Сверхвысокочастотное устройство для измерения свойств диэлектрических материалов в свободном пространстве

Номер патента: 687379

Авторы: Павленко, Пасечник, Удовенко

ZIP архив

Текст

. Павленко, В. Ф. Пасечник и В, Ф. Удовенко 1) Заявител Физико- технический институт Украинской СС их темпера. СВОЙСТВ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛ ПРОСТРАНСТВЕЯ ИЗМЕРЕН В СВОБОДН адиотехнике и моазрушающето контих покрытий, их тное (СВЧ) уст.диэлектрических анстве содержит ния 1.тройство не обесвания условий ние возмо ействия вн я. Изобретение относится к ржет быть использовано для нерроля состояния диэлектрическсвойств и параметров.Известное сверхвысокочастройство для измерения свойствматериалов в свободном простризлучатель и приемник излучеОднако известное СВЧ.успечивает возможность моделировоздействия внешних факторовЦель изобретения - обеспечти моделирования условий воздфакторов. Для этого СВЧ.устройство для измерениясвойств диэлектрических материалов в свобод.ном пространстве, содержащее излучатель и при.емник излучения, дополнительно содержит гер.метичную камеру с радиопроэрачными входными выходным окнами, в которой размещен ис.следуемый образеп, при этом окна в камеревыполнены в виде фокусирующих элементов из.лучателя и приемника излучени На фиг. 1 изображена конструктивная схемапредлагаемого устройства; на фиг, 2 - диаграм.ма, поясняющая его работу.Устройство содержит герметичную камеру 1,в которой размещен исследуемый образец 2. Внекамеры расположены излучатель, состоящий изгенератора 3, соединенного с передающей антен.ной 4, и фокусирующего элемента 5, а такжеприемник излучения, состоящий из измеритель.ной аппаратуры 6, подключенной к приемной антенне 7, установленной с возможностью осевоговращения, и фокусирующего элемента 8. Фоку.сирующие элементы 5 и 8 - линзы из диэлектрика - являются окнами герметичной камеры 1.На выходе антенны 4 и выходе антенны 7 непосредственно перед линзами размещены поля.ризаторы (на чертеже не показаны), выполнен.ные в виде проволочной решетки,Устройство работает следующим образом.Сигнал с генератора 3 подается в антенну 4,которая излучает электромагнитную волну, про.ходящую через установленный на выходе антен.ны 4 поляризатор. Далее лннейно-поляризаван.ная волна фокусируется элементом 5. ИсследуФормула изобретения 3 68 емый образец 2 облучается при угле падения 45 волной, поляризованной под утлом 45 к плоскости падения. Волна, отраженная образцом 2, получает эллиптическую поляризацию, форма и ориентация которой полностью зави. сят от электромагнитных свойств отражающей среды, Отраженная волна принимается антенной 7. Вращая антенну 7, измеряют максимальную а и Ь амплитуды отраженного сигнала, Эти амплитуды соответствуют большой и малой осям эллипса (см, фиг, 2) . Для определения ориентации эллипса по отношению к выбранной системе ко. ординат измеряют угол р, заключенный между большой осью эллипса и горизонтальной осью выбранной системы координат.Использование диэлектрических линз позво. ляет производить измерение комплексной диэлектрической проницаемости в широком диапазоне (е 2 - 500, тяб 0,001 - 0,5) на образцах различных геометрических форм - от пленочных до массивных. Линзы являются в то же время и уплотни. телями, обеспечивающими надежную изоляцию передающих н приемных элементов устройства от факторов, воздействующих на образец, Это 7379 4позволяет производить оценку диэлектрическойпроницаемости в контролируемых газовых сре.дах с различной степенью разрежения до 1 О тторр, в широком интервале температур от - 120 Сдо + 120 С в процессе воздействия на образецэлектромагнитных полей. 10Сверхвысокочастотное устройство для изме.рения свойств диэлектрических материалов всвободном пространстве, содержащее излучательи приемник излучения, о т л и ч а ю щ е е с я15 тем, что, с целью обеспечения возможности моделирования условий воздействия внешних факторов, оно дополнительно содержит герметич.ную камеру с радиопрозрачными входным и выходным окнами, в которой размещен исследу.20 емый образец, при этом окна в камере выполнены в виде фокусирующих элементов излуча.геля и приемника излучения.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Авторское свидетельство СССР йе 281569,кл. 6 01 й 27/26, 1969 (нрототнп).687379 Составитель И. ШамонннаТех ред Э.Фанта Корректор Н. Стец Редактор Н, Хлудова Заказ 5570/41 Тираж 1090 Подписное ИНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Смотреть

Заявка

2530287, 24.06.1977

ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУР АН УКРАИНСКОЙ ССР

ПАВЛЕНКО ЮРИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ПАСЕЧНИК ВАСИЛИЙ ФЕДОРОВИЧ, УДОВЕНКО ВЛАДИМИР ФЕДОРОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G01N 23/24

Метки: диэлектрических, пространстве, сверхвысокочастотное, свободном, свойств

Опубликовано: 25.09.1979

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-687379-sverkhvysokochastotnoe-ustrojjstvo-dlya-izmereniya-svojjstv-diehlektricheskikh-materialov-v-svobodnom-prostranstve.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Сверхвысокочастотное устройство для измерения свойств диэлектрических материалов в свободном пространстве</a>

Похожие патенты