Проекционная система

пц 54024 Союз Советских Социалистических РеслуИик(23) ПриоритетОпубликовано 25.12.76, Бюллетень47 сударственныи комитеовета Министров СССР 3) УДК 771.351.6(72) Автор 4) ПРО ОННАЯ СИСТЕМ 2 ин другому. Однако вов усложняет проичивает расстояние ажением, для уменья излом оптической еля навстречу одединение объектую систему, увелредметом и изоброторого требуетс полу- ниче- елен- екци- обноИзобретение относится к оптике, а именно к проекционным оптическим системам, применяемым, в частности, в устройствах проекционной фотолитографии при производстве микроэлектронных схем.Известны устройства, в которых осуществляется одновременный перенос изображений всех элементов фотошаблона на полупроводниковую пластину с помощью проекционных оптических систем, обладающих весьма высоким разрешением на больших полях 11.Однако вследствие неплоскостности проводниковых пластин возникают огра ния данного метода, связанные с опред ной зависимостью глубины резкости про онных систем от их разрешающей снос сти.Известны объективы фотоповторителей, работающих с автоматической подфокусировкой для снижения влияния неплоскостности рабочих поверхностей, покрытых светочувствительным слоем 2.Однако в таких устройствах при одновременном движении фотошаблона и полупроводниковой пластины в процессе экспонирования небходимо строгое соблюдение масштаба, что становится возможным только при увеличении изображения проекционной системы, равном единице, Это требование выполняется при включении двух одинаковых объективов фотоповториттакое со иекционнмежду и5 щения коси.Известны также объективы типа Авангард, обладающие достаточной глубиной резкости на больших полях 3.10 Недостатком устройств такого типа является сравнительно малая разрешающая способность и, как следствие этого, невозможность получения интегральных схем с размерами элементов порядка 1 - 2 мк.15 Наиболее близким техническим решением кизобретению является проекционная система установки совмещения и экспонирования, не содержащая преломляющих поверхностей 4.Проекционная система установки состоит из 20 двух сферических зеркал и призменного блока с отражающими поверхностями. На светочувствительный слой с помощью призменного блока и двух сферических зеркал проецируется в однократном масштабе изображение ча сти фотошаблона. Полностью изображение насветочувствительном слое формируется в процессе совместного движения фотошаблона и полупроводниковой пластины с нанесенным на ее рабочей поверхности светочувствительным 30 слоемНедостатком устройства такого типа является низкая производительность вследствие малой ширины зоны единовременной засветки, невозможность применения автоматической фокусировки,Цель изобретения - уменьшение аберраций и увеличение мгновенного поля изображения.Указанная цель достигается тем, что проекционная система, содержащая зеркальный объектив, состоящий, по крайней мере, из двух зеркал, и полевую диафрагму, снабжена дополнительным зеркальным объективом, установленным симметрично основному объективу относительно плоскости полевой диафрагмы, при этом центр полевой диафрагмы равно- удален от оптических осей основного и дополнительного объективов.На чертеже изображена оптическая схема предлагаемого устройства,Система содержит металло-стеклянный фотошаблон 1 с нанесенным на его рабочей поверхности рисунком требуемых конфигураций и размеров, плоское зеркало 2, объектив 3 из вогнутого 4 и выпуклого 5 зеркал, полевую диафрагму 6, плоскость которой совпадает с плоскостью изображения объектива 3, объектив 7 из вогнутого зеркала 8, выпуклого зеркала 9, плоское зеркало 10, полупроводниковую пластину 11.Изображение части фотошаблона 1 формируется объективом 3 проекционной оптической системы после четырехкратного отражения в плоскости полевой диафрагмы 6.С плоскостью полевой диафрагмы совпадает также плоскость предмета объектива 7 проекционной оптической системы, установленного симметрично объективу 3 относительно плоскости полевой диафрагмы 6 и смещенного параллельно ему, причем центр полевой диафрагмы расположен на равноотстоящих от оптических осей объективов 3 и 7 расстояниЬях 6 равных б = где Ь - расстояние ме( )жду оптическими осями объективов.Это изображение переносится объективом 7 проекционной оптической системы через вогнутое зеркало 8, выпуклое зеркало 9 и плоское зеркало 10 на полупроводниковую пластину 11, покрытую светочувствительным слоем.Изображение всего фотошаблона в однократ ном масштабе формируется в процессе совместного движения фотошаблона и полупроводниковой пластины.Указанная конструкция проекционной системы позволяет увеличить поле изображения за 10 счет компенсации аберраций, вызванной параллельным смещением одного из объективов проекционной системы относительно другого.Это ведет к увеличению производительности установки, Кроме того, упрощается конструк ция всей системы в целом, достигается возможность получения рисунка фотошаблона на полупроводниковой пластине в однократном масштабе без оборачивания, Становится возможным применение автоматической подфоку сировки. Формула изобретенияПроекционная система, содержащая зеркальный объектив, состоящий, по крайней мере, из двух зеркал, и полевую диафрагму, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью уменьшения аберраций и увеличения поля изображения, она снабжена дополнительным зеркальным объективом, установленным симметрично основному объективу относительно плоскости полевой диафрагмы, при этом центр полевой диафрагмы равноудален от оптических осей основного и дополнительного объективов.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1. Информационный листок фирмы Ор 1 опФРГ Вез 1 е 11 Хг. 107735 (36)2. Авторское свидетельство СССР Мо 254815, 40 М, Клб 02 В 11/34, 26,04,683. Авторское свидетельство СССР Мо 439778,М, Кл. б 02 В 17/08, 05.10.70.4. Установка типа М 1 сга 11 дп 100 фирмыРегЫп - Е 1 гпег Согр. журнал Бо 1 Ы 51 а 1 е 4 Тесйпо 1 оду Лцпе 1974, р - р 50 - 53 (прототип).540241 Составитель М, ЛебедевРедактор Т. Иванова Техред Л, Гладкова Корректор Т. Добровольска аказ 3089/13ЦНИИП ипография, пр, Сапунова. о Изд.384Государственно по делам из113035, Москва,Тираж 654 Подписноекомитета Совета Министров СССРбретений и открытийЖ, Раушская наб. д. 4/5