Способ переноса скрытого электростатического изображения

гО П И С А Н И Е (11)508235ИЗОБРЕТЕН ИЯК ПАТЕНТУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик 1 ополннтельный к патент-12 вки исоединеннем за аударстаенныи иамитетавета а 1 иннатрав СССРоо делам изаоретеннйн открытий(72) Авторы изобретения ен Эмиг льд 71) Заявител 4) СПОСОБ ПЕРЕНОСА СКРЫТОГО ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСК ИЗОБРАЖЕНИЯм придиого или .х соеди.лы, с - ви, фторы и жанне активатора в пересчроводниковую субстанцию Со а жн дниковый сло Изобретение относится к способу получения изображений в электрографии.Известны способы переноса скрытого электростатического изображения с фото-полупроводникового слоя на слой воспринимающего материала, например диэлектрика, во внешнем электрическом поле или при .использовании механического давления,Эти способы приводят к получению изображений с темным фоном и к повреждению , фотополупроводникового слоя.С целью улучшения качества переноса без применения давления и внешнего электрического поля, фотополупроводниковый слой выполняют полностью или частично из ор ганических комплексов передачи зарядов, ,; который при толщине 8-15 мк может , быть заряжен до 8001600 в, экспонирутоттак, что на засвеченных местах напряжение составляет не менее 500 в, а на пробель20 ных - не более 300 в. Проводящйе мате- риалы подложек диэлектрического и фото- полупроводникового слоев при этом преиму щественно заземляются.Кроме того, фотополупрово й25 содержит фотополуйроводник - донор электронов и активатор - акцептор электронов.В качестве фотополупроводников используютароматические углеводороды, такие как нафталины, антрацены, фенантрены, бензантрены,хризены, карбазолы, оксидазолы, триазолы,имидазолы, имидазолтионы, оксазолы, дериваты тиазода и многие другие, причегодны, в частности, и полимеры онескольких винилгетероциклическинекий, такие как Й -винилкарбазонилкарбазолы, винилдибензофураныим подобные,В качестве активаторов используйся,в частности, соединения, которые содержатсильные полярные группы, например, галогены, карбоксильную группу, циан- нитро-,эфироангидрид кислоты или хинонгруппирование. Наиболее пригодны такие соединениякак фпуоренон, в частности 2, 4, 7 - тринитро- флуоренон, 2, 4, 5, 7- тетранитро9- флуоренон или же соединения типа хло3варьировать в различных количественныхсоотношениж, причем зачастую достаточнынезначительные количества. В некоторыхслучаях целесообразно применять мольныесоотношения 1:1 двух составляющих, причем содержание активатора нередко можетсоставить приблизительно от 0,7 до 1,3молей на 1 моль фотополупроводника.Удельное сопротивление диэлектрического покрытия должно составлять 10 ом,см. 10Пригодны воспринимающие материалы изпроводящих бумаг с диэлектрическим покры,тием из полистирола, ацетата целлюлозыи др.Способ переноса состоит в заряжении 15фотополупроводника, экспонировании изображения на фотополупроводник, находящийсяв возможном контакте с диэлектрическимвоспринимающим слоем. Если в качествевоспринимающего материала применяют высокоомный слой с гидрофильной поверхностью,то можно получать печатные формы. Получение скрытого электростатического изображения может быть осуществлено с помощьюметаллических штифтов с достаточно высоким 5электрическим импульсным напряжением.Наиболее предпочтительные слои дляосуществления способа,Слой 1. Слой состоит из 1 моля 2, 4,7 - тринитро-флуореа и поли-Й -винил 30карбазола в мольном соотношении 1:1 относительно мономерной единицы поливинилкарбазола,Слой 2, Слой состоит из 17,8 вес.ч,фенантрена, 0,245 вес, ч. хлоранила и 2635вес. ч, поливинилацетата (мовилит 50 ).ЯСлой 3. Слой состоит из 16,6 вес, ч.флуорена, 0,36 вес. ч, 2, 4, 5, 7 тетранитро-флуоренона и 26 вес. ч. поливинилацетата (мовилит 50 ).40П р и м е р 1, фотополупроводник (слой 1) был нанесен на алюминизированную фольгу из полиэтилентерефталата толщиной 75 мт. (при толщине слоя 12 мк). Заряд определенный изопробным электростатическим вольтметром по методу Монро, составил 1400 в. Фольга была намотана на металли ческий барабан и заряжена разрядом до 1300 в, причем алюминиевый слой бып заземлен с одного конца. фотографическим объективом оригинал проецировался на фото- полупроводниковый слой, при этом экспонирование оригинала было осуществлено двуми люминесцентными лампами зеленого цвета мощностью 15 вт фирмы филипс,Предельная величина заряда на участках изображения составила 900 в, а на пробельных - 300 в. После переноса скрытого элек тростатического изображения на высокоомный р 4слой на участках изображения было замерено напряжение величиной 290 в, а на пробельных участках такое напряжение составило меньше 10 в.После проявления перенесенного скрытого изображения жидкостным проявителем была получена контрольная и свободная от основы копия.П р и м е р 2. На алюминиевую фольгу был нанесен фотополупроводниковый слой из 2, 4, 7- тринитро- флуоренона и поли- И - винилкарбазола в мольном соотношении 0,8:1 относительно мономерной единицы поливинилкарбазола. Слой был толщиной 10 мкм и мог быть заряжен до 1150 в.Покрытая слоем алюминиевая фольга была намотана на барабан и заряжена коронным разрядом до 1100 в. Экспонирование было проведено также, как в примере 1, На участках изображения была замерена предепьная величина заряда порядка 700 в, а на пробельных участках эта величина составила 220 в, После переноса скрытого изображения на высокоомный слой на учасч- ках изображения напряжение составило 200 в, а на пробельных - от 0 до 3 в.После проявления ферромагнитным проявителем с помощью магнитной кисти были получены контрастные копии хорошего качества без основы. формула изобретения1. Способ переноса скрытого электростатического изображения, состоящий в передаче электростатических изображений сфотополупроводникового слоя, находящегосяна проводящей подложке, на диэлектрическийслой, также находящийся на проводящейподложке, который находится, например, вконтакте со слоем фотополупроводника, отделении слоев друг от друга, проявлении изакреплении перенесенного изображения,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюулучшения качества переноса без применениядавления и внешнего электрического поля,фотополупроводниковый слой состоящий полностью или частично из органических комплексов передачи зарядов, заряжают до8001600 в при толщине 8-15 мк и экспонируют так, что в участках изображениянапряжение составляет не менее 500 в, ана пробельных - не выше 300 в, причемпроводящие подложки слоев преимущественно заземляют во время контакта,2, Способ по и. 1, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что фотополупроводниковый слойэкспонируют так, что разность напряженийучастков изображения и пробельных учасвков лежит в пределах от 500 до 900 в.(,"сзавитель Э. ПочтарьРедактор А. Бвр Текред А. Демьянова Корректор Л. Тромбона . Заказ ИФФ Тираж 551 ПодписноеИЙИИПИ Государственного комитета Совем Министров СССРпо делам изобретены а открыты113036, Москва, Ж-Зб, Раушская нвб., д, 4)8 ППП Патент" З.Способ пои. 1, отлнча ющийс я тем, что в качестве фотополупровод пикового слоя применяют 2, 4, 7 - триниьро- флуоренон и полимер одного или не 5 скольких винилгетероциклических соединенийв соотношении от 0,7 до 1,3 молей фпуо,ренона на 1 моль мономерного виниловогосоединения,