Способ обработки отпаянных электронно-лучевых трубок с газосодержащим газопоглотителем

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик и 945918Опубликовано 23. 07,82, Бюллетень 27Дата опубликования описания 23,07,82 до делам иэобретеииЯ и отерытиЯ(5 Й) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ОТПАЯННЫХ ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВЬ ТРУБОК С ГАЗОСОДЕРЖАЩИМ ГАЗОПОГЛОТИТЕЛЕМ Изобретение относится к производству электроннолучевых трубок, в частности к обработке отпаянных электроннолучевых трубок.Известен способ очистки радиоэлектронных деталей путем промывания в противотоке ректифицированного трихлорэтилена. с последующей сушкой 11.Однако этот способ неприменим к отпаянным электроннолучевым трубкам.Известен также способ обработки отпаянных электроннолучевых трубок с газосодержащим газопоглотителем, содержащий операции распыления газопоглотителя и высоковольного прожига.Распыление газосодержащих газопоглотителей производится с помощью высокочастотной энергии, подводимой к газопоглотителю, и сопровождается повышением давления внутри электрон- го нолуцевой трубки до 0,1-1,0 Па за счет выделения активирующего газа, например азота, который впоследствие поглощается активным веществом газопоглотителя. После распыления газопоглотителя, для повышенияэлектрической прочности готовых алектроннолучевых трубок производитсявысоковольтный прожиг, сущность которого заключается в том, что междувысоковольтным электродом (анодом 7и закороценными между собой и заземленными электродами э .ктроннооптической системы прикладывается высокое напряжение 21.Однако высоковольтному прожигу присущи возможность возникновения дугового разряда, что приводит к распылению материала электродов и образованию металлического налета на изоляторах электронно-оптической системы и горловине оболочки электроннолучевой трубки, возможность разрушения оксидного покрытия катода,а также низкая эффективность очистки деталей электронно-оптической системы, экранированных близлежащиманоду электродом.3 911591Цель изобретения - повышение электрической прочности электродной системы и эмиссионной способности катода отпаянных электроннолучевыхтрубок.Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу обработки отпаянных электроннолучевых трубок с газосодержащим газопоглотителем, содержащему операции распыле- .ния газопоглотителя и высоковольтного прожига в процессе распылениягазопоглотителя между электродамитрубки поддерживают тлеющий разрядс последующим переходом его в высоковольтный прожи 1,На чертеже представлена блок-схема устройства для практического осуществления способа в производствекинескопов,15 Устройство для обработки кинескопов .по преДЪагаемому способу состоит из узла 1 запуска генератора 2, источника 3 напряжения, программного устройства 11 и индуктора 5. Узелзапуска обеспечивает одновременное включение генератора 2 высокочастотных колебаний, источника 3 переменного напряжения, и запуск программного устройства 4, Генератор 2 совместно с индуктором 5 вырабатывает высокочастотные колебания, энергия которых передается газопоглотителю 6 кинескопа 7, Напряжение истоцника 3З 5 приложено между анодом 8 и соединенными вместе остальными электродами электронно-оптической системы 9 кинескопа 7, Программное устройство 11 по заданной программе осуществляет40 отключение генератора 2 и источника 3 напряжения, Заземление анода 8 обеспечивает экранирование промежутка анод - остальные электроды электронно-оптицеской системы 9 от воз 45 действия электромагнитного поля индуктора 5 и улучшает условия выполнения предлагаемого способа.Одновременное с, началом разогрева газопоглотителя приложение напряжения от маломощного источника между анодом и остальными электродами электронно-оптической системы приводит к возникновению тлеющего разряда в газе, выделяющемся при распылении газопоглотителя, В результате происходит эффективная плазменная очистка всех деталей электронно-оптической системы, способствующая повышению электрической прочности готового кинескопа.По мере распыления газопоглотите-ля и понижения давления внутри кинескопа разряд в зоне электронно- оптической системы затухает и сопротивление промежутка анод - остальные электроды резко возрастает, В связи с этим происходит уменьшение падения напряжения на внутреннем сопротивлении источника, приложенное к промежутку анод-остальные электроды напряжение возрастает, в результате чего плазменная очистка. непосредственно переходит в высоковольтный прожиг. При испытании способа разряд в зоне анод в остальн электроды электронно-оптицеской системы возникает спустя 2-3 с с момента включения генератора 2 и источника 3 напряжения и длится 8-10 с, затем в тече" ние 3-5 с происходит высоковольтный прожиг.Внедрение предлагаемого способа впроизводство обеспечит эффективнуюочистку всего обьема в зоне электронно-оптической системы, что повысит электрическую прочность готовых электроннолучевых трубок, позволит проводить высоковольтный прожиг при более низких напряжениях, что в значительной мере устранит возмож- . ность разрушения оксидного покрытия катода, существенно сократит время проведения высоковольтного прожига, а следовательно, общее время обработки собранных электроннолучевых трубок,Внедрение способа позволит также снизить рекламационный возврат на 1,5-1,Д и эмиссионный брак в производстве на 0,6-0,73,Формула изобретенияСпособ обработки отпаянных электроннолучевых трубок с газосодержащим газопоглотителем, содержащий операции распыления газопоглотителя и высоковольтного прожига, о т л и ц а ющ и й с я тем, что, с целью повышения электрической прочности электродной системы и эмиссионной способности катода трубки, в процессе распыления газопоглотителя между электродами трубки поддерживают тлеющий разряд с последующим переходом его в высоковольтный прожиг.945918 Составитель А. Захаровышева Техред И,Надь Корректор А. Дзятко Редактор Зак иал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР 1370673,кл.Н 011 9/00,опублик 1973.5341/71 Тираж ВНИИПИ Государственного по делам изобретений 113035, Москва, Ж, 2. Производство цветных кинескопов. Под ред. В. И. Барановского,М., нЭнергияф, 1978, с251-270