Способ изготовления интегральной магнитной головки

Сова Сенатских Социалистических Республик61) Дополнительное к авт 5) М, Кл,- 6 11 В 3392/1 22) Заявлено 15.03.7 с присоединением аяв сударстеенный комитет(43) Опубликовано 15 Совета Министров СС по делам иаобретени 3) УДК 534,852.2) Дата опубликован сания 01.11,77 я о. Тихонов, И илатов Заявитель ТЕГРАЛЪНОЙ НИЯ И ГОЛОВИзобретение относится к области приборостроения и может быть применено при изготовлении интегральных магнитных голодовок,используемых в аппаратуре магнитной записи.5Известен способ выполнения интегральноймагнитной голоаки, когда большинство ееэлементов наносится методом осаждения материала через маску определенной конфигурации 1. Наличие составной маски усложняет технологию создания интегральных головок и требует от операторов высокой квалификации.Известен также способ изготовления интегральной магнитной головки, по которомуприменяют смешанный процесс изготовленияотдельных ее элементов 2.Однако этот способ неудобен тем, что необходима высокая чистота наносимых материалов, иначе головка не будет пригодна к эксплуатации,Наиболее близок по своему техническомурешению к данному изобретению способ изготовления интегральной магнитной головки3, основанный на нанесении на жесткую 25лиэлектрическую подложку магнитопровода,обмоток, изолирующих слоев, формированиирабочего зазоракреплении второй жесткойдиэлектрической подложки и притирки рабочего зазора. В этом способе соединены досто- З 0 Б, Халецкий и Т. Е. Хамаева инства двух предыдущих способов, но и он не позволяет иметь достаточно простую технологию изготовления магнитной головки и достаточно высокую надежность ее,в эксплуатации.Целью изобретения является упрощение технологии изготовления головки и увеличение надежности ее в эксплуатации.Такая, цель достигнута тем, что на подложку наносят слой вентильного металла, создают в нем селективным анодированием с последующим травлением окисла углубления, анодируют поверхность полученных углублений, заполняют их магнитным материалом, формируют нижние полувитки обмотки путем анодирования металла до подложки и в окисном слое, вскрывают контактные площадки.Способ поясняется чертежами (на фпг.1 - 15 показана очередность операций).На подложку 1 наносят пленку 2 вентпльного металла (фиг, 1). Эту пленку под,вергают селективному анодированию на глубину, равную толщине магнитопровода в канавках 3. Путем травления пленки получают углубления 4 (фиг. 3 и 4). После этого анодируют всю поверхность, формируя пленку 5 (фиг. 5), которая служит надежной изоляцией между обмоткой 6 и магнитопроводом 7 (фиг. 6, 7 и 9), Но перед этим в местс замыкания обмотки окисную пленку удаляют, например, путем осаждения пленки 8 цинка(фиг. 8 и 10), На магнитопровод наносят слой (пленку) диэлектрика 9 (фиг, 10 - 13), по которому формируют металлическую пленку 10 (фиг. 13 и 14), замыкающую витки обмотки над магнитопроводом. Затем наносят защитную подложку 11 (фиг. 15). Рабочий зазор формируется с помощью пленки диэлектрика 9, расположенной между нижним участком и верхним участком магнитопровода 7.Технология изготовления интегральной магнитной головки намного проще и надежность ее выше эксплуатационных данных, что создает положительный экономический эффект. Формула изобретенияСпособ изготовления интегральной магнитной головки, основанный на нанесении на жесткую диэлектрическую подложку магнитопровода, обмоток, изолирующих слоев, формировании рабочего зазора, креплении второй жесткой диэлектрической подложки, притирки рабочего зазора, отл ич а ю щи йс я тем, что, с целью упрощения технологии изготовления- головки и увеличения надежности ее в эксплуатации, на подложку наносят слой вентильного металла, создают в нем сслектнвным анодированием с последующим травлением углубления, анодируют поверхность полученных утлубле ний, заполняют их магнитным материалом,формируют нижние полувитки обмотки путем анодирования металла до подложки и в окисном слое вскрывают контактные площадками.Источники информации,принятые,во внимание при экспертизе 1. Патент США3344237, кл. 179 - 100.2,опублик. в 1969 г. 2. Авторское свидетельство440692, кл. 20 6 11 В 5/42, 1972. 3. Патент США3549825, кл. 179 - 100.2,опублик.в 1970 г.580577 фиг. В7 В авитель Г. Сотников дактор В. Смирягина Техред Н, Рыбкина Подпис Тираж 138ета Совета Министров ССений и открытийРаушская наб., д, 4/5 аказ 279 шография, пр, Сапунова Изд,900 ПО Государственного коми по делам изобр 113035, Москва, Ж