участка и включают напряжение источника 6Суммарный ток резисторов 4, протекающий через первую входную обмотку компаратора 7, сравнивается с током, установленным в источнике 8 тока. В результате в выходной обмотке компаратора 7 вырабатывается ток, равный разности сравниваемых токов, который усиливается усилителем 9.Выходной сигнал усилителя 9 через масштабные усилители 10 поступает на реверсивные приводы 11, которые придают возвратно-поступательные движения подвижным контактам 5 соответствующих резисторов 4. При этом скорость движения каждого подвижного контакта 5 пропорциональна коэффициенту усиления соответствующего масштабного усилителя 10 т.е. пропору4 циональна соответствующему начальному расстоянию, Следовательно, перемещение контактов резисторов моделирует изменение масштаба плана участка при сохранении его конфигурации. Перемещение подвижных контактов 5 резисто 4 ров 4 продолжается до тех пор, пока суммарный ток резисторов 4 не становится равным току источника 8 тока. В результате устанавливаются величины сопротивлении резисторов, удовч5 летворяющие формуле (4), а план тепловыделяющего участка, определяемый положением подвижных контактов 5 резисторов 4, получается в масштабе истинного значения предельнрй глубины оттаиванияПредельная глубина оттаиванияеделяется из (4) по формулеКор г - значение сопротивления 1 -ых к резисторов 4 после окончания перемещения его подвижноконтакта 5,К - расстояниплана теп стка, соо точки к о уча- половьделяющ етствующ жению подвижного контакта 5к-ых резисторов 4 до точкиплана, под которой определяется глубина оттаивания.к при измерении подвижные Так тью перечника 8 то-новки Формула изобретения Устройство для вычисления глубины оттаивания под тепловыделяющим участком произвольной конфигурации, содержащее источник постоянного напряжения, основание из диэлектрика, на котором установлена группа переменных резисторов, планшет, выполненный в виде плоского диска из диэлектрика, расположенного над переменными резисторами группы, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью повьппения точности, в него введены источник тока, магнитный компаратор, выполненный в виде сердечника, на котором расположены три катушки индуктивности, усилитель, группа масштабных усилителей и группа приводов, причем плоский диск из диэлектрика снабжен группой прямоугольных прорезей, расположенных в радиальных направлениях от центра плоского диска, подвижные контакты переменных резисторов группы расположены в соответствующих прямоугольных прорезях группы, крайние контакты переменных резисторов группы соединены и через первую катушку индуктивности подключены к первому выводу 5 55 контакты резисторов располагают точно по краям плана сооружения, то в результате обеспечивается точное задание граничных условий, соответствующих граничным температурным показателям тепловыделяющего участка, и, следовательно, точное определение глубины оттаивания.В результате точность устройства определяется только точнос 1 ченных резисторов 4 и исто Эка, а также точностью уста коэффициентов усиления усилителей.1290369 6ны к первому и второму фазным входам усилителя выход которого соединен с входами масштабных усилителейгруппы, выходы которых подключенык входам соответствующих реверсивных приводов группы, выходы которыхмеханически соединены с соответствующими подвижными контактами переменных резисторов группы. источника постоянного напряжения,второй вывод которого .соединен сподвижными контактами переменныхрезисторов группы, первый и второйвыводы источника тока соединенысоответственно с первым и вторымвыводами второй катушки индуктивности, первый и второй выводы третьей катушки индуктивности подключеоставитель В.Рыбехред М.Ходанич Редактор Э.Сли орректор ол писное ул.Проектная полиграфическое предприятие, г.ужг Производств аказ 7905/49 Тираж б 73 ВНИИПИ Государственного комитета. СС по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб.