Формирователь импульсов

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскид Социалистичвских Республик(51)М. Кл,з с присоединением заявки Мо Н 03 К 5/01 1 осударствеииый комитет СССР ио делам июбретеиий ч открытийДата опубликования Описания 180181(54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ н0 -"ЕЫХ ЭЯ +Як н Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в радиоэлектронной аппаратуре для получения импульсов с амплитудой, пре- вышающей в несколько раз величйну на пряжения питания.Известен формирователь импульсов по авторскому свидетельству СССР Р 445138, содержащий входной транзистор и цепь умножения, состоящую 10 из и последовательно включенных ячеек Каждая из ячеек содержит транзистор, включенный по схеме с общей базой,и конденсатор, одна обкладка которого соединена с эмиттером транзистора и 15 диодом, шунтирующим базово-эмиттерный.переход транзистора, а другая - с зарядным диодом. Базы транзисторов ячеек цепи умножения и аноды шунтирующнх диодов подключены к незазем ленному полюсу источника питания, и катоды зарядных диодов ячеек цепи умножения соединены с коллектором входного транзистора. Зарядный диод первой ячейки включен между коллек тором входного транзистора и его коллекторным резистором. Коллектор транзистора последней ячейки цепи умножения соединен с коллектором .входного транзистора непосредственно 30 и через нагрузку с заземленным полюсом источника питания 11,Недостатком формирователя импульсов является небольшая нагрузочная способность, что приводит к уменьшению амплитуды выходного импульса при уменьшении сопротивления нагрузки.Амплитуда выходного импульса 0 аЫК формирователя уменьшается, в основном, на величину падения напряжения на сопротивлении Ик коллекторного резистора входного транзистора и составляет: Йде Е- Е+пЕ;Е - напряжение источника питаниямиН Е - напряжение, создаваемое цепьюумножения иэ и ячеек1 н - сопротивление нагрузки.Таким образом, уменьшение сопротивления нагрузки Вн при проник равных условиях приводит к уменьшению амплитуды выходного сигнала, что недопустимо. Так, например, прий =Ян- кВо 1 х О 5 Еэ Уменьшение коллекторного сопротивления, с целью повьыения нагрузочнойспособности, приводит к увеличениюэнергии, потребляемой устройством вждущем режиме, к необходимости выбора более мощного входного транзис,тора, т е. к усложнению устройства.Цель изобретения - увеличение нагрузочной способности устройства безувеличения потребляемой мощности вждущем режиме.Указанная цель достигается засчет того, что в устройство, содержащее входной транзистор и цепь умножения, состоящую из и последовательно включенных ячеек, каждая изкоторых содержит транзистор, включенный по схеме с общей базой, и конденсатор, одна обкладка которого соедииена с эмиттером транзистора и диодом,шунтирующим базово-эмиттерный переходтранзистора, а другая - с зарядным"диодом,. базы транзисторов ячеек цепиумножения и аноды шунтирующих диодов щподключены к незаземленному полюсуисточника питания, а катоды зарядныхдиодов ячеек цепи умножения соединеныс коллектором входного транзистора,зарядный диод первой ячейки включенмежду коллектором входного транзистора и его коллекторным резистором,коллектор транзистора последней ячейки цепи умножения соединен с коллектором входного транзистора непосредственно и через нагрузку с заземленнымполюсом источника питания, дополнительно введены резистор, два диодаи транзистор, коллектор которого непосредственно, а база через дополнительный резистор подключены к шине З 5питания, анод и катод первого дополнительного диода соответственно подключены к базе дополнительного транзистора и,к выходу устройства, анодвторого дополнительного диода соеди Онен с эмиттером дополнительноготранзистора и соответствующим выводом резистора первой ячейки, а катодвторого дополнительного диода подклкчен к левой обкладке конденсаторапервой ячейки.На чертеже изображена схема предлагаемого формирователя импульсов.Формирователь содержит транзистор 1, открытый при отсутствии входного импульса положительным напряжением, поданным через резистор набазу, и цепь умножения, состоящуюиз и ячеек, каждая из которых содержит транзистор 2, шунтирующий диод3, конденсатор 4, зарядный диод 5, 55базовые резисторы 6, кроме того,нагрузку 7, дополнительный транзистор 8, промежуток коллектор-эмиттеркоторого включен между незаземленным полюсом источника питания и анодом дополнительного диода 9, включенного между коллекторным резистором10 и зарядным диодом 5 первой ячейки. База транзистора 8 череэ дополнительный резистор 11 соединена с незаземленным полюсом источника питания и через дополнительный диод 12, ,включенный в прямом направлении, - с выходом формирователя.Устройство работает следующим образом.При отсутствии входного импульса транзистор 1 открыт, транзисторы 2 закрыты обратным смещением базовоэмиттерного перехода, создаваемым прямым падением напряжения на диодах. Транзистор 8 закрыт напряжением, создаваемым падением напряжения на диоде 9. Напряжение на нагрузке 7 равно падению напряжения на коллекторно-эмиттерном переходе открытого транзистора 1. Конденсаторы 4 заряжаются от источника питания через диоды 3 и 5 и транзистор 1.При подаче на базу транзистора 1 входного отрицательного импульса транзистор 1 закрывается, а транзисторы 2 открываются, конденсаторы 4 оказываются включенными последовательно с источником питания и создают на нагрузке 7 импульс, амплитуда которого более чем в и раз превышает напряжение источника питания;Когда амплитуда импульса на нагрузке 7 превышает величину напряжения питания, диод 12 закрывается, транзистор 3 открывается и шунтирует коллекторный резистор транзистора 1 на время, равное длительности формируемого импульса.В данном техническом решении в момент формирования выходного импульса коллекторный резистор входного транзистора шунтируется коллекторно-эмиттерным переходом открытого дополнительного транзистора, сопротивление которого незначительно. При этом нагрузочная способность формирователя значительно увеличивается, а потребление энергии при отсутствии входного импульса остается прежним или может быть уменьшено за счет увеличения коллекторного сопротивления входного транзистора,Формула изобретенияФормирователь импульсов по авторскЬму свидетельству 9 445138, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения нагруэочной способности устройства беэ увеличения потребляемой мощности в ждущем режиме, в него дополнительно введены резистор, два диода и транзистор, коллектор которого непосредственно, а база через дополнительный резистор подключены к шине питания, анод и катод первого дополнительного диода соответственно подключены к базе дополнительного транзистора и к выходу устройства, анод второго дополнительного диода797060 Составитель Е. МосолковРедактор М. Циткииа Техред Н.Ковалевь Корректор О, Билак аказ 9801/78 тираж 99 Д Подписно ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретениИ и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4 иатентф, г. Ужгород, ул. Проектная,4 лиал ПП соединенс эмиттером дополнительногОтранзистора и соответствующим выводом резистора первой ячейки, а катод второго дополнительного диодаподключен к левой обкладке конденсагора первой ячейки,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРМ 445138, кл. Н 03 К 5/01, 1974