Балансный модулятор

(И), 445 Пб Сфез Советских Социалистицесюа Реслублии(5) М Кл,Н 03 с исоединением зая Госуррственный комитет Соаото Мйнкстров СССР ко делом кзооретений о открыток(54) БАЛАнвНЫЙ М 2 Изобретение относится к об- ласти радиотехники и может использоваться в многоканальной аппаратуре уплотения линий связи с частотным разделением каналов.Известный балансный модулятор состоит из собственно активного бананового ыодулнтора, содержащего резисторы выходной дйооеренциальный транс орыатор и два транзистора одного типа проводиыости, внлюченных по схеме с общим змиттером, и ограничителя амплитуд, включенного на входе указанного модулятора. Ограничитель амплитуд выполнен на двух диодах, включенных встречно-па аллельно.ель изобретения - увеличение крутизны наклона амплитудной харак теристики балансного модулятора.В предлагаемом модуляторе это достигается включением двух дополнительных транзисторов, эмиттеры которых соединены между собой черезз два встречно-папрллельно вкл ченных диода,На чертеже приведена принципиадьная схема предлагаемого модудятора.5 В эмиттерные цепи транзистоов 1 и 2 включены резисторы 3 и . Коллекторы транзисторов 1 и 2соединены с первичной обмоткой выходного дифференциального транс- О форматора 5, в среднюю точку которой включен источник питайия 6.Несущие колебания от источника 7 подаются на базы транзисторов через резисторы 8 и 9. К базам 5 транзисторов 1 и 2 подключены базыдополнительных транзисторов 10 и 11, а к коллекторам - через ограничительные резисторы 13 м 12 соответственно коллекторы транзисто- О ров П и 10. В эмиттерные цепитранзисторов 10 и 11 включены резисторы 1 ч и 15., а сами эмиттеры соединены через встречно-параллельно включенные диоды 16 и 17.5Поедлагаемый балансный моду445115 15 20 25 30 35 40 60 55 3лятор работает следующим образом.Во время одного полупериода несущих колебаний на базы транзисторов 1,2 и 10,П подается отрицательное напряжение, транзисторы закрыты, ток в их коллекторных цепях отсутствует. Во время другого полупериода, при положитель-, ном напряжении на базах, транзис- торы открываются, и приложенный к базам входной йреобраэуемый сигнал усиливается. Сопротивления резисторов 1 Ф и 15 выбираются в несколько раз больше, чем резисторов Я и 4 поэтому усиление транзисторов 10 и 11, а значит и их коллекторный ток, в несколько раз меньше коллекторйого тока транзис торов 1 и 2, Транзисторы 1,2 и 10 11 включены по схеме скрещенного четырехполюсника, поэтому коллекторный ток транзйстора П вычитается из тока транзистора 1, а ток транзистора 10 - из тока транзистора 2. Существенно меньший ток транзисторов 10 и 11 незначительно изменяется суммарный ток в выходном трансформаторе 5, поэтому усиление модулятора при йодключении дополнительных транзисторов 10 и 11 уменьшается не более, чем на 5-10%, что практически не вызы лает ухудшения характеристик модулятора.При увеличении уровня преобразуемого сигнала, начиная с некоторого момента, напряжение между эмиттерами транзисторов 10 и 11 начинает достигать напряжения отсечки диодов 16 и 17, и они открываются. Сопротивление открытых диодов имеет величину порядка нескольких десятков ом, и их включение между змиттерамй транзисторов 10 и 11 приводит к резкому увеличению усиления транзисторов 10 и 11. При этом из коллекторных токов транзисторов 1 и 2 вычитаются значительные токи транзисторов 10 и 11, в результате чего на участке ограничения мгновеные значения огибающей на выходе модулятора существенно уменьшаются. Вершина огибающей выходного напряжения не прямолинейна, как при обычном ограничении амплитуды, а имеет ярко выраженный "провал", что, начиная с момента ограничения, обеспечивает более резкое умень шение напряжения боковых частот первого порядка, которые используются в качестве полезного сигнала на выходе модулятора. 4При дальнеишем увеличении уровня преобразуемого сигнала токи транзисторов 10 и 11 могут превысить токи транзисторов 1 и 2, и фаза огибающей выходного напряжения изменится на 180", т.е. уровень боковых частот первого порядка начнет снова увеличиваться. Во избежание указанного явленйя в коллекторные цепи,дополнительных транзисторов о и ы включены Ограничительные резисторы 12 и 13, которые ограничивают величину коллекторных токов транзисторов 10 и 11 на заранее выбранном уровне, предотвращая таким образом увеличение амплитуды "провала" на вершине огибающей выходного напряжения больше некоторой наперед выбранной величины.При небольшом динамическом диапазоне входных уровней резисторы 12 и 13 в предлагаемом балансном модуляторе напряжения могут отсутствовать.Таким образом, предлагаемый балансный модулятор напряжения по сравнению с известным устройст вом обеспечивает значительно большую крутизну наклона амплитудной характеристики.ПредметизобретенияБалансный модулятор, содержащий два транзистора, включенных по схеме с общим эмиттером, коллекторы которых подключены к первичной обмотке выходного дифференциального трансформатора, источ ник несущих колебаний, подсоединенный через резисторй к базам транзисторов, и источник питания, включенный в среднюю точку выходного дифференциального трансФорматора, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения крутизйы наклона амплитудной характеристики, базы транзисторов модулятора йепосредственно, а их коллекторы через резисторы соединения соответственно с базами и коллекторами двух дополнительно введенных транзисторов, включенных по схеме с общим эмиттером, при этом эмиттеры дополнительнйх тран зисторов соединены между собой через два встречно-параллельно включенных диода..Сенина Техр дакторЕ,Кара Заказ Ф-ф ажУ 1 нсное едприятие Патента, Москва, Г.59, Бережковская наб., 2 НИИПИ Государственногопо делам изобМосква, 113035 ректор О.ЗЕиыфЦомитета Совета Министров ений и открытиИ Раушская наб., 4