Усилитель мощности

(71) Заявител ЛИТЕЛЬ МОШНОС та, в котором два плеча образованывходными транзисторами с коллекторныминагрузками, а два других плеча, смежныхс указанными, образованы соответственносиловым и дополнительным транзисторамисовместно включенными в каждом плече,причем участок эмиттер-коллектор силового транзистора через диод, включенныйв проводящем направлении, шукгируетколлекторную нагрузку входного транзистора смежного плеча, выводы для подключения нагрузки подсоединены к соответствующим точкам соединения междусобой диода и силового транзистора, аисточник питания включен в диагоналичеты ехплечего моста Г 2. Недо является ность ег силителя мош татком этогонизкий КПД и о работы, обус протекания "ск изобретения - ти работы успротекания низкая надежловленная возмо озных" токов. повышение КПД илителя путем иснадежнос ключения скв ных токов Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в качестве мошйрго бестрансформаторногокаскада. усилителя низкой частоты,Известен мостовой усилитель мощно 5сти, содержащий в каждом плече силовойтранзистор, база которого связана с коллектором или эмиттером своего управляющего транзистора, а тйаке дополнительный транзистор, при этом в однойпаре плеч базы последних связанымежду собой посредством резисторов, а ихколлектор подключен к базамсиловыхтранзисторов, в другой паре плеч каждыйиз дополнительных транзисторов одногоплеча связан с базой управляющего тран- Рзистора другого плеча посредством соответствующего резистора, а их коллекторы также подключены к базам своихсиловых транзисторов 13.20Недостатком такого усилителя являет- постылся его низкий КПД и низкая надежность,ЦельИзвестен также усилитель мощности,выполненный в виде четырехплечего мосе3 746864Цель достигается тем, что противоположные плечи выполнены на транзисто- р рах разного типа проводимости, силовой и дополнительный транзисторы каждого плеча включены по схеме с обшим эмиттером, причем коллекторная нагрузка т каждого извходных транзисторов плеча п выполнена в виде резнсторного делителя, э к средней точке которого подключенабаза дополнительного транзистора иасмежного с ним плеча, коллектор котот рого через резистор соединен с коллек- а тором силового транзистора из другого э плеча, в котором коллектор дополнитель- т ного транзистора соединен через резис с тор с коллектором другого силового и транзистора т фПо цепи эмиттер-коллектор транзистоа 1 - диод 15 - нагрузка 14 - коллектор-эмиттер транзистора 8 потечет тох,При изменении фазы входных сигналов транзисторы 2, 6, 7 откроются, а транзисоры 1, 5, 8 закроются. Ток через нагрузку отечет в обратном направлении по цепи " миттер-коллектор транзистора 2 - диод 16 - нагрузка 14 - коллектормиттер транзистора 7, При открывании ранзистора 2, пока он еше находится в ктивной области диод 16 закрыт. При том нагруэхой транзистора 2 является ранзистор 6, пОдключенный через цепь мещения, образованную резисторами 412, Параметры усилителя выбираются.ах, чтобы обеспечить режим насьпцения транзистора 6 и отсечки транзистора 8, пока транзистор 2 находится в активной области. Тох через нагрузку уменьшается до нуля. Протекание тока через нагрузку в обратном направлении станет возможным только при подходе транзистора 1 к области отсечки.Таким образом, в описываемом усилителе всегда можно создать зону, когда отсутствуют токи через нагрузку, Длительность зоны определения параметрами усилителя и длительностью фронтов входных сигналов. В результате протекание сквозных токов исключается, а надеж- . ность усилителя повышается. При правильно выбранных параметрах резисторов транзисторы усилителя будут работать в режиме отсечки или насьицения.Диоды 17 и 18 предназначены для демпфирования обратных выбросов при индуктивной нагрузке 14.В предлагаемом усилителе все напряжение источника питания приложено к нагрузке, поэтому его КПД выше, чем у известных мостовых усилителей. Транзисторы второй нары плеч находятся в облегченном режиме по сравнению с известным усилителем, что вместе с исключением протекания "сквозных" токов повышает надежность усилителя. Усилитель мошности, выполненный в виде четырехплечего моста, в котором два плеча образованы входными транзисторами с коллекторными нагрузками, а два других плеча, смежных с указанными, образованы соответственно силовым и дополнительным транзисторами, совместНа чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого 20 усилителя.Коллекторы входных силовых тран-зисторов 1 и 2 первой пары плеч соединены через резисторы 3 и 4 с базами дополнительных транзисторов 5 и 6 вто рой пары плеч.Коллекторы дополнительных транзисторов 5 и 6 подключены к базам" сажных силовых транзисторов 7 и 8 непосредственно н через резисторы 9 и 10 х коллекторам транзисторов 7 и 8 соседних плеч этой же пары. Базы дополнительных транзисторов 5 и 6 через резисторы 11 и 12 соединены З 5 с источником питания 13, а эмиттеры транзисторов 5, 6, 7 и 8 второй пары плеч подключены к источнику питания 13 непосредственно. Нагрузка 14 соединена с коллекторами силовых транзисто ров 7 и 8 второй пары "плеч непосред-ственно, через диоды 15 и 16.с коллекторами входных транзисторов 1 и 2, а через диоды 17 и 18 - с обшей шиной 19. 45Эмиттеры входных транзисторов 1 и 2 соединены с обшей шиной 1 Э. Транзисторы 5, 6, 7, 8 второй пары плеч имеют полярность, противоположную тран- зисторам 1 и 2 первой пары плеч. На 50 базы транзисторов 1 и 2 подают входные сигналы в противофазе. Например, отрицательную полуволну входного напряжения подают на базу транзистора 1, а положительную полуволну - на базе тран зистора 2. Транзисторы 1, 5, 8 в этом случае открыты а транзисторы 2, 6, 7- захрыты. Ф ормула изобретения5 746864 бно включенными в каждом плече, йричемпричем коллекторная нагрузка каждого участок эмиттер-коллектор-силового тран- из входных транзисторов плеча выполнезистора через диод, включенный в про- на в виде разисторного делителя, к сред- водящем направлении, шунтирует коллек- ней точке которого подключена база доторную нагрузку входного транзистораполнителйного транзистора из смежного смежного плеча, выводы для подключенияс ним плеча, коллектор которого через нагрузки подсоединены к соответствующим резйстор соединен с коллектором силоточкам соединения между собой диода и вого транзистора из другого плеча, в силового транзистора, а источник пита- котором коллектор дополнительного транния включен в диагонали четырехплечего "0 зистора соединен через резистор с колмоста, о т л и ч а ю щ и й с я тем, лектором другого силового транзистора, что, с целью повышения коэффициента .полезного действия и надежности ра- Источники информации,боты путем искщочения протекания "сквоз- принятые во внимание при экспертизе ных" токов, в нем противоположные 15 1, Авторское свидетельство СССР плечи выполнены на транзисторах разно-320014, кл, Н 03 Г 3/20, 1970. го типа проводимости, силовой и допол, Авторское свидетельство СССР нительный транзисторы каждого плеча340059, кл, Н 03 Г 3/20, 1970. включены по схеме с общим эмиттером (прототип). Составитель Н. Надеждинаактор Л. Волкова Техред М. Петко Корректо 3 2/50 Тираж 995ЦНИИПИ Государственногопо делам изобретений113035, Москва, Ж-ЗБ, Раущ За Подписноекомитета СССоткрытий д. 4/5 кая нв Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная