Электрооптический модулятор

ОП ИСАНИЕИЗЬБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СфветскиивСоциалистическикРеспублик(5)М. Кл. 6 02 Р 1/03 Гввуааретвввыв камвтет ссса вв аеаам изобретении н вткрытнйДата опубликования описания 23. 01 . 83(72) Автор, изобретения Д.М,Глебов Ленинградский ордена Ленина электротехническйВ инайц.утим, В,И,Ульянова (Ленина)(54) ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР 1Изобретение относится к средствам связи, а именно к передающей части оптичесКих систем связи при высоких требованиях к линейности модуляционной характеристики модулятора.Известен оптический амплитудныймодулятор, основанный на поворотеплоскости поляризации1,К его недостаткам относится низкая линейность модуляционной харак теристи ки,Наиболее близким по техническойсущности и достигаемому результатуявляется электрооптический модулФгорсвета, содержащий последовательноустановленные поляризатор, электрооптический кристалл с электродами,анализатор, а также блок управленияс двумя выходами, первый выход которого соединен с электродами электрооптического кристалла 2,К его недостаткам также относится низкая линейность модуляционнойхарактеристики,Цель изобретения - повышение линейности модуляционной характеристики,Это достигается тем, что в электрооптический модулятор, содержащий по"5 следовательно установленные поляризатор, электрооптический кристалл сэлектродами, анализатор, а такжеблок управления с двумя выходами,.первый выход которого соединен с электродами электрооптического кристалла .дополнительно введен второй электрооптический кристалл с электродами,установленный между поляризатороми первым электрооптическим кристал лом или первым электрооптическимкристаллом и анализатором, причемоптическая ось второго кристалла сос.тавляет угол с( от -4,5 до 4,5 сплоскостью поляризации поляризатора,20а его электроды соединены с вторымвыходом блока управления,На фиг. 1 изображена схема предлагаемого электрооптичегкого модулядо 4,5, однако, как видно из Фиг. 3,(где Щр,- величина, показывающая восколько раз глубина модуляции в предЛагаемого модулятора больше глубинымодуляции в известного модуляторапри допустимом в линии связи коэффициенте нелинейных искажений), дляполучения максимального выигрыша приразных требованиях к коэффициенту нелинейных искажений надо выбирать соответствующую величину угла д Наибольший выигрыш в глубине модуляциипри высоких требованиях к линейностидостигается при с 2,5 С, При оЬ 4,5нелинейные искажения будут большимипри любой глубине модуляции, Это обьясняется возникновением значительнойперекоррекции (кривая о(=5, фиг. 2).Предлагаемое устройство позволяет у вели чи ть ли ней ност ь модуля ционной характеристики и глубину модуляции передаваемого сигнала,Электрооптический модуляторсодер" жащий последовательно установленные поляризатор., электрооптический кристалл с электродами, анализатор, а также блок управления с двумя выходами, первый выход которого соединен с талла, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью повышения линейности модуляционной характеристики, в негодополнительно введен второй электрооптический кристалл с электродами,установленный между поляризатороми первым электрооптическим кристаллом или первым электрооптическимкристаллом.и анализатором, причем тавляет угол оот -4 5 О до 4,5 сплоскостью поляризации поляризатораа его электроды соединены с вторымвыходом блока управления,3 ,913494тора, на Фиг. 2 - семейство модуляционных характеристик, на фиг, 3 кривые, показывающие выигрыш, получаемый в глубине модуляции при различных аЬ3Электрооптический модулятор содержит поляризатор 1, второй дополнительный электрооптический кристалл 2 сэлектродами 3 и 4, первый электрооптический кристалл 5 с электродайи 106 и 7 анализатор 8 и.блок 9 управпений с выходами 10 и 11,Устройство работает следующим об"разом,Излучение падает на поляризатор 1, 1 ззатем на вход электрооптиЧвского кристалпа 2, с его выхода - на вход электрооптического кристалла 5, а затемна анализатор 8. На электроды 3, 4 и6, 7 электрооптических кристаллов подается модупирующий сигнал с выхода 10 и 11 блока 9 управления. Оптические оси первого электрооптичес.кого кристалла 5 устанавливаются,квк обычно, под углом 45 к плоско-.оФормула изобретениясти поляризации излучения для достижения максимальной глубины модуляции, Анализатор бывает установленлибо согласованно либо скрещенно кполяризаторуВторой кристалл служитдля предыскажения поля световой волны, поступающей на первый (основной)кристалл, Характер предыскажений за- электродами электрооптического крисвисит от уровня поступающего на кристалл напряжения и от ориентации осейкристалла, При одинаковых кристаллах3(первом и дополнительном) напряжение,подаваемое на дополнительный кристаллдолжно быть в 2 раза больше напряжения, подаваемого на первый кристалл40Угол с(.между одной из осей кристаллаи плоскостью поляризации луча выби,рается исходя из желаемого виду моду- оптическая ось второго кристалла сосляционной характеристики, Семействомодуляционных характеристик при раз 45личных а(.приведено на Фиг 2 и описывается выражениемвп 11сшта ие тклоненияНаука",1 циент 37. стель Е сканиро О. с. 2 еда р, Метод вета, М,ционной ри е от характе5 о1 мо ет ау К=-11+сов ОЖ. с -ЭММАМИ 2.И где Е - коэффиности О - коэффтора,Линейность ристйки повыш принятее и размер 1, Ка оптическ модуля с,2, Иу ляции и ка", 197991349 У 8.9 ие. 2 ая оь гекю,к ю,ю ц фиаР ВНИИПИ Заказ 126/63