Мультивибратор

"ь Союз Советских Социалистичвски РеспубликХ 11 ИЧЕМАБЛК така БА оо 773913 О П А-ВИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ к ьвтовскомю свидетвльствь(22) Заявлено 07. 03. 79 (21) 2733915/18-21с присоединением заявки Ио -(51)М. Кл.з Н 03 К 3/282 Государствеииый комитет СССР во делам изобретеиий и открытий( 54 ) МУЛЬТИВИЕРАТОР Изобретение отнОсится к импульсной технике и может быть использовано в качестве источника мощных сигналов прямоугольной формы.5Известен мультивибратор, который может быть использован в качестве источника мощных импульсов прямоугольной формы. Мультивибратор собран по схеме симметрично мультивибрато ру с коллекторно-базовыми связями с выходным трансформатором 111.Недостатком этого мультивибратора является большие габариты и вес.ЪНаиболее близким по технической 15 сущности к предлагаемому изобретению является мультивибратор, который собран на транзисторах с коллекторно-базовыми емкостными связями и содержит эмиттерные повторите ли в цепях заряда времязад".ющих конденсаторов, разделительные диоды, включенные между коллекторами основных транзисторов и времязадающими конденсаторами, и резисторы 25 в цепях коллекторов основных транзисторов. При работе мультивибратора на выходе эмиттерных повторителей образуются импульсы напряжения прямоугольной формы 23 30 Недостатком этого мультивибратора является ограниченная амплитуда выходных импульсов напряжения изэа неполного насыщения транзисторов эмиттерных повторителей, которое обусловлено тем, что минимальное напряжение коллектор-эмиттер транзистора равно сумме напряжения на его переходе база-эмиттер и падению напряжения на резисторе в цепи коллектора основного транзистора при его закрытом состоянии и связанные с этим потери мощности.Цель изобретения - увеличение амплитуды импульсов выходного напряжения и повышение коэффициента полезного действия. Поставленная цель достигается тем, что в мультивибратор, содержащий два транзисторных инвертора, охваченные емкостными коллекторно-базовыми обратными связями, дополнительные тран. зисторы в цепях заряда времязадающих конденсаторов, разделительные диоды, включенные между коллекторами транзисторов инверторов и времязадавщими конденсаторами, в каждый из его каскадов введены дополнительный диод и конденсатор, причем дополнительныйдиод включен последовательно в коллекторную цепь между коллекторным резистором и шиной питания, а конденсатор включен между анодом разделительного диода и общей точкой коллекторного резистора и дополнительного диода.5На чертеже представлена принципиальная схема устройства.Устройство содержит инверторы,собранные на транзисторах 1 и 2,резисторы .3-6 и конденсаторы 7 и 8,Базы дополнительных транзисторов9 и 10, которые включены по схемес общим коллектором, подключенысоответственно к коллекторам транзисторов 1 и 2. К эмиттерам транзисторов 9 и 10 одним выводом подключенывремязадающие конденсаторы 7 и 8,другие выводы которых соединены сбазами транзисторов 1 и 2, а между з 0эмиттерами и базами транзисторов 9и 10 включены разделительные диоды11 и 12, Резисторы 3 и 4 одним выводом соответственно через диоды 13 и14 соединены с клеммой источника питания и через конденсаторы 15 и 16с эмиттерами транзисторов 9 и 10.Мультивибратор работает следующимобразом.Пусть в произвольный момент времени транзистор 1 открыт, а транзисторы ЗО2 и 9 соответственно закрыты. Конденсатор 15 заряжается от источника питания через диоды 13 и 11 и транзистор1 до напряжения Е . Напряжение навыходе этого плеча О ц минимальное 35и равно сумме напряжений на диоде 11и переходе коллектор-эмиттер открытого транзистора 1 : О = Ов + Од.. Конденсатор 16 в этот момент времени разряжается через резистор 4 и 40переход база-эмиттер транзистора 10,обеспечивая глубокое насыщение транзистора 10.Диод 14 под действием приложенного через открытый тринзистор 10 напряжения конденсатора 16 смещен в обратном направлении, исключая возможность разряда конденсатора 16 через источник питания и цепи нагрузки мультивибратора. 50Напряжение на выходе второго пле- чгО ,т максимальное и равно разности напряжения питания и напряжения коллектор-эмиттер насыщенного транзистора 10:О = Е-О 55 После опрокидывания мультивибратора открыт транзистор 2, а транзис- торы 1 и 10 соответственно закрыты. Конденсатор 15 в этот момент времени разряжается через резистор 3 и переход база-эмиттер транзистора 9,обеспечивая глубокое насыщение транзистора 9, диод 13 смещен в обратном направлении, а выходное напряжение первого плеча максимальное и равно разности напряжения питания и напряжения коллектор-эмиттер транзистора 9 Овьедо Еп Оки .В этот же момент конденсатор 16 заряжается от источника питания через диоды 12 и 14 и транзистор 2, а напряжение на выходе второго плеча минимальное и равно сумме напряжений на диоде 12 и переходе коллектор-эмиттер транзистора 10: вй Од + О . 1 аким брао вве деййе дисдов 13 и 14 и конденсаторов 15 и 16 позволяет снизить напряжение коллектор-эмиттер транзисторов 9 и 10 за счет обеспечения их глубокого насыщения, тем самым увеличить амплитуду выходных импульсов и уменьшить мощность рассеяния на этих транзисторах. Формула изобретенияМультивибратор, содержащий дватранзисторных инвертора, охваченные емкостными коллекторно-базовыми обратными связями, дополнительные транзисторы в цепях заряда времязадающих конденсаторов, разделительные диоды, включенные между коллекторами транзисторов инверторов ивремязадающими конденсаторами, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью повышения амплитуды импульсоввыходного напряжения и коэффициентаполезного действия, в каждый из егокаскадов введены дополнительный диод и конденсатор, причем дополнительный диод включен последовательно вколлекторную цепь. междуколлекторнымрезистором и шиной питания, а конденсатор включен между анодом разделительного диода и общей точкой коллекторного резистора. и дополнительного диода,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРР 369685, кл. Н 03 К 3/282,14.07.71.2. Авторское свидетельство СССРР 502483, кл. Н 03 К 3/282,11.04.74.773913 Составитель Е.Мосолклуженко Техред Т.Иаточка Синицка Корре актор М одписное Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4 Заказ 7531/79 , Т ВНИИПИ Государ по делам изо 113035, Москва, Жраж 99 венног ретени 35, Ра комитета СССРи открытийская наб., д.4