Способ измерения диэлектрической проницаемости

О П И С А Н И Е765754ИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоеетскияСоциалистическиРеспублии(23) Приоритет -6 0 Гасударственный вмвтвт СССР во делам звбрвтвн н открыт(71) Заявитель ТРИЧЕСК 4) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИПРОНИЦАЕМ И Изобретение отной техники и мо емым веществом его емк пропорционально диэлектр ти, и напряжение на конт ответствующую величину,Однако известный снос сится к области измерительет использоваться для исслеь увеличивается еской проницаем изменяется нариков,Извес текой прон определения диэлектричесвеществ, основанный на изпригоден толь способемос для исследования веществ с очень малыми дидимостью; тором мож а контуреичен, и длиешности на электриче участок р но считат линейной кими потеезонансной ми и пров ривои, на к изменение н функцией ем исит от допус сть преобразо яжения кости, ог на его за нелинейно мои по вани Это достигается те что подключают паралику вспомогательный осуществляют ниэкочасмодуляцию в контуре, низкочастотной огиба. напряжения на резо- осле заполнения емкостям веществом, а диэлектельно емкости конденсатор, кот отную параметри измеряют амплющей высокочас тм чес куюитудуотного ансном контуре до и ого датчика исследуе ования и контроля жидких и твердых диэлектмерении изменения амплитуды переменного на. лряження на колебательном 1.С-контуре с ем.костным датчиком, пропорционального изменению емкости датчика после заполнения его ис. следуемым веществом 1.Стабильное по амплитуде напряжение с генератора постоянной частоты через сопротивление связи подают на колебательный контур, состоящий из фиксированной индуктивности и емкостного т датчика, включенных последовательно или параллельно. Резонансный контур настраива 1 от таким образом, что начало отсчета находится:иа верхней точке линейного участка резонансной кривой при пустой ячейке, если частота резонансного контура ниже частоты генератора, илина нижней точке линейного участка, если часто. та резонансного контура выше частоты генера. тора, Тогда при заполнении датчика анализируЦелью изобретения является повышение точти измерения.765754 4тем контур Э заполняют исследуемым вещест.вом и измеряют сначала амплитуду напряженияна измерительном контуре 3, а затем, послеосуществления параметрической модуляции, измеряют низкочастотную огибающую.( гпо формул Е = 1 т 1где О,Ор Оэ 3рическую проницаемость исследуемого вещества определяют по формуле3где О, - амплитуда низкочастотной огибающей на резонансном конту.ре до заполнения емкостногодатчика исследуемым веществом;Оамплитуда низкочастотнои,оги 16бающей на резонансном контуре после заполнения емкостного датчика исследуемым вещест.вом;Оз - амплитуда высокочастотного на 15пряжения на резонансном контуре до заполнения емкостногодатчика исследуемым веществом;О - амплитуда высокочастотного на.пряжения на резонансном конту.ре после заполнения емкостногодатчика исследуемым веществом;т - коэффициент пропорциональности..На фиг, 1 изображена структурная схема уст ройства, реализующего предлагаемый способ из-,25 мерения; на фиг. 2 - резонансная характеристика измерительного контура, иллюстрирующая предлагаемый способ измерения.Устройство содержит высокочастотный гене. ратор 1, сопротивление связи 2 (в общем слу. чае это последовательно включенные внутреннее сопротивление генератора В; и реактивное сопротивление связи Х, ), измерительный контур 3, состоящий из катушки индуктивности 4 и емкостного датчика 5, модулятор 6, управляющий вспомогательным конденсатором7, амплитудный детектор 8, демодулятор 9, аналого.цифровые преобразователи 10 и 11.С высокочастотного генератора 1 через сопротивление связи 2 подают напряжение постоянной 1 О частоты на измерительный контур 3. Измеряют амплитуду напряжения на измерительном контуре 3 посредством амплитудного детектора 8, после чего осуществляют параметрическую модуляцию в измерительном контуре 3 посредством модулятора 6, который управляет вспомогатель. ным конденсатором 7. Амплитудно модулиро ванное высокочастотное напряжение с измерительного контура подается на демодулятор 9, выде. ляющий 1 низкочастотную .огибаилцую, Напряже ния с выхода амплитудного детектора 8 и де. модулятора 9 поступают на соответствующие аналогоифровые преобразователи 10, 11, ЗаФормула изобретения Способ измерения диэлектрической проницаемости, основанный на подаче высокочастотного напряжения на резонансный контур, образованный катушкой индуктивности и емкост. ньгм датчиком, и измерении амплитуды высокочастотного напряжения на резонансном контуре до и после заполнения емкостного датчи. ка исследуемым веществом, о т л и ч а ю.щ и й с я тем, что, с целью повышения точности измерения, подключают параллельно емКостному датчику вспомогательный конденсатор, которым осуществляют низкочастотную параметрическую модуляцию в контуре, и измеряют амплитуду низкочастотной огибающей вы,сокочастотного напряжения на резонансном контуре до и после заполнения емкостного датчика исследуемым веществом, а диэлектрическую про. ницаемость исследуемого вещества определяют амплитуда низкочастотной огибающей на резонансном контуредо заполнения емкостного датчика исследуемым веществом;амплитуда низкочастотной огибающей на резонансном контурепосле заполнения емкостного датчика исследуемым веществом;амплитуда высокочастотного напряжения на резонансном конту.ре до заполнения емкостнОгодатчика исследуемым веществом;амплитуда высокочастотного напряжения на резонансном контуре после заполнения емкостного датчика исследуемым ве.ществом;коэффициент,пропорциональности. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1.,1 оигпа о 1 сЬгопотодгарЬу", 1971, И 54,р. 357-366.од, ул. Проектная, 4 НИИП иа аказ 6502/4 Патент", г,765754 Фиг. 7 019 Подписи