Алплитудный дискриминатор

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(61) Дополнительное к авт. саид-ву Союз Советских Социалистичесних Республин(23) Приорите атАврвтввяяы 1 яоюятвт оавтя Мяяяатрвв 66 яр о яалаеа яаоорвтвяяя я втярытяя(0888) б) Дата опубликования описания 26,12.7 Авторыизобретени А.И. Жернов и ронки( 5 4) АМПЛИТ СКРИМИНАТО ай со 6 пр гоИзобретение относится к амплитудным дискриминаторам и может быть использовано в схемах ядерного приборостроения,Известен амплитудный дискримин тор, содержащий входной и выходно транзисторы, делитель напряжения источника питания и времязадающий конденсатор 11.Однако в известном дискриминаторе термостабильность порога срабатывания и собственно порог имеют такую функциональную взаимосвязь, что повышение стабильности порога невозможно без его увеличения. Это обусловлено значительной температурной зависимостью параметров дискриминирующего элемента-диода и непосредственно соединенного с ним выходного транзистора: начального тока (в отсутствие входного сигнала) и дифференциального сопротивления диода, открытого в исходном состоянии.,Цель изобретения -повышение чувствительности и термостабильности.С этой целью в амплитудный дискриминатор, содержащий входной и выходной транзисторы и времяэадающий конденсатор, причем база входного тоанзистора соединена с делителем напряжения источника питания, а коллектор - с одним иэ выводов времяэадающего конденсатора, введены дополнительный транзистор и дискриминирующий6 элемент, включенный между эмиттерами входного и выходного транзисторов,причем база дополнительного транзистора соединена с коллектором входного транзистора через времязадающий 10 конденсатор и с делителем напряженияисточника питания, эмиттер его соеди.нен с базой выходного транзистора, аколлектор дополнительного транзистораединен с выводом источника питания,и этом в качестве дискриминирующеэлемента используется транзистор.На чертеже представлена принципиальная схема амплитудного дискриминатора.30 Амплитудный дискриминатор содержит выполненный на резисторах 1, 2й Заделитель напряжения источникапитания 4, резисторы 5 и 6, входнойтранзистор 7, времязадающий конден сатор 8, дискриминирующий элементтранзистор 9, дополнительный транзистор 10 и выходной транзистор 11.В исходном состоянии рабочие точки транзисторов 7, 10 и 11 находят- вО ся в активной области коллекторныххарактеристик, напряжение на транзисторе 9, включенном в диодном рв" жиме и выполняющем функцию дискриминирующего элемента, меньше критического значения (транзистор 9 прак" тически закрыт) .При поступлении на вход схемы им пульса положительной полярности увеличивается потенциал эмиттера входного транзистора 7, уменьшается потенциал эмиттвра выходного транзистора 11 и растет напряжение на транзисторе 9. Дифференциальное сопротивление транзистора 9 падает. При некотором Значении входного сигнала дифференциальное сопротивление и напряжение на транзисторе 9 становятся равными критическим значениям, в схеме возникает регенеративный процесс, т.в. дискрИминатор срабатывает, При этом транзистор 7 оказывается насыщенным, а транзисторы 10 и 11 закрытыми. На выходе схемы формируется импульс тока положительной полярности с амплитудой, равной величине коллекторного тока транзистора 11 в ис ходном состоянии.В дискриминаторе критическое сопротивление г рЯ ( Р - величина сопротивления перемвйному току, подключенного к коллектору вход ного транэистора 7 и определяемого параллельным соединением резисторов 1, 2 и 5), Так как исходное состояние транэистора 9 задается путем подачи начального напряжения, то суммой 36 напряжений на баэо-эмиттерных переходах 1(э эк 0 я 9 выем 1 118 9 акоп входного 7, выходного 11, дополнитель ного 10 транзисторов и на резисторе 2 можно представить выражение псро- р га срабатывания У, в виде зависимости по параметру напряжения"1 ,д" (1 и,пгкд,фд,ф)где Е - величина напряжения источника питания 4Ч Я Я % - величины резисторов соф2 Дответственно 2, 1, 3, буМ - критическое значение на 5-э кпряжения йа базо-эмиттерном переходетранзистора 9, соответствующее протеканию через него критическоготока кр я , здес (р - температурный потенциал при температуре т СПогрешность определения величины порога по упрощенному соотношению, не содержащему найяжений 0 в случае однотипных транзисторов не превышает 10. 66 Приращение порога при изменении температуры на а градусов равно аС-ьС".1.М (Рф к а ЛС, -Ед,-ЕрРйзличяе температурных коэффицивнтойЗ х С в ГАоп 1 С Зиад напряжений база-эмиттерных переходов тран" эисторов 7, 11, 10, 9 в случае их однотипности (а значит, и малого раэ" броса .оэффициентов относительно среднего значения С ) определяется различием режима при работе в схеме дискриминатора. устанавливая коллекторные токи транзисторов 7 и 11 соизмеримыми и коллекторный ток транзистора 10 соизмеримым с величиной критического тока, протекающего через транзистор 9 при пороговом сигнале на входе схемы, получим дС -ЬЗ )сС Таким образом, в дискриминаторе, работающем в диапазоне температур, влияние параметров дискриминирующего элемента и транзисторов на стабильность порога значительно уменьшае-,ся. Причем повышенная термостабильность порога достигается без его увеличения. Особенно высокая стабильность порога может быть получена при построении дискриминатора на интегральных микросхемах, у которых технологичес" ки обеспечивается малое различие тем" пературных коэффициентов напряжений У относительно среднего значениями.8;эВведение э дискриминатор дополнительного транзистора 10 и транзистора 9 с характеристиками базо-змиттерного перехода, идентичными дополнительному, позволяет повысить чувствительность дискриминатора, сохранив высокую термостабильность порога в широком диапазоне температур. В результате становится возможным уменьшить усилие предшествующего дискриминатору усилительного тракта и исключить лишние каскады усиления. При этом улучшаются весо-габаритные характеристики и уменьшается мощность при" бора, содержащего предлагаемый дискриминатор.Формула изобретения1. Амплитудный дискриминатор, содержащий входной и выходной транзисторы, времязадающий конденсатор, причем база входного транзистора соединена с делителем напряжения источника литания, а коллектор - с одним из выводов времяэадающего конденсатора, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что с585596 Сост ави т ел Техред Н.А Б.Бугроврейчук рректор С.Ямалов актор О,Стенин 62/45 Тираж 1065 ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и 113035, Москва, Ж, РаушписноСССР вета Министткрытийг д филиал ППП Патент, г. ужгород, ул. Проектная, 4 Мелью повыаения чувствительности итермостабильности, в него введеныдополнительно транзистор н дискрнминирующий элемент, включенный междуэмиттерами входного и выходного транзисторов, причем база дополнительноготранзистора соединена с коллекторомвходного транзистора через времяэадающий конденсатор и с делителем напряжения источника питания, эмнттерего соединен с базой выходного транзистора, а коллектор дополнительноготранзистора соединен с выводом источ"ника питания.2. Дискриминатор по и. 1, о т л нч а в щ н й с я тем, что в качестведнскрнминирукяяего элемента используется транзистор,Источники информации, принятые эовнимание при экспертизе1.йцс 0 ею С 1 ес 4 т опсб, Ю 3,10 1962, 167