Схема для измерения давления в вакуумном диоде
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 855786
Авторы: Ашихмин, Базылев, Коротченко
Текст
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЮТИЛЬСТВУСоюз Соеетскик Социалистических Реслублин(22) Заявлеио 09. 07. 79 (21) 279225618-25 (51)М. ХЛ. с присоединением заявки йо(23) Ориоритет -Н 01 3 9/42 Государственный комитет СССР по аеиаи изобретений и открытий(088.8) Дата опубликования описания 150881(71 Заявител Рязанский радиотехнический институ(54) СХЕИА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДАВЛЕН В ВАКУУМНОМ ДИОДЕ ка,вакуум Известна схема для измерения давления в вакуумном диоде, содержащая генератор гармонического напряжения 1 н источник постоянного смещения, соцнненные последовательно 2.Недостатком этой схемы является низкая точность измерения. 20Цель изобретения - повышение точности измерения давления в вакуумном диоде.Поставленная цель достигается тем, что схема для измерения давления 2 в вакуумном диоде, содержащая генератор гармонического напряжения и источник постоянного смещения, соединенные последовательно, содержит генератор видеоимпульсов и нзмери-. ОюОэкв й+)Изобретение относится к вакуумной технике, в частности к измерению дав. ления остаточных газов с помощью собственной электродной системы.Известна схема для измерения давления в отпаянном вакуумном диоде с помощью собственной электродной системы, содержащая вакуумный диод и источник смещения 1.Однако такая схема не позволяет измерять низкие давления. тельный прибор переменного товключенные последовательно сным диодом.На фиг.1 показана схема включе,ния диода;на фиг.2 - график распределения эквивалентного потенциала вдиоде, пояснякщий динамику накопления ионов, на фнг.З - эпюры переменной составляющей тока диода при различных давлениях газа.Устройство содержит последовательно соединенные измеритель 1 переменной составляющей тока диода, генератор 2 гармонического напряжения, э исследуемый диод 3, генератор 4 видеоимпульсов, источник 5 постоянного смещения.При достаточно большой эмиссиикатода в положительную полуволну высокочастотного напряжения потенциалэлектрического поля в промежуткепропорционален координате в степени4/3, а в отрицательную распределен :линейно. Распределение среднего запериод потенциала нвквв межэлектродном промежутке (кривая б на фиг.2)выражается формулойгде о, - амплитуда напряжения;х - текущая координата;д - межэлектродное расстояние.Эсли частота напряжения достаточно велика, чтобы координата иона мало изменялась за период, можно считать, что движение ионов определяется величиной О. Распределение эквивалентного потенциала представляет собой потенциальную яму, а при амплитуде высокочастотного напряже,ния, достаточной для ионизации, ионы 16 накапливаются в объеме, совершая колебания между катодом и анодом. При подаче видеоимпульса отрицательной полярности распределение эквивалентного потенциала в межэлектродном про межутке изменяется, как показано на Фиг.2 (кривая 7), что вызывает уход накопленных ионов на катод, В результате составляющая тока диода, связанная с компенсацией электронно" щ го пространственного. заряда ионами, становится очень малой. Поэтому после окончания видеоимпульса ток диода уменьшается, а затем по мере накопления ионов увеличивается со скоростью, определяемой давлением остаточ 25 ного газа в диоде. При подаче последовательности видеоимпульсов в токе диода появляется переменная составляющая пилообразной Формы, несущая информацию о давлении в диоде 36 (Фиг.3).Генератор 2 гармонического напряжения (Фиг.1) подает на межэлектродный промежуток диода 3 напряжение с частотой и амплитудой, достаточной 3 для ионизации газовых молекул и накопления ионов. Генератор 4 видеоим" пульсов обеспечивает модуляцию потен" циала катода диода импульсами малой длительности и амплитудой, Измерив тель 1 регистрирует переменную составляющую тока диода. Источник 5 постоянного смещения компенсирует контактную разность потенциалов, ухудшающую условия накопления ионов. По градуировочным зависимостям показаний измерителя 1 от давления остаточного газа определяется давление в диоде.За счет предлагаемого технического решения повышается точность изме-рения давления в диоде в диапазоне 1,51(Гф,3 10 ф Па. Это позволяет более объективно контролировать состояние вакуума в готовых диодах по сравнению с известиык устройством, что способствует повышению их качества.формула изобретенияСхема для измерения давления в вакуумном диоде, содержащая генератор гармонического напряжения и источник постоянного смещения, соединенные последовательно, о т л и - ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения точности измерения давле.: ния, схема содержит генератор видео- импульсов и измерительный прибор переменного тока, включенные последовательно с вакуумным диодом.источники. информации,принятые во внимание при экспертизе1. Грошковский Я. Технология высокого вакуума. М., "Иностранная литература", 1957, с,308.2. Авторское свидетельство СССР Р 518663, кл. 0 0121/30, 1974 (прототип)..Еопецк тор з б 941/75 Тираи 784 ВНИИПИ Государственного комитет ио делам изобретений и открытий 113035, Москва, З, Рауззская наб., Подлиа СССР
СмотретьЗаявка
2792256, 09.07.1979
РЯЗАНСКИЙ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
АШИХМИН АЛЕКСАНДР СТЕПАНОВИЧ, БАЗЫЛЕВ ВИКТОР КУЗЬМИЧ, КОРОТЧЕНКО ВЛАДИМИР АЛЕКСАНДРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01J 9/42
Метки: вакуумном, давления, диоде, схема
Опубликовано: 15.08.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-855786-skhema-dlya-izmereniya-davleniya-v-vakuumnom-diode.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Схема для измерения давления в вакуумном диоде</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления электровакуумных приборов
Следующий патент: Датчик видеосигнала с компенсацией фона
Случайный патент: Воздухонагреватель доменной печи