Устройство задержки

ОП ЙСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихреспублик н 11993473(61) Дополнительное к авт, свид-ву(22)Заявлено 030781 (23) 3311459/18-21сприсоединеииемзаявки йоицм.кл. Н 03 К П/28 Государственный комитет СССР но делам изобретений н открытий(54) УСТРОЙСТВО ЖКИ н н Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для при-,менения в радиотехнической, аппаратуреразличного назначения.Известно устройствозадержки, содержащее одновибратор, выполненный посхеме генератора фантастронного типа, фиксирующий диод подключенныйк коллектору одного из транзистороводновибратора, источник фиксирующего напряжения, например интегрирующийконденсатор, подключенный к источнику входных импульсов через эмиттерныйповторитель и дифференцирующую цепь,а к фиксирующему диоду - через другойэмиттерный атовторитель 1.Устройство сложно иимеет недостаточную точность.Наиболее близким к предлагаемомуявляется устройство задержки, выноленное на трехтранэисторном фантастро.е 2,Длительность задержки в известномустройстве определяется произведением сопротивления времяэадающего резистора на емкость хронирующего конденсатора, что не позволяет сформировать задержку, пропорциональнуюколичеству импульсов, поступившихна управляющий вход фантастрона. Цель изобретения - получение задержки, пропорциональной количест-.ву импульсов, поступивших на управ"ляющий вход фантастрона.Поставленная цель достигается тем,что в устройстве задержки, содержащем фантастрон, выполненный на трехтранзисторах п-р-п типа проводимости,хронирующая цепь выполняется в видеемкостного накопителя, содержащегонормирующий транзисторный каскад,.включенный по схеме с общим эмиттером между шиной питания и общейточкой схемы, коллектор которогочерез резистор соединен с одной обкладкой дозирующего конденсатора накр,пителя,а его вторая обкладка соедине -на с эмиттером транзистора линейногоключа, выполненного по схеме с общейбазой на транзисторе р-и-р типа проводимости,и катодом диода, анод последнего н резистор базовой цепи упомянутого р-п;р транзистора соединен=с шиной, питания, при этом к общейточке подключения коллекторов ключевого транзистора фантастрона ир-п-р транзистора подсоединена однаобкладка накопительного конденсатора, а другая - к базе токостабилиЗ 0 эирующего транзистора фантастрона.,На чертеже приведена принципиальная электрическая схема задержки нафантастроне.Схема состоит из трехтранзисторного фантастрона 1 беэ времязадающего резистора и емкостного накопителя 5беэ накопительного конденсатора. Хронирующий конденсатор фантастрона 1является одновременно накопительнымдля емкостного накопителяВ предлагаемом устройстве хрони- Орующая цейь состоит иэ накопительно/го конденсатора 2, линейного ключана транзисторе 3, доэирующего конденсатора 4, диода,5, ограничительного резистора б, нормирующего транэис тора 7. Управляющие импульсы на накопитель подаются по входу 8 а импульсы запуска фантастрона - по входу9. Источник питания включается междувыводом 10 и общей точкой схемы. Выходной импульс фантастрона регистрируется на выводе 11,фантастрон выполнен на токостабилиэирующем транзисторе 12, транзисторе 13 и .ключевом транзисторе 14Устройство работает следующим образом.В исходном состоянии транзистор7 нормирующего каскада открыт и находится в насыщении, Дозируюций конденсатор 4 заряжен по цепи источник З 0питания - диод 5 - резистор б - коллектор-змиттер транзистора 7 - минусовая шина источника питания. Приэтом транзистор З.линейного ключаэыкрыт, так как у него напряжение 35на базе равно напряжению на эмиттере.Накопительный конденсатор 2 разряжен,Транзистор 12 закрыт.С приходом отрицательного импульса на вход 8 накопителя транзистор 407 закрывается, а дозирующий конденсатор 4 начинает разряжаться поцепи эмиттер-коллектор транзистора3 - накопительный конденсатор 2 -токостабилизирующий транзистор 13, 45"передавая при этом заряд на кондейсатор 2. Как только потенциалы на конденсаторах выравняются, прекрацаетсяпередача заряда с дозируюцего кон"денсатора 4 на накопительный конденсатор 2 и транзистор 3 закрывается.С приходом следуюцего импульса процесс повторяется.Если на вход 8 поступит и импуль.сов отрицательной полярности, то наконденсаторе 2 накопится напряжение,пропорциональное и. Запускающий импульс поступает на вход 9 устройства,дифференцируется входной цепью ив фантастроне начинается релаксацион.ный процесс, причем длительность сформированиого импульса пропорциональна, количеству импульсов и, поступивших на вход 8 накопителя, Очевидно, что частота следования импульсов эайуска по входу 9 много меньше частоты следования импульсов записи, поступающих на вход 8 накопителяПредлагаемое устройство может быть выполнено в виде микросхемы на бескорпусных транзисторах типов 2 Т 324, 2 Т 360 и:конденсаторах типа К 10-17 в по гибридной тонкопленочной технологии. Проигрывая несколько в точности, предлагаемое устройство позволяет значительно упростить ус- . тройства квантованной задержки, которые,как правила, выполняются с применениемлогических и счетных схем, кроме того,оно имеет малую потребляемую мощность и может найти применение в малогабаритной телеметрической аппаратуре связи.формула изобретенияУстройство задержки, содержащее фантастрон, выполненный на трех транзисторах и-р-.и типа проводимости, о т л и ч а ю ц е е с я тем, что, с целью получения задержки, пропорциональной количеству импульсов, поступивших на управляющий вход устройства, хронирующая цепь выполнена в виде .емкостного накопителя, содержащего нормирующий транзисторный каскад, включенный йо схеме с общим эмиттером между шиной питания и общей точкой схемы, коллектор которого через резистор соединен с одной обкладкой доэирующего конденсатора накопителя, а его вторая обкладка соединена с змиттером транзистора линейного ключа, выг)рлненного по схеме с обцей базой на транзисторе р-и-р типа проводимости, и катодом диода, анод последнего и резистор базовой цепи учомянутого р-и-р транзистора соединены с шиной питания, при этом к общей точке подключения коллекторов ключевого транзистора фантастрона и р-и-р транзистора подсоединена одна обкладка накопительного конденсатора, а другая .- к базе токостабилизирующе. го транзистора фантастрона.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРР 506939, кл. Н 03 К 5/13,13.08.732. Важенина З.П,ю и др. Методы исхемы временной задержки импульсныхсигналов, М., Советское радиоф,1971, с, 46-62 (прототип),993473 Составитель Техред Т. фан ьк ектор А.ференц едактор Н.Ковалев Заказ 507 Филиал ППП Патент , г. Ужгород, ул тн Тираж 934 НИИПИ Государственног по делам изобретени 13035, Москва, Ж, Подписное комитета СССР и открытий ушская наб , д. 4/5