Способ получения сшитого полиметилметакрилата

СОЮЗ СОВЕТСКИХсаиепмкснияРЕСПУБЛИК 80,683207 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯй АВТОБУСНОМУ СЗИДИВЪСТВУ ЩСУДДРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(54) (57) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СШИТОГОПОЛИМЕТИЛИЕТАКРИЛАТА под действиемУФ-облучения в присутствии добавки,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью повышения Физико-механических и оптических свойств, УФ-облучение проводят в присутствии 0,82,5 вес,Х тетраметил-и-фенилендиамина или 3-10 вес.Х бензоФенона., 6832Изобретение относится к областиполучения полиметилметакрилата сулучшенными рабочими характеристиками и может найти применение дляповышения эксплуатационных свойствполимера, широко используемого вавиастроении и других отраслях народногохозяйства.Известен .способ получения сшитого полиметилметакрилата под действием ионизирующего облучения в атмосфере этилена при 20-200 С под давлением Ъ 40 атм Я .Известен способ получения материалов с оптическими свойствамина основе акрилатов, заключающийсяв том, что в мономер перед полимеризацией вводят вещества, способныепоглощать Уф-лучи, и смесь подвергают Уф-облучению. В результате этого способа в массе полимера образуется множество мельчайших пор 2,Ближайшим техническим решением кпредлагаемому является способ получения сшитого полиметилметакрилата(ПМИА) под действием УФ-облученияв присутствии добавок: 2-метилантрахинона или 2-хпорантрахинона 3 .Полученные по данному способуматериалы обладают недостаточновысокими оптическимисвойствами.30Цель изобретения - повышение физико-механических и оптическихсвойств полиметилметакрилата,Цель достигается тем, что Уф-об-.лучение проводят в присутствии0,8-2,5 вес.% тетраметил-и-фенилендиамина (ТМФД) или 3-10% бензофенона (БФ).П р и м е р 1. В полимер ПММАвводят 0,8 вес.% ТИФД. После облучения полимера с добавкой в течение6 ч ксеноновой лампой типа ДКсР-ЗОООпри потоке энергии излучения в об 2ласти 200-400 нм порядка ЗООО Дж/смсодержание гель-Фракции - 63%. 45П р и м е р 2. В ПММА вводят3 вес.% Бф. После облучения с добавкой в течение 2 ч ксеноновой лампойтипа ДКсРпри потоке энергии. излучения и области 200-400 нм поряд ка 3000 Дж/см содержание гель-фракции - 75%.П р и м е р 3. В ПИМА вводят1 О вес.% БФ. После облучения полимера с добавкой в течение 2 ч ксеноновой лампой типа ДКсРпри потокеэнергии излучения 3300 Дж/см содержание гель-Фракции 68%.Т а б л и ц а 1 ПММА+2,5% ПММА+10%нмТМФД БФ 233 0 238 1,1 244 9,5 250 24,7 257 33,8 0 0 0 О 0 0 0 0 07 3П р и м е р 4. В ПИМА вводят 0,8 вес.% ТМФД. После облучения полимера с добавкой в течение 2 ч ксеноновой лампой типа ДКсРпри потоке энергии 3300 Дж/см содержание гель-фракции 17%.Образующаяся пространственная сетка в полиметилметакрилате поеле Уф-облучения приводит к изменению прочности на разрыв и пропускания в Уф-области спектра таких материалов.Спектральные коэффициенты пропускания пленок ПММА с добавками после 6 ч Уф-облучения, представлены в табл. 1.Изменение прочности на разрыв ПММА с различными добавками в зависимости от времени ультрафиолетового облучения представлено в табл. 2.Из табл. 1 видно, что Уф-облучение ПММА без добавок приводит к уменьшению прочности этого материала на 30%. Если Уф-облучению подвергать ПММА с добавками ТМФД и Бф, прочность этих материалов заметноЧ увеличивается с увеличением времени Уф-облучения.Из табл. 2 можно заметить, что ПММА с добавками ТМФД или БФ после Уф-облучения заметно уменьшает свое пропускание в Уф-области спектра (например на длине волны 303 нм с 64% до нуля).На основании полученных резуль татов можно сделать вывод, что сшивание полиметилметакрилата с добавками ТМФД или БФ под воздействием Уф-облучения в отсутствии кислорода заметно улучшает некоторые эксплуатационные характеристики этого материала, который нередко используют в качестве защитных сте" кол в различных отраслях техники(в том числе и таких отраслях, где приходится бороться с излишним пропусканием ПММА в УФ-области спектра).+7,25вес.7 БФ 2 32 Редактор Л. Письман Техред Т,Фанта Корректор В ка ПодписноССР 263 40,8 270 47,0 277 51,7 285 56,8 294 60,5 660/1 Тираж 475 ВНИИПИ Государственного комитета С по делам изобретений и открытий 3035, Москва, -35, Раушская наб., д. 4/5