Ждущий мультивибратор

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Со:оз Советских Социалистических Республик(51) М. Кл,03 к 3/28 рисоединение заявки Государственный комитеСооото Министров СССРоо делам изобретенийи открытий(71) Заявитель 4) ТИВИБРАТОР а Изобретение относится к полупроводниковой импульсной технике и может бытьиспользовано для формирования прямоугольных импульсов, следующих с малой скважностью, для деления частоты повторенияимпульсов, для получения постоянной, независимой от периЬда запускающих сигналов,задержки видеоимпульсов.Известен ждуший мультивибратор, формирующий импульсы двух различных длительностей, содержащий два основных транзистора с коллекторно-базовыми связями, дополнительный транзистор противоположноготипа проводимости и источник питания.Однако в известном мультивибраторебольшая длительность заднего фронта выходного импульса, нестабильная длительность выходного импульса,Пель изобретения - устранение влияниякоэффициента усиления дополнительноготранзистора на величину длительности одного из выходных импульсов и уменьшениедлительности фронтов выходных импульсов.Для этого база дополнительного транзистора подключена к клемме источника питания, коллектор через последовательно соединенные резистор и туннельный диод - к обшей шинеэмиттер - к коллектору закры,того в исходном состоянии основного тран-,зистора, коллекторный резистор которогоподключен к дополнительному источнику пи,тания.Принципиальнач схем ждущего мультивибратора представлена на чертеже.10 Ждуший мультивибратор состоит из двух,основных транзисторов 1 и 2, дополнительного транзистора 3 противоположного типа проводимости, резисторов 4-9, конденсато,ров 10, 11, туннельного диода 12, основ ного 13 и дополнительного 14 источниковпитания и источника 15 смешения.В длительно устойчивом состоянии схемы транзистор 2 насыщен, транзистор 1 закрыт. Эмиттерный переход дополнительно го транзистора 3 смещен в прямом направлении тохсм, протекающим через резистор 4 от источника 14 питания. Открытый эмиттерний перехсд транзистора 3 играет роль фиксирующего диода; поэтому напряжение йь,на коллекторе транзистора 1 за 4 ыксированона уровне напряжения основного источника 13 питания. При выборе резистора 7 из условия насыщения транзистора 3 последний будет насыщен, В его коллекторной цепи протекает ток, несколько больший пикового тока туннельного диода 12. Последний будет включен. Времязадающий конденсатор 10 заряжен до напряжения основного источника 13 питания.С приходом отрицательного запускаюше го импульса, транзисторы 1 и 2 переклкь чаются. Транзистор 1 насыщается на вр мя формирования выходного импульса на коллекторе транзистора 2. Конденсатор 10 перезаряжается через резистор 8 на основной источник 1 3 питания, После насьпцеция транзистора 1 потенциал эмиттера транзистора 3 будет близок к потенциалу корпуса, Потенциал базы транзистора 3 остается отрицательным и равным напряжению основного источника 13. Поэтому транзистор 3 на время разряда конденсатора 10 запирается. Его коллекеторный ток падаетУдо величины обратного тока о, меньшей 10 ся И тока выключения туннельного диода 12, Туннельный диод лавинно выключается, и напряжение на его катоде принимает низкий, близкий к нулевому, уровень, Когаз напряжение на конденсаторе 10 переходит через нулевой уровень, транзисторы 1 и 2 переключаются. Формирование напряжения на коллекторе транзистора 2 заканчивается, Конденсатор 10 начинает восстанавливать исходный уровень напряжения, заряжаясь от источника 14 через резистор 4 и эмиттерный перехоа транзистора 2. Напряжение на коллекторе транзистора 1 по мере заряда конденсатора 10 по абсолютной величине увеличивается. Однако транзистор 3 остается запертым, поскольку напряжение на коллекторе транзистора 1 и на змиттере транзистора 3 все еш меньше напряжения источника 13. Лишь когда напряжение на конденсаторе 10 перейдет уровень напряжения источника 13 питания, транзистор 3 откроется и появится его коллекторный ток. Когда этот ток превысит пиковый ток туннельного диода 12, последний включится и на его катоде появится Э 1 высокий уровень выходного напряжения. Формирование выходного напряжения закончится. Однозременно с окончанием выходного импульса заканчивается и процесс восстановления мультивибратора, т.е. схема готова 55 к повторному запуску.Выходньв 1 и точками устройства являют- а) Выход А, соответствующий катоду туннельного диода 2. На этом выоде формируется импульс длительностыс, =где 1р - время перезаряР Вда конденсатора 10 через резистор 8,1 время восстановления исходного напряжения на конденсаторе 10. Напряжение на выходеимеет амплитуду, равную перепаду напряжения на туннельном диоде 12 при переключении.Оба фронта выходного импульса на выходе а являются регенеративными, длительность их очень мала.б) Выход Б, соответствуюшии коллектору транзистора 3. Длительность этого импульса практически та же, что и на выходе Д , однако задний фронт выходного импульса не является регенеративным и имеет большую длительность. Амплитуда импульса на выходеблизка к напряжению источника 13, т.е. существенно больше, чем на выходе Ав) Выход Ц, соответствующий коллектору транзистора 2. Длительность импульса на этом выходе короче,чем на выходах Я и Б , и составляет величину .р - О,у ( Д где С.о и- номиналы конденсатора 10 и резистора 8,Выход т 1 схемы в данном случае является основным.К достоинствам схемы относится:- возможность получения импульсов разной длительности на выходах 3, и Б регенеративный характер формирования переднего и заднего фронта выходного импульса на каждом из этих выходов схемы - малое время восстановления, которое сведено практически до нуля и не зависит от нагрузки и параметров ключевого каскада; - хорошая повторяемость параметров мультивибратора, так как коэффициент усиления дополнительного ключевого транзистора 3 на длительность выходного импульса не влияет,Предмет изобретенияЖдуший мультивибратор, формирующий импульсы двух различных длительностей, содержащий два основных транзистора с коллекторно-базовыми связями, дополнительный транзистор противоположного типа проводимости и источник питания, о т л ич а ю ш и й с я тем, что, с целью устранения влияния коэффициента усиления дополнительного транзистора на величину длительности одного из выходных им. :сов и уменьшения длительности "онтов выходных импульсов, база дополнительного тран489205 питания.5 гСоставитель В. Назароваактор В. Дибобес . Техред:А. Демьянова Корректор 1161 Тираж 902 писное ЦНИИП осударственного комитета Совета Министров СССпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д,4/б филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Гагарина зистора подключена к клемме источникапитания, коллектор через последовательносоединенные резистор и туннельный диодк обшей шине, эмиттерк коллектору закрытого в исходном состоянии осйовноготранзистора, коллекторный резистор которого подключен к дополнительному источнику