Схема коррекции прямоугольного импульса, формируемого с помощью искусственной линии

10%6 Класс 21 а 4, 14 О СССР ,Ф",САНИЕ ИЗОБРЕТЕ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Гулли СХЕМА КОРРЕКЦИИ ПРЯМОУГОЛЬНОГО ИМПУЛЬСА,ФОРМИРУЕМОГО С ИОМОЩЫО ИСКУСС 1 ВЕННОЙ ЛИНИЗаев;1 ено 23 ккия 954 г. за .Ч." )3084/45075 Изобретение относится к схемам, применяемым для улучшения формы импульсов, вырабатываемых импульсными модуляторами с искусственной линией, состоящей из конечного числа элементов с сосредоточенными параметрами,Известные схемы того же рода предназначаются для улучшения формы плоской части импульса, тогда как предложенная схема предназначена как для улучшения плоской части, так и для увелпчешя крутизны переднего фронта импульса.Предлагаемая схема представляет сооой дополнительное звено к искусственной линии, состоящее из пассивных элементов. Коррекция формы вырабатываемых модулятором импульсов основана нг принципе получения в дополнительном звене напряжения такой формы, которое позволяет дополнить сформированный искусственной линией импульс до прямоугольного.На фиг, 1 (а) показан импульс, сформированный искусственной линией обычного типа, на фиг. 1 (б) - дополняющее напряжение Ь"., которое необходимо сложить с показанным на фиг. 1 (а) импульсом, чтобы получить в рсзультате импульс, показанн ай на фиг, 1 (в), форма которого близка к прямоугольной. Наиболее часто в существующих импульсных модуляторах применяется схема искусственной линии с корректирующей индуктивностью (У.1 на фиг. 2), рассчитываемой по методу проф. Я. С. Ицхоки, с помощью которой улучшается форма плоской части импульса. Прп этом форма переднего фронта импульса получается близкой к экспоненте, В этом случае дополняющее напряжение с 2 также должно имель экспоненциальн 1 ю фопму и легко может оыть пол.чено с помощью дополнительной цепочки РСь подключенной параллельно искусственной линии, как это показано на фиг. 2.Поясним работу корректирующих элементов в схеме, показанной на фиг. 2.В исходном состоянии конденса;ор С будет заряжен до напряжения Е, так же как и конденсаторы ьгф искусственной л,лнии, В момент замыкания коммутирующего устро., - ства К, конденсатор С начнет р;зряжаться через сопротивленп" Д и нагрузку Р , причем в иачальл:.:и моменл ток разряда будетгй- йЕсли Р = Л,р, где- волновое сопротивление искусственной линии, то в момент замькания на нялрузкемгновенно установится напряжение У= 0.5 Е, По мере разряда конденсатора С 1 ток г, будет уменьшаться по экспонепциальному закону, но одновременно с этим будет нарастать ток разряда г искусственной линии. При соответствующем подборе величин Р и С можно обеспечить постоянство тока через нагрузку Л, общего тока с+ , а следовательно, и постоянство действующего на нагрузке напряжения О в течение всего времени действия импульса до момента окончания разряда искусственной линии. Время установления напряжения на нагрузке (длительность фронта формируемого импульса) в такой схеме не будет зависеть от параметров линии, как это имеет место и обычных схемах, а определится только временем срабатывания коммутирующего устройства К и паразитнмми емкостями и индуктивностяыи нагрузки, монтажных проводов и т. д.Схема, приведенная на фиг. 2, рассмотрена только для пояснения принципа корректиоования формм импульса с помощью дополнительных элементов, так как применение ее приведет к ухудшению заднего фронта формируемого импульса.На фит. 3 приведена схема, оаботаюшая по тому же принципу, что и схема фиг. 2, но свободная от указанного выше недостатка,1(ак видно, искусственная линия, состоящая из последовательных индуктивностей Е и параллельных емкостей С, рассчитываемых обычным способом, дополнена еше одним звеном, состоящим из последовательной индуктивности Хь шунтированной сопротивлением Р и емкостью С 2, и из параллельной емкости С 1.Величины элементов дополнительного звена определяются из следуощих зависимостей:У. ,2; 1С,С Э Ягде:Р, - сопротивление;С - паразитпая емкость нагрузки.При выборе величины 1, следуетиметь в вирду, что увеличение ееулучшает плоскую часть импульса,ио вместе с тем уменьшает крутизнузаднего фронта импульса.В том случае, если паразитнаяемкость нагрузки Смного меньше,чем Сь формулы для расчета Я, Си С, упрощаются и с точностью доС,- могут быть представлены вС,виде:Р=Р;С,=с;С,= -.Я;.Рассмотренная схема может бытьс успехом применена и в том случае,если искусственная линия состоитиз резонансных или антирезонанснмхконтуров, В этом случае величиныкорр ектирующих элементов могутбыть подобраны экспериментально.Влияние изменения величины Я иС, на форму вырабатываемого схемой импульса показано на фиг. 4и фиг. 5.Следует учитывать, что рассматриваемая схема по сравнению собычными имет несколько меньшийкоэффициент полезного действия изза потери части энергии в сопротивлении Р, а также вырабатывает импульс с увеличенной длительностью.Предмет изобретения Схема коррекции прямоугольного импульса, формируемого с помощью искусственной линии, состоящей из последовательных индуктивностей Л и параллельных емкостей С, рассчитываемых известными способами, или из резонансных или антирезонансных контуров, позволяющая увеличить крутизну переднего фронта импульса, а также выровнять его плоскую часть и отл и ча ющ а яс я тем, что к линии подключается дополнительное звено, состоящее из101936последовательной индуктивности 1,шунтированной сопротивлением Р иемкостью С и из параллельнойемкости Сь причем величины Е,. СьЛ и С. определяются соотношениями:12 сн.гСгде Р - сопротивление:и С паразитная емкость нагрузки.Фиг. 1