Широкополосный четырехдиодный смеситель стробоскопического преобразователя

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Х АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 оюа СометскикСецналнстнчесмнареслублни 11,8923 3(22) Заявлено 10,04.80 (21) 2907838/18.21с присоединением заявки ЭЙ -(5) М. я 6 01 В 1322 Ркудерстееный кпмитет СССР пп делам изобретений и открытий(71) Заявитель Московский институт электронной техники(54) ШИРОКОПОЛОСНЫЙ ЧЕТЫРЕХДИОДНЫЙ СМЕСИТЕЛЬ СТРОБОСКОПИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано в широкополосных стробоскопических осциллографах и измерителях мгновенных значений электрических сигналов,Наиболее близким к изобретению по технической сущности является широкополосный четырехдиодный смеситель стробоскопического , преобразователя, содержащий мост из смеси- тельных диодов, первое плечо которого через первый конденсатор и первую обмотку развязывающего трансформатора подключено к первой шине стробимпульсов и через первый резистор - к шине первого напряжения смещения, второе плечо - через второй конденсатор и вторую обмотку развяэывающего трансформатора - ко второй шине стробимпульсов и через второй резистор - к шине второго напряжения смещения, третье плечо - к ши.не исследуемого сигнала, а четвертое плечо - .к первой обкладке накопительного конденсатора, вторая обкладка которого соединена с общей шиной 13,Р 1 Недостатком этого устройства является то, что оно не позволяет расширить полосу пропускания при сохранении чувствительности.Цель изобретения - расширение полосы пропускания при сохранении чувствительности.Поставленная цель достигается тем, что ши. рокополосный четырехдиодный смеситель стро. боскопического преобразователя, содержащий мост иэ смесительных диодов, третье плечо которого подключено к шине исследуемого сигнала, а четвертое плечо - к первой обкладке накопительного конденсатора, вторая обкладка которого соединена с общей шиной, первой конденсатор и первый резистор, включенные последовательно между первой шиной стробимпульсов и шиной первого напряжения смещения, второй конденсатор и второй резистор, включенные последовательно между второй шиной стробимпульсов и шиной второго напряжения смещения, снабжен двумя короткими диодами Ганна, причем первый диод Ганна включен между первым плечом моста и об. кладкой первого конденсатора, соединенной с выводом первого резистора, а второй ди.89231од Ганна включен между вторым плечом мос.та и обкладкой второго конденсатора, соединенной с вьводом второго резистора,На чертеже представлена структурная электрическая схема устройства,5Устройство состоит иэ смесительных диодов1, образующих четырехдиодный мост, накопи.тельного конденсатора 2, коротких диодов Ган.на 3 и 4, первого и второго резисторов 5и 6, первого и второго конденсаторов 7 и 8. 10Устройство работает следующим образом.В исходном состоянии смесительные диоды1 заперты смещениями, подаваемыми через резисторы 5, б и диоды Ганна 3, 4. Исследуемый, сигнал подается на вход мостовой схемы 1. В момент стробирования разнополярныестробимпульсы поступают через конденсаторы 7, 8 и диоды Ганна 3, 4 в плечи мостовой схемы и открьвают смесительные диоды 1.Через открытые диоды 1 исследуемый сигналзаряжает накопительный конденсатор 2, Послеокончания действия стробимпульсов на выхо.. де мостовой схемы образуется расширенныйимпульс с амплитудой, пропорциональной исследумому сигкалу в момент стробирования, 25Диоды Ганна, через которые подаются стробимпульсы в плечи мостовой схемы, должныудовлетворять условиюо 1510 см ,30где гь - равновесная концентрация электро.нов в диоде Ганна,1 - длина активной области прибора,В диодах Ганна, удовлетворяющих этомуусловию, не образуются динамические домены.Напряжение насыщения находится по формулеО =61,где Е хр Критическое Поле В арсениде гаЛ 40лия, равное з,г кв/см,Пока смесительные диоды 1 закрыты, ток через диоды Ганна не протекает. При подаче стробиьщульсов, пока падение напряжения на диоде Ганна не превысит О, диоды Ганнаипредставляют собой резисторы с малым сопро-. тивлением, В зто время они не оказьвают существенного влияния на работу схемы. Когда напряжение стробимпульсов увеличится настолько, что падение напряжения на диоде Ганна50 превысит О, диоды Ганна будут являться источниками тока с большим выходным сопротивлением порядка десятков кОм. Таким образом, благодаря диодам Ганна, через смесительные диоды протекает ток, форма которогоблизка к прямоугольной,Во время фазы постоянного тока цепь генератора стробимпульсов эффективно развязанас целью исследуемого сигнала, так как.диодыГанна в это время являются генераторами то.ка.Это дает возможность сохранять чувствительность смесителя до высоких частот, посколькувремя установления вольт-амперной характеристики диода Ганна составляет несколько пикоСОК УНД,Использование диодов Ганна обеспечиваетхорошую развязку цепей стробимпульсов ивходного сигнала друг от друга.Устройство позволяет расширить полосу пропускания, которая у смесителя в виде интегральной схемы может достигать 30 Гц.Формула изобретения Широкополосный четырехдиодный смесительстробоекопического преобразователя, содержащий мост иэ смесительных диодов, третье плечо которого подключено к шине исследуемогосигнала, а четвертое плечо - к первой обкладке накопительного. ковденсатора, вторая обкладка которого соединена с общей шиной, - ервый конденсатор и первый резистор, включен.ные последовательно между первой шинойстробимпульсов и шиной первого напряжениясмещения, второй конденсатор и второй резистор, включенные последовательно между второй виной стробимпульсов и шиной второгонапряжения смещения, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью расширения полосыпропускания при сохранении чувствительности,он снабжен двумя короткими диодами Ганка,причем первый диод Ганна включен междупервым плечом моста и обкладкой первогоконденсатора, соединенной с выводом первогорезистора, а второй диод Ганна включен между вторым плечом моста и обкладкой второ.го конденсатора, соединенной с вьводом второго резистора.Источники информации,принятые во внимание прн экспертизе1, Техническое описание осциллографа С 7 - 12,СССР, 1978 (прототип).2. Кэррол Дж, СВЧ.генератор на горячихэлектронах. М., 1972.892313 вакф 42/65 Тираж ВНИИПИ Государственн по делам изобретени 113035, Москва, Ж5 Зак ПодписиССР о комитета Си открытийаушская иаб