Мембрана для обратного осмоса
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК ПА 1 ЕНУУ Союз СоавтскннСоцналнстннвскннРвслублнк) 17 Государственный комитет Совета й 1 нннстроа СССР оо долам изобретений н открытий(45) Дата опублик з) Франци 5.0.77. бюллетеньванин описания 1.08.77 ДК1,327 (088.8 2) Авторы изобретени ИностранцыНиколас и Дик Ришар (4 занция) Иностранная фирманс Насьональ де Валориэасьон де ля 71) Заявит ш( фильного пол образующего относится к полупляющим выделиттворов веществесом, например весом,На фиг, 1 и 2 представлены варианты мембраны для обратного осмоса.Мембрана имеет пористую опору 1 толщиной 100 - 200 мк, подслой 2 и поверхностный слой 3, Толщина подслоя 2 и его пористость больше, чем те же параметры поверхностного слоя 3.Весь слой, состоящий из поверхностного слоя 3 и подслоя 2, имеет монотонно изменяющуюся степень структурирования.На фиг. 1 показана мембрана, в которой плот. ность и степень структурирования подслоя 2 больше плотности и степени структурирования поверхностного слоя 3; на фиг, 2 - мембрана с обратными соотношениями указанных параметров.Мембрана для обратного осмоса в паровой фазе может быть получена следующим образом,На микропористую опору (например фильтр "М 111 гроге") наносят селективный слой, получен. ный в результате реакции диизоцианата тоивиниловым спиртом, таким образом, а в контакте с опорой (фиг. 1) его наиболее плотная поверхность, илн таким образом, чтобы э хлористого5 ембраны для обратного из пленкообразующего м тилцеллюлозы 111,121,свлуатационныекачествовлены ограниченным сро гидролиэом ацетилцелл временем коэффици осмоатер ки с юлозь ента отталки рана для обратного осмоса бразующего материала и 5 целью улучшения эксплусодержиг пористую опору, ой из пленкообразующего тй с монотонно изменяюирования От Однои поверх 20 тоящий из поверхностного на которого и пористость остного слоя, Поверхность ся с опорой, выполнена Предлагаемая мембсодержит слой пленкооотличается тем, что, сатацнонных качеств онана которой размещен слматериала, выполненньщейся степенью структурности до другой и сосслоя и подслоя толщибольше, чем у поверхнподслоя, соприкасающаястРУктУРированной. Опора луилена с чтобыпол был вьпюлнена и 25 Изобретениемембранам, позиз водных рмолекулярнымнатрия, сахарозыИзвестны мсодержащие слойнапример ацеНизкие экмембран обуслбы, вызваннымуменьшением сования,ера, а слой н подслой - иэ пленко. лимера с высоким молекулярнымбыла в контакте с опорой (фиг,2) его наименее плотная поверхность,Поверхность, находящаяся в непосредственном контакте с веществом для образования сетчатой структуры (диизоцнанат толуилена) во время обра. ботки, наиболее плотной поверхности пленки. Сте. пень ее стуктурирования выше, чем у внутренних слоев пленки, получающих лишь молекулыди. изоцианата, которые смогли распространиться до них.Диффузия молекул диизоцианата можетосуществляться при постепенно снижающихся кон. центрациях лишь до толщины пленки, в 1 мк, которая зависит-. от условиь обработки; Выше этой предельной толщины поливиниловый спирт не может быть структурированным и растворяется во время термической обработки в горячей воде.После обработки в горячей воде остается лишь пленка толщиной 1 мк, которая образует селективный слой. Подслой содержит меньше уретаповых групп и больше поливинилового спирта, чем поверхностный слой, находящийся в непосредствен ном контакте с веществом для образования сетчатой структуры во время обработки для структурирования, поэтому подслой более гидрофилен, чем поверхностный слой.Разница в структуре между двумя поверхностя.ми пленки была выявлена следующим образом.При увлажнении пленка стремится свернуться, при этом нижняя поверхность соответствует той, ко 1 о.рая подвергалась действию диизоцианата толуилена,Анализ методом ЕЗСА (вариант модель 11 ф 1 ЕЕ15) двух поверхностей пленки позволяет определи 1 ь отношение между 2 и 3 количества атомов азота, закрепленных на поверхности, подвергнутой действию диизоцианата, к количеству атомов азота, закрепленных на противолежащей поверхности, Формула изобретения 1, Мембрана для обратного осмоса, содержащая слой из пленкообразующего материала, о т л и ч а. ю щ а я с я тем, что, с целью улучшения эксплуата ционных качеств она содержит пористую опору, на которой размещен слой иэ пленкообразующего материала, выполненный с монотонно изменяющей. ся степенью структурирования от одной поверхности до другой и состоящий иэ поверхностного слоя и подслоя, толщина которого и пористость больше, чем у поверхностного слоя.2, Мембрана по п.1, отличающаяся тем, что поверхность подслоя, соприкасающаяся с опо рой, выполнена структурированной,3. Мембрана по п,1, отличающаяся тем, что опора выполнена из гидрофильного полимера.4. Мембрана пс,п.1, отличающаяся тем, что слой и подслой выполнены из пленкообразующего полимера с высоким молекулярным весом.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе.1, Патент США У 3133132, кл. В 01 О 13/04, 1972.2. Патент США Иф 3133137, кл, В 01 О 13 Щ 1972. 15 25 30 35 Полученная таобразом мембрана позволяет изменять химиц ский состав фильтрующего слоя так, чтобы наилучшим образом приспособить его к селективной фильтрапии, срок службы мембраны 5 продлен за счет улучшения химической устойчивости (ацетат целлюлозы медленно гидролиэуется при использовании его в обратном осмосе), а ее устойчивость к действию микроорганизмов повышена,576015 Составитель О. ГудковаТехред А. Демьянова Корректор А. Власенко Редактор Л, Утехина Заказ 2733/47 Тираж 947 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открьпий113035,Москва,Ж, Раушская наб.,д. 4/5Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,4
СмотретьЗаявка
1643567, 17.04.1971
ЛУИ НИКОЛАС, ДИК РИШАР
МПК / Метки
МПК: B01D 13/04
Метки: мембрана, обратного, осмоса
Опубликовано: 05.10.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-576015-membrana-dlya-obratnogo-osmosa.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Мембрана для обратного осмоса</a>
Предыдущий патент: Устройство для подъема и перемещения больных
Следующий патент: Фильтрующее устройство
Случайный патент: Устройство для организации мультиветвления процессов в электронной вычислительной машине