Фазосдвигающее устройство для управления тиристором

Союз Советских Социалисти нескин Республик ФО П И С А Н И Е 11 ажИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1) Зависимое от авт, свидетельства(22) Заявленос- И 7 (21) 1879588/2 51) М, Кл. Н 02 еет Е/08 Н 02 Р ЕЗ/Е Н ОЗк 17/ОО рисоединением заяв Гасударстаеннын намнтет Сааета йнннстрае СССР аа делам нзааретений и аткрытий(71) Заявит УСТРОЙСТВО ТИРИСТОРОМ ИаО СДВИГДЛЯ УПРЬВЛЕ 1Изобретение относится к фазосдвигающим устройствам для управления тиристором и, в частность, к магнитно=полупроводниковым 4 азосдвигающим устройствам.Известны фазосдвигающие устройства для управления тиристо-,.ром, содержащие дроссель насыщения из материала с прямоугольной петлей гистерезиса, один конец первичной обмотки которого подключен к источнику постоянного напряжения, второй конец подключен к эмиттерам транзисторных ключей, в коллекторную цепь одно го из которых включен источник управляющего напряжения, в коллекторную цепь другого включена коллекторная цепь коммутирующего транзистора, переходц база.-эмиттер транзисторных ключей подсоединены к источнику переменного напряжения, а переход база:эмит тер коммутйрующего транзистора подключен к вторичной обмотке дросселя насыщения.Недостатком известных устройств является наличие зоны нечувствительности, что усложняет систему сеточного управления, например, нереверсивных тиристорных преобразователей, требуя включения дополнительного источника стабилизированного напряаеиия последовательно источнику управляющего напряжения для компенсации зоны нечувствительности.Предлагаемое устройство отличается от известного тем, что в нем коллектор одного из транзисторных ключей подсоединен к источнику постоянного напряжения, а один из концов первичной обмотки дросселя насыщения подключен к коллектору коммутирующего транзистора,встречно:параллельно которому включен диод.Это позволяет исключить зону нечувствительности.На чертеже показана4485803альная схема предлагаемого устрой- , С этого момента дроссель подства. действием напряжения источникаВ предлагаемом устройстве постоянного напряжения 0 пе-один конец первичной обмоткиремагничивается в обратном напдросселя насыщения 2 из материала 5 авлении до насыщения, после че-с прямоугольной петлей гистерезис го транзистор 7 закрывается, иподключен к эниттерам транзис- на вход тири рти исто а с поступает упторо 4, работающих в ключ в , ,ре-, , авляющий импульс.вом режиме, причем коллектор , равнениетранзистора 3 подключен к источ- площадр перемагнинику управляющего напряжения 9 у , для этого интервала времениколлектор транзистора 4 подключен к источнику постоянного нап ьВ%= ОА,ряжения О и , а их база:эмитерные переходы йодсоединены ксинхронизирующему источнику 5 где А - угол управления.переменного напряжения. Из равенства вольт:секундВторичная обмотка б дроссе- ных площадей перемагничиванияля 2 подключена к база:эмиттерно- о, дросселя цму переходу коммутирующего транзи-с: Ястара 7, коллектор которого под- Таким образом, в предлагаесоединей к второму концу первич- , мом устройстве зона нечувствительной обмотки 1 дросселя ы. Встреч- ности при преобразовании управно:лараллельно транзистоРу 7 25 ляющего напряжения в угол управвключен диод 8. ления отсутствует.К первичной обмотке 1 дросселя насыщения 2 в интервале времени, когда открыт транзистор б,приложено напряжение источникаправляющего напряжения Оу.ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯок намагничивания замыкается че- азосдвигающее устройстворез диод 8.ю . для управления тиристором, содер За полупериод сирнзирую- жащее дроссель насыщения йз мащего переменного напряже"ия "сточтериала с прямоугольной петлейника 5 дроссель 2 перемагничиваетгистерезиса, один конец первичся от индукции насыщения до неко ной обмотки которого подключенторого значения индии, в. Резуль к эмиттерам транзисторных ключей,тате чего приращение ин 1 Ч 7 кции коллектор одного из которых подсоставляет величину ь Включен к источнику управляющегодля этого интервала времени напряжения, а их база:эмиттерныеуравнение вольт=секундой площади переходы связаны с источыикомперемагничивания дросселя. переменного напряжения, источник8 бВ в= Ц %постоянного напряжения и комму 4 з тирующий транзистор, управляемыйгде- площадь поперечного сече-от вторичной обмоткй дросселяния сердечников дроссел. насыщения, о т л и ч а ю щ е е -ц - количество витков первич- с я тем, что, с целью исключенияной обмотки дросселя. зоны нечувствительности, коллекПосле того, как знак синхро тор второго транзисторного ключанизирующего напряжения источника подсоединен к источнику постоян 5 изменится, транзистор 3 закры- ного напыления, а второй конецвается, а транзистор 4 открывае первичнои обмотки дросселя насыся. Оцновременно во вторичной о . . щения подключен к коллектору ком,мотке 6 дросселя - наводитс"мутирующего транзистора, встреч: э.д.с. такого знака, что коммути- но-.,параллельно которому включенрующий транзистор 7 также открывается.каз ЯДЯ Из комитеттенийРауш Предприятие Патент, Москва, Г 59, Бережковская наб., 24 ПИ Государственногопо делам изобМосква, 1130 Тираж 733 ПоднисСовета Министров СССРоткрытийкая наб., 4