Способ разбраковки ферритовых пластин памяти

О П И С А Н И Е (и 1885943ИЗОБРЕТЕН ИЯк Автоаскомь свидпильствь Союз СоветсиихСоциалистическихРеспубликпо делаи нзсбретеннй н открытнйОпубликовано 301181 Бюллетень44 Дата опубликования описания 3 С 11,81(71) Заявител 54) СПОСОБ РАЗБРАКОВКИ ФЕРРИТОВЫХ ПЛАСТИНПАМЯТИ феррижает риведенйства,Изобретение относится к вычислительной технике и предназначено для разбраковки ферритовых пластин памя ти на начальной стадии изготовления до сверления отверстий.Известен способ раэбраковки фер" ритовых пластин .памяти, основанный на прошивке отверстий пластин памяти зондами с последующим измерением импульсных параметров 11.Недостатком этого спосооа является отсутствие возможности раэбраковки заготовок ферритовых пластин памяти,Известен способ раэбраковки плас" тин памяти, включающий определение величины сопротивления пластины памяти между ее боковыми поверхностями с последующим сравнением измеренного значения с сопротивлением эталонной пластины памяти 1 21.Известный способ не обеспечивает достаточно высокого качества разбра" ковки, так как не учитывает неоднородность в обьеме материала товой пластины памяти, что сниточность разбраковки.Цель изобретения - повышение точности разбраковки.Поставленная цель достигается тем,что в способе раэбраковки ферритовыхпластин памяти, включающем определе"ние величины сопротивления пластины,последовательно определяют величинусопротивления между вершинами, расположенными на первой диагонали верхней плоскости и на второй диагоналинижней плоскости пластины, а такжемежду вершинами, расположенными навторой диагонали верхней плоскостии на первой диагонали нижней плоскости пластины, при этом о качествепластины судят по величине разностиполученных значений сопротивлениймежду вершинами каждых двух смежныхторцов пластины,На чертеже и а принципиальная схема устроУстройство содержит измерительные зонды 1, 2 и 3, подключаемые пооче" редно к вершинам 4"11 пластины 12. Измерительные, зонды 1-3 включень в мостовую цепь (плечами которой явля" ются резисторы 13"14) с источником .15 питания. В диагональ моста вклю" чен индикатор 1 б, а параллельно одному из резисторов 13 или 14 подключен вольтметр 17.Способ осуществляется следующим образом.Измерительные зонды 1-2 подключают к вершинам 9-11, расположенным на второй диагонали нижней плоскости пластины 12. Измерительный зонд 3 подключают поочередно к вершинам 4- ,б,расположенным на первой диагонали верхней плоскости пластины 12, Для каждого подключения определяют индикатором 16 напряжение разбаланса, а вольтметром 17 падение напряжения на одном из резисторов 13"14. Затем подключают зонды 1"2 к вершинам 8-10, лежащим на первой диагонали нижней плоскости пластины 12, а зонд 3- поочередно к вершинам 5-7, лежащим на второй диагонали верхней плоскости пластины 12, и повторяют измерения. Качество пластины 12 оценивают по величине падения напряжения на одном из резисторов 13-14 и по напряжению разбаланса моста.Данный способ разбраковки ферритовых пластин памяти позволил про" водить разбраковкупластин памяти до сверления отверстий, выявить брак по пластинам памяти непосредственно после шлифовки и обрезки пластин в размер, а также брак по пластинам памяти после сверления отверстий, чтопозволяет снизить расходы на последующие технологические процессы изготовления ферритовых пластин памяти,Достигаемый за счет этого экономи"ческий эффект при внедрении изобрете- .ния ориентировочно составит не менее40 тыс. руб. Изобретение может бытьиспользовано для оценки качества фер ритовых элементов различной конфигурации. формула изобретенияСпособ разбраковки ферритовыхпластин памяти, включающий определение величины сопротивления пластины,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, уО с целью повышения точности, после"довательно определяют величину сопротивления между вершинами, расположенными на первой диагонали верхнейплоскости и на второй диагонали ниж- И ней плоскости пластины, а также междувершинами, расположенными на второйдиагонали верхней плоскости и напервой диагонали нижней плоскостипластины, при этом о качестве пласти- ЗО ны судят по величине разности полученных значений сопротивлений междувершинами каждых двух смежных тор"цов пластиныИсточники информации,И принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРд 457948, кл. С О 1 К 33/12, 1973.2. Авторское свидетельство СССРМ 335633, кл, 6 01 К 33/12, 1970.885943 Составител Техред М.Р шетник ор Г Редактор И.Тыкей лиал ППП "Патент", г.Ужгород, ул.Проектная, 4 0537/67 ВНИИПИ Госуда оо делам и 113035, МоскеВ.Новожило вес: КорвМ Подписимитета СССРоткрытийская наб. д.М 5