Основание растительного слоя

ОПИСАЙИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ Соьоз Советских Социалистических республнк(45, Дата опубликования описания 30.06.80 Государственный комнтет ло делам нэобретеннй н открытий(72) Авторы изобретеьия Н. В. Ошурков и В, П. Попов Ленинградский филиал Государственного проектно-изыскательского и научно-исследовательского института гражданской авиации Аэропроект(54) ОСНОВАНИЕ РАСТИТЕЛЬНОГО СЛОЯ Изобретение отцоспгся к обльСтц выращивания растений почвенным способом и может использоваться прц устройстве теплиц и парников. Кроме того, изобретение может использоваться на участках цезашцпьенного грунта.Г 1 рсимущестценно изобретение используется при устройстве парников и теплиц " почвенным обогревом В районах распро-. стране 1 Ня вечной мерзлоты.Известио основание растительного слоя в виде лотка с Водонспроницаемымц стенками, заполненного лренажным материалом, в слой которого вводится теплая дода. Дренажный слой, перекрыт водонепроницаемыьп, но топлопроволными нитями 1.Недостатком этого устройст 1 ва является переувлажцецие растительного слоя на ко 1- такте с плпта 5 и, а также непроизводцтельнь 1 е тепло:отерп в грунт через нижнюю поверхность лотка.ИВВсстно такьке ОснОВание растптел.ного слоя, включающее растительный слой, р а 3 м е ш е ц:.1 ы Й и О л и и м др е н а ьк н ы й слОЙ с обогревательными элементами ц г:11 лроизоляццонные слои (2.Дренаькный слой гилраизолирозан цо верхней и цижсней поверх:ость сгснтетической пленвсой. Дренажный слой выполнен из гравия, щебня и т. п. материала,Дренажньй с;1 ой ВН 11 полн 51 ет ро:ь Обо"грсваощего элемента, а синтетическая пленка предотврыпает утс:ьку теплоцосптсл 51 в рь 1 стцтельныц слОЙ 11 В грнт ОснОВанц 51.5 Однако то:лола эьсргця тс:лоносц гелярасходуется в оольшсй мере ца ооогрсвание грунтов, раог 11 ложенных ниже лренцрующсго слоя, так как разница температур дрсц:1 руОпего слоя и подстцгаОщпх грунтОВ 10 осгнован:я выше разницы температур растительного и дрец 1 рующцх слоев, что обу:- лсвлцваст повышенный теплоотток вниз.Кроме того, недостатком цзвествого ус 1- ройспва является невозможность дрениро ван я Влаги цз растительного слоя вниз,что вызьквает пере 11 влаькненцс,корней растений и цх загн 1 кванце.Целью изобретения явл 5 ется создьНцеравномерного по глубине растительного 20 слоя тем.1 ерагурного поля и снцжсцце теплопотсрь. Кроме того, изобретение устраняет возможность персВл 11 жнепця кс 1 энсЙ растсннЙ 25 и цх загнивание, гпозволяет стерцлизов "тьРаСтцтЕЛЬНЫй СЛОЙ ПУТЕМ ВВЕЛЕНьцЯ В ДРЕ- цажгный слой перегретого пара. Изобретение позволяет также увлажьнять расттель.цый слой и олновременцо вволить раство реп ные удоарецця путем поднятия уравьня;)(Г 3 ИО, Т(.)ЛИ: ЗОЛЯ)):151 Я ( (,1; ) ИК.)И 1 В ИОг К,:1:3 с5 151: ( 1 ,)1. 0,К.(. ,10 ИЗОГ 5110 )Ь 1 Сг)ИИ .1 И 1 3С31:) )И ) (. И 51 Ти , 1 И::1)1 Г 3 Г И:1;) с (ЛЖ(1)И)1 ГРУПГ. )СЛС:С)1)ИС ПДЛОС ГИ ТО 1 П . И Ь 1;) с 1(.И (.,1 НОГИ: .)Г ИР:И:.(5ИИ, 1 ) И И Й И . Т Г И ГИ)) 013 И с И;) (. Г И 3 3; )И).С.С . СИГТ51 (.05.с 1 Г( )Д 3,( ,(П О, 1 Г И 1 . П:Г И :3) Л 5 И.:;: ПЯ )3 Г, 1: и , 1 .(КО,ИИ)ГИ И(СК(3. И Г151 ИЛ: ,) Д Б 15.лс)Г с 1 ЖН)Й .1 ИЙ ),1 1 Д ),).5,.Ип)Р 0 .1 1351 с (0 Й 131к 01 -Г 1.10 и:5 ) Г), ): - ГНОИ Г)1;)5 ).1;1 ИИЗИГ Я 1:1;)1;1 И (., :)1Пс 1 ЯИ 5:32)5,).И.Г 1:)ИИИс(1), с Л;,БГР ( с 51 ИИ)3 1 0(т )лс)ТИ) с)Й И 1 (Гс)5Я(В 0 Ч И" Р П Л 51 П Р С И Я Ж И 0) Г Г И 51 ИСлл 2,лп Б )ЦЗОПОЛ)НО:)33 при БГГ:1: С Г;)ПИ(СТ)с), КОТОРЫЕ ООРДЗУОт БСРтИКДЛИЫ; О)- тики ВысОтОЙ ИГ .сисГ ти,ипи 1:)(.",(Яж. О СЛОЯ.ГИ М 1 Я 5 П С)150 Р, И 0 С И )115 . И ) ,1231) ЬНИИВЯГТ ТОПЛОИЗОЛ 55 И 0:НЙ СЛОИ",СРОИСГЗс) И ГР) НТЫ ЕСТГС 1 Б(ПНИ 0 ОСИОН 1, И)1 7.В;РОИЯ)г)о.с СЛОЕ РЯСНО;ИЖСИЫ Я, 0 Г -1 )о с Бо)Н О 0 О ООГР СБ Я, СОН)Ч Г И С. 1)Ь) ГТ(РЧОс)(с ОРОШСНИ 51 И ПОЛ)ПОРЯ 51 б.В ПРЕДЛс)ГЯЕ.сИ) ОСИО 5)Н)И ) ДСтп ГГЛЬНИГО СЛОЯ,БОПОПРОВИ,ДСЧОС ИОЛОт 10 ) УЖ(ГТ 51 00 СИЕЧОНИЯ ВГ)ГОНОРНОС ИЗ .Р(1 ДЖП)ОГО С 051,15,10)ВОН)ЫИ 13;ДИ;);)ИТ 15:)ДБ:С 1:)ИСТИ ОТ 3212 ЭКОП.:1 У 1 Т(1 Ц 131: )Р):ИЛИ 5 П С РЯСТСИ ИЙ СБОР. В РЯС 1)ИТСГИИ И) СГ 1 0(ЯЯДСРЖИБЯСТСЯ Е 3)сД 15 001 СС, С:)ИГ 5- (сту 5)ис) приро:ий влд и, чкис 3 рдст 1,ТЕЛЬНОГО ГРсптд ИЗГИШН 51 Я .)Лсгс) СГГК 1 Г)Г.ЗИ 1(.Г Сс)ИЙ 115 ГС 113030,.511;ИОИ.и,)го чдтс,)ид.)2, тч)и рд) уры гру:)гд (тсС Г 5(.И НИО Ис.:1 ОНЯ И И Я Г Г(Ч И(р(1 Т) 3 Г(И)1- 11: )И Т С.1 53 .50 ГОГИ:Д:3 1(12 Ж И "0 С,053 ОГ Ж:1 с 1ЬИГ 1 ИГС Л 13)3)с 1.ГТ)И: Т;ОЫ ОООГ)С:)с 1- тьог:) Ялмс: Г 3, ГончН)Гниого с тру2 )ни,)и)ин 55 и )10 пки ) ч кИЗОР Г) ГНИ Лг 51 О:,) Ь)ТОГИ ГРЧИТД л 0- 5 ) Я(т:5 кл 10)дти.1 ьки тпло изол 51 пиОН)11 Й, Москва, ЖПодписноеий и открытий ССР по делам пзобре ауп)скан наб., д 4/5пред. Патент ип. Харьк. фил И 1:1:32 Ц 5 РЗСТЕ 11111 Б КУГЬТИБЗЦИОННЬ 1. СООРЖСНИ 51 11 С 3 ЕЛИ 11 ТЬ И.; ПР 01 ЗБОЛИТСГИ ОС Ь Ц) ТС.5 СОЗ,11)и И 51 00,1 СС и 13 ГОП РИЯТН Ы., тс)иер турцо-)лкцост 5 к условий расп 1- ТС:1 ЬЦОО СГОЯ.112 зс Гка. Отк)ы 1 ОГО 1 рнтз изоо,)ст(.н и с иоз 130 Г иСоздать уело 35 я,тл 5 р 11 н ц(- 1 О )ы 1)зи 1 ивз)1 и 5 р 2 стс:1 ИЙ Осз Гри."с:сн.15 дСкусст 13 с:1 ИОГО 00 рс 32 раститсльното СЛ 051. Формула изоорстс 5 Н 51. Осно 311)ие р(сти с;1 ьио 0 с,1051, з 1,. 00. чаинцес растГтсльный слой, рззмец(синь 1 .ЦОД ЦЦЪ ЛРЕиаЖ)Ьй СГ 10 И С ОООГРС 3(ТСЛЬНЬ; - М 11 ВЛС)ЕЦТЗ)И И ГИ;1 РОИЗОЛЯЦ:30 ННЬ 1 С С,10 Ц, о т л и ч а Он(с е с я тс.1, ито, с цсгВ 10 соз зни 51 раВИО)ясрнОГО по ГлГЙ 1 не 1)зститсль 1;)ГО С)1 ОЯ Те.1 НСРЗТГГ(1 ОГО ПО,151 И С,:1 ИЖСНИ 53 Тс 1 ГОЦОТЕР 1, ИОЯ ДРСНЗЖНЬ.1 СЛОС 1 Ра:Ъ 1 С- и(с 11 1 с:1(10,изоляци 0133 ь 1 слОи, 3 ц 1 эсн 3 жный СЛОИ ЦСРСКР 11 Т С 3 СР. 30 ЛОИРОНИЦЗС)ИЬ 1 п ВОЛ:)3О 1.2. ОСИОВЗНИС Ио и. 1, 0 Т: И я 3 10 Н( (. с С я)с,ьО со:)да).Ия водо) иор; под ;1,)(Ц 1 )К Н ЬСеОС) И За И 1:1 Т 1 Си,10 И.3051 Я- цио)1 ого;:атсриала от увлажцения, тси- Г Ои:305151 ЦИОЦИЫСЛОЙ За КГ 1101 ЕЦ В ОООЛО 1 К ИЗ ИЗ)и:351 2 ГО 3 СНРОЦИЦЗЕМОй ПЛЕНКИ. 11 сто.ники информации, принятые во )ци.зцис при экспертизе:1. Л 3 торскос св)Лстельство СССР Л 110 Ь 32, кл. А 01 С) 9 24, 1957.2. Лзторскос с 3 идстесЬст 30 СССР .3 257209 кл. А 01 С( 924. 1961 (3 рототии).