Амплитудный модулятор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 758475
Автор: Колесникова
Текст
(28)Приоритет Н 03 С 1/38 Н 03 С 1/54 Государственный комитет ов делам нзобретеннй н открытийОпубликовано 23.08.80 Бюллетень ЛЪДата опубликования описания 23.08.80(72) Автор изобретения Т. М. Колесникова Ленинградское отделение Центрального научно. исследовательскогоинститута связи(54) АМПЛИТУДНЫЙ МОДУЛЯТОР Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в качестве балансного модулятора и демодулятора, например, в аппара. туре вещания и телевндения.Известен амплитудный модулятор, содержащий первый и второй транзисторы, в цепях коллекторов и эмиттеров которых включены резисторы, причем база первого транзистора со. единена с источником модулируемого сигнала, а также третий транзистор, в эмиттерную цепь которого включен резистор, а база соединена1 О с источником модулируюшего сигнала, и источник питания 1.Однако в таком амплитудном модуляторе имеются значительные нелинейные искажения5 выходного сигнала за счет недостаточной балан сировки побочных продуктов преобразования.Цель изобретения - уменьшение нелинейных искажений выходного сигнала.Это достигается тем, что в амплитудный модулятор, содержащий первый и второй транзисторы, в цепях коллекторов и эмитторов которых включены резисторы, причем база первого транзистора соединена с источником модулиру. емого сигнала, а также третий транзистор, в эмиттерную цепь которого включен резистор, а база соединена с источником модуиируюшего сигнала, и источник питания, введены четвертый и пятый транзисторы, между эмитгерами которых и обшей шиной включены резисторы, а коллекторы их подключены к лапше источника питания и через введенный дополнительный резистор - к коллектору третьего транзистора, базы четвертого и пятого транзисторов соединены соответственно с коллектором и эмиттером третьего транзистора, а эмиттсры четвер. того и пятого транзисторов через введенные ЯС цепи соедтпены соответственно с резисторами эмиттерных целей первого и второго транзисторов, при этом между резистором эмиттер. ной цепи третьего транзистора и общей шиной включен диод, а база второго транзистора соединена с базой первого транзистора.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства.Амплитудный модулятор содержит первый и второй транзисторыи 2, в цепях коллекторов и эмиттеров которых включены резас3 75торы - соответственно, 3 и 4 и 5 и 6, третийтранзистор 7, в эмиттерную цель котороговключен резистор 8, источник 9 модулирукцдего сигнала, источник 10 питания, четвертыйФи пятый транзисторы 11 и 12, с резисторамив эмиттерных цепях соответственно - 13 и 14,дополнительный резистор 15, ВС цепи 16 и 17,а также диод 18 и источник 19 модулируемо.го сигнала,Амплитудный модулятор работает следу.юшим образом,Транзисторы 1 и 2 работают в режиме уси.ления, а модулируемый сигнал подается на ихбазы. Напряжение модулируемого сигнаЛа должно быть намного больше цапряжения модулируюшего сигнала. При отрицательной полуволнемодулируемого сигнала токи через резисторы3 и 4 направлены встречно и значение модулируемого сигнала на выходе амплитудного модулятора близко к нулю.Напряжение модулируюшего сигнала от источника 9, поступающее ца базу транзистора 7, удваивается на резисторах 15 и 8 и, повернутоео 9ца 180, подводится к каскаду на транзисторах 11 и 12, имеющему малое выходное сопротивление, для обеспечения которого целесообразно использовать транзисторы 11 и 12 с большим коэффициентом усиления тока,По отношению к последующему каскаду преобразования, выполненному ца транзисторах 1и 2, каскад ца транзисторах 11 и 12 являетсягенератором напряжения с симметричным отно.сительно земли выходом.При сопротивлении резисторов 5(6), многог 6большем - , где г - сопротивление базыбтранзистора 1 (2), а Р - коэффициент усиления тока транзистора, входное сопротивление каскада преобразования не зависит от Дкоэффициента усиления тока транзисторов.Входной ток этого каскада, практически неотличающийся от выходного, определяется величиной резисторов 5 и 6. При одинаковых со.противлениях резисторов 2, 3, 4, 5 и 6 и малом выходном сопротивлении каскада на транзисторах 11 и 12 обеспечивается высокое по.давление побочных продуктов преобразованияы + 2 Й и оэ + 4 й (где м - частота колеба.ций модулируемого сигнала, а Й - частота,колебаний модулирующего сигнала), и исклю 8475 4чено требование идентичности транзисторов.Включение диода 18 обеспечивает практически безыскаженный режим работы транзисторов 11 и 12,В случае необходимости, балансировка ос.татка частоты модулируемого сигнала можетпроизводиться изменением сопротивления резис.торов ВС цепей 16 и 17. Таким образом, в предлагаемом амплитудном модуляторе значительно уменьшаются нелинейные искажения выходного сигнала, а также, значительно упрощается его изготовление и настройка за счет исключения необходимости подбора транзисторов. Формула изобретения Амплитудный модулятор, содержащий первыйи второй транзисторы, в цепях коллекторов и эмиттеров которых включены резисторы, причем базапервого транзистора соединена с источником модулируемого сигнала, а также третий транзис.25 тор, в эмиттерную цепь которого включен ре.зистор, а база соединена с источником модулирующего сигнала, и источник питания, о т л и.ч а ю щ и й с я тем, что, с целью уменыиения нелинейных искажений выходного сигнала, ЗО в него введены четвертый и пятый транзисторы,между эмиттерами которых и общей шинойвключены резисторы, а коллекторы их подклю.чены к шине источника питания и через введен.ный дополнительный резистор - к коллектору з 1 третьего транзистора, базы четвертого и пятоготранзисторов соединены соответственно с коллектором и эмиттером третьего транзистора,а эмиттеры четвертого и пятого транзисторовчерез введенные ВС цели соединены соответственно с резисторами эмиттерных целей первогои второго транзисторов, при этом между резистором эмиттерной цепи третьего транзистораи общей шиной включен диод, а база второготранзистора соединена с базой первого транзис тора. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР по заявкеР 2404916/18-09, кл. Н 03 С 1/38, 14,09.76758475 Г. Захарченкстелевич оставител ехред Ж. рректор М. Коста дактор С. Суркова Тираж 995НИИПИ Государственного комитета СССпо делам изобретений и открытий3035, Москва, Ж, Раушская наб., д,аказ 5651/4 писное ал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,
СмотретьЗаявка
2565827, 09.01.1978
ЛЕНИНГРАДСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРАЛЬНОГО НАУЧНО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ИНСТИТУТА СВЯЗИ
КОЛЕСНИКОВА ТАМАРА МИХАЙЛОВНА
МПК / Метки
МПК: H03C 1/38
Метки: амплитудный, модулятор
Опубликовано: 23.08.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-758475-amplitudnyjj-modulyator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Амплитудный модулятор</a>
Предыдущий патент: Умножитель частоты
Следующий патент: Фазовый модулятор с умножением частоты
Случайный патент: Способ получения привитых сополимеров