Корпус для радиоэлектронной аппаратуры

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК И 9) (1 504 Н 05 К 7/20 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТК АВТОРСКОМУ С 8 ИДЕТЕЛЬСТВУ Я(72) Н.И.Каленкови 5 хническии инстирадио- повышеи ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИИ ч(56) Авторское свидетельство СССРУ 721936, кл. Н 05 К 7/20, 1980.Заявка сьранции У 2437142,кл. Н 05 К 5/04, 1980.(54) КОРПУС ДЛЯ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙАППАРАТУРЫ(57) Изобретение относится ктехнике. Цель изобретения -ние эффективности охлажден я привоздействии вибрации. Корпус соде жит основание 1 с теплорассеивателем 2 в виде пластины. Элементы крепления представляют собой дистанционные теплопроводные прокладки 3, винты 4 и упругие шайбы 5. В процессе охлаждения корпуса используется энергия вибрационного поля на обьекте установки аппаратуры. Для этого теплорассеиватель 2 и основание 1 выполнены из материалов с разными коэффициентами линейного расширения.Элементы крепления при этом выполняют- функцию элементов подстройки за счет выполнения резервных точек крепления. В описании приведена формула для сФ расчета толщины теплорассеивателя 2.1) рассеиватель в виде пластины.45Выбор собственной резонанснойчастоты пластины 2 осуществляетсяследующим образом.С одной стороны значение собственной резонансной частоты Г пластины, определяемое ее геометрическими размерами, способом закрепления и характеристиками материала,определяется выражением где а Е 0159 22 яИ(2) Иэобретекие относится к радиотехнике, в частности к конструированию корпусов для радиоэлектронной аппаратуры, работающей в условиях воздействия вибрационных нагрузок.Целью изобретения является повышение эффективности охлаждения при воздействии вибрациипутем обеспечения изменения частоты колебаний теплорассеивателя.при изменении температуры основания.Для обеспечения процесса охлаждения корпуса используется энергия вибрационного поля на объекте установки аппаратуры за счет выполнения теплорассеивателя и основания из материалов с разными коэффициентами линейного расширения, а элементы крепления одновременно выполняют функцию элементов подстройки за счет выполнения резервных точек крепления.На фиг.1 приведен один из возможных вариантов выполнения корпуса;на фиг.2 - то же, вид сверху; на фиг.З - динамика процесса охлаждения корпуса ( О - амплитудно-частотная характеристика теплорассеивателя; о - изменения температуры теплорассеивателя при изменении частоты вибрации; 3 - процесс охлаждения теплорассеивателя при воздействии вибрации).Корпус для радиоэлектронной аппаратуры содержит основание 1, на котором закреплен теплорассеиватель в виде пластины 2 Элементы крепления в виде дистанционных теплопроводных прокладок 3 с винтами 4 и упругими шайбами 5 установлены с двух противоположных сторон пластины 2. Толщина Ь пластины 2 определяется по формуле- длина пластины, м;- плотность материала пластины, кГ/м3,- модуль упругости материалапластины, Па;- доминирующая частота вибрации, Гц;- разность между величинамикоэффициентов линейногорасширения материала основания и материала пластины,1/град; ь с - величина температурного перепада при нагреве основания, град.Толщина дистанционных теплопровод ных прокладок 3 выбирается равной1,1 от значения амплитуды резонансных колебаний пластины.При низкой температуре основанияв процессе эксплуатации в условияхвибрации пластина 2 также имеет низ кую температуру и ее резонансные колебания отсутствуют.При увеличении температуры основания 1 увеличивается температурапластины 2 из-за наличия теплопроводной прокладки 3. Если материалпластины 2 выбран так, что коэффициент линейного расширения (КТР) егобольше КТР материала основания 1, 20 то увеличение температуры жесткосвязанной системы основание - пластина приводит к возникновению впластине 2 сжимающих усилий, и значение ее собственной резонанснойчастоты снижается, приближаясь кзначению частоты вибрации на объекте. Если материал пластины 2 выбран так, что КТР его меньше КТР материала основания 1, то увеличениетемпературы основания 1 с пластиной 2 приводит к возникновению впластине 2 растягивающих усилий, изначение ее собственной резонанснойчастоты увеличивается, приближаясь Зэ к значению доминирующей частотывибрации на объекте. При этом возникают резонансные колебания пластины 2 и происходит процесс эффективного охлаждения аппаратуры (фиг.2) .При необходимости интенсивнойтеплоотдачи от других стенок основания 1 на каждой такой стенке необходимо закрепить аналогичный теплоС другой стороны, чтобы пласти 2 теплорассеивателя при нагреве(3) 3резонировала на частоте доминирующей вибрации Г , ее собственная резонананая частота Е при нормальоной температуре должна иметь значение, определяемое из выражения Формула изобретенияКорпус для радиоэлектронной аппаратуры, содержащий основание с закрепленным на нем теплорассеивателем и элементы крепления, о т л и - ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения эффективности охлаждения при воздействии вибрации путем обеспечения изменения частоты колебаний1 О м;иала пла ина пластин отность мат де тины, кГ/м модуль упр ла пластин Ао осн сти материаПа;ая частота ви де е - логарифм 5 еский декремен оминируюии, Гц;азность моэййицие колебании; коэААициен динамичности жду величинамиов линейного ра пластины; амплитуда ния.ая, что то тов резона лебании основ О осн ения ма атериал риала основанипластины,1/гр- велич переп вани инженервлений ост читыв расче ханич сных ых мах еских.сист 107, возмо истанционн в ме пред толщной ходитсяимальная о а и опров а лщина дис прокладок и рави ок амплитуды репластины. А ов Приравняв выражения (2) и (3)и задавшись длиной пластины, получаем выражение (1) для определения толщины 2 пластины 2.Для обеспечения лучшей теплоотдачи от основания 1 к пластине 2 толщина прокладок 3 должна быть выбрана минимальной, но не меньше амплитуды резонансных колебаний пластины, а в качестве материала можно использовать медь или алюминий.Выбор толщины дистанционной тепло- проводной прокладки 2 осуществляется следующим образом.Амплитуда колебаний пластины Ао определяется из выражения теплорассеивателя при изменении температуры основания, теплорассеиватель в виде пластины и корпус выполнены иэ материалов с разными коэффициентами линейного расширения, а элементы крепления - в виде дистанционных теплопроводных прокладок с винтами и упругими шайбами установлены с двух противоположных сторон пластины с возможностью регулирования усилия прижима, причем толщина 2 пластины определяется по формуле дуина температурногоада при нагреве осноанционных теплопроводравна 1,1 от значениянансных колебаний1 28894 б 03 4 О 500 Т 0 ЮО Составитель Е,ШершавоРедактор 0.10 рковецкая Техред И.Попович Корректор П.Муска аказ дписное шграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Произво Бенно 825/бОВНИИПИ Государспо делам изоб13035, Москва,ираж 823енного комитета СССРтений и открытий35, Раушская наб., д,Т, О