Струйный датчик отношения давлений

Номер патента: 594603

Опубликовано: 25.02.1978

Автор: Эльгард

МПК: H04R 29/00

Метки: воздействии, гидростатического, давления, преобразователей, чувствительности, электроакустических

...положение и фиксируют его в этом положении. При этом внутренняя полость гидроцилиндра 4 освобождена от жидкости и воздуха. Для измерения открывают вентиль Э. Жидкость иэ испытательной камеры устремляется и гидроцилиндр 4 и заполняет его, что приводит к сбросу давления в испытательной камере. Одновременно производят измерение возникающего в испытуемом электроакустическом преобразователе 7 электрического заряда измерителем 8 электрического заряда.Чувствительность приемника определяют по формулеоспЙ ач,одР чт кгде О, - измеренный электрический заряд,лг- емкость приемника, Ф;ЬР - величина сброса давления, П;Чп- объем испытуемой камеры;К - объем гидроцилиндра;Вт - модуль объемной упругости жидкости, П.ЗООбъем гидроцилиндра 4 должен...

Номер патента: 1179116

Опубликовано: 15.09.1985

Автор: Лобанов

МПК: G01L 7/04

Метки: давления, датчик, датчика, формообразования, чувствительного, элемента

...оборудованию для производства чувствительных элементов,Целью изобретения является повы.шение точности измерения и получениезаданной формы из колпачкового чувствительного элемента.На фиг. 1 показан датчик давления(в двух проекциях); на фиг. 2 - уст Оройство для формообразования чувствительного элемента (в двух проекциях),Рабочая профилированная частьчувствительного элемента 1 посередине имеет овальное .поперечное сечение 15А. К дну В и основанию С это сече ние переходит в цилиндрическое. Тензорезисторы 2 наклеены симметрично1 на профилированной части поверхности.Устройство для формообразованиячувствительного элемента состоит изоправки 3 с глухим отверстием для установки и фиксации чувствительногоэлемента 1 между...

Номер патента: 679173

Опубликовано: 05.08.1979

Автор: Митчел

МПК: H05B 41/30

Метки: высокого, газоразрядной, давления, лампы, питания

...лампы, чего цсьзя скад;ь Об имц 1.ь 1 ОЙ работе лампы от обьццо 1 сети цсрсмсццо;тц. ка, т.с. Иа частоте 601 ц. 1 циишый сцскт 1 дл- цы показана из фиг. 4, Кзк ви:цО, црл 1 с крь- ло спектра мало Отличзстся От сцсктрд Об,Ио 1 лампы 1 работзюшс Из частоте 60 Гц), показанного на фиг. 2. Осцовис 1111 цс этих спектрв состоит в увеличении интенсивности излучения (фиг, 4) натрисвых линий в голубой части сцскт. ра, т.е, линий с длиной Воцнь 44 Й, 467, 498 и 568 нм, а также в наличиццс цзблюдзвшсгося ранее сплошного участка спектра, цзчлшая от синего конца видилОЙ части спектра вплоть до 450 нм. В лампах, содсржзших ртуть, появляются улучцзюцтис цвет ртутные линии 404, 436, 546 нм, Такос увсличсцие интенсивности излучс. ния в голубой и...

Номер патента: 746218

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Воробьев, Заседателев, Лепин, Яковлев

МПК: G01L 9/04

Метки: давлений, датчиков, зависимости, интегральных, компенсации, малых, механической, температурной, чувствительности

...(алюминиевые) выводы 5, кремниевую пластину- заготовку б.В качестве исходной пластины-заготовки б используется монокристаллический кремний марки КЭФтолщиной 250 мкм, ориентированный в плоскости (100), Термическим окислениемопри 1200 С образуется слой двуокиси кремния толщиной 0,72 мкм, который используется н качестве маскирующего слоя на операциях формирования тензочувствительных элементон 4 (дийфузионые тензорезисторы р-типа с поверхностным сопротивлением 200 ом/и иглубиной диФфузии 1,8 мкм) и алюминиевых вынодов 5. Тонкие квадратныекремниевые мембраны 1 формируютсяпутем анизотропного травления пластины-заготовки б н кипящем гидразинеГидрате Ид НН 0 марки ЧДА, причемстороны мембрай ориентированы покристаллографическим...

Номер патента: 1408262

Опубликовано: 07.07.1988

Автор: Козеев

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, питания, раздельными, тензопреобразователь, цепями

...на монокристаллиой мембране пластину тензопреоб вателя 1 с ранномерно расположи Т-образными выемками раздеи пластину ня ряд отдельных тков 3, число которых ныбираетс еделах от 10 до 1000Оптимальное отношение длины 1 обазованных участков тензоэлемента кине Ь составляет 1 ; 100. Оставшаяся часть 4 полупроводниковой пластины вдоль средней линии тензочувствительного элемента в результате, например, химического вытравливания выемок составляет толщину 0,1-0,5 1 длины участков 3, Причем эти участки для оптимизации параметров за счет понижения сопротивления и ис- ключения шунтирующего влияния могут быть металлизиронаны или дополнительно легиронаны. Участки 5 полупроводниковой пластины на концах отдельных тензочувствительных элементов...