Генераторчастотно-модулированных колебаний

ОП ИСАЙИ Е 1) 432659 Союз Советских Социалистических Республик(61) Зависимо 1,22) Заявлено 51) М. Кл. Н 03 с 3/О с присоединением заявки ЪЪ(32) Приоритет -Государственныи комитетСовета Министров С 6 СРпо делец иэооретенийи открытий 53) УДК 621.395.6(088.8) 5.06.74. Бюллетень е 22 Опубликовано Дата опубликования описания 21.0.1.752 а явиации дтсль- источНедостаткомляется ограниченчастоты величинойного контура и велника питания. звестного генсрато с допустимой дс добротности коле ичиной напржсция Изобретение относится к устройствам формирования частотно-модулированных колебаний систем передачи дискретной ицфор мации ио каналам переменного тока, преимущественно, в диапазоне тональных частот. 5По основному авт. св, 369675 известен генератор частотно-модулированных колебаний, в котором модуляционная индуктивность включена между синфазными выходами усилителей обратной связи и объединена ио маг- О нитному потоку с основной некоммутируемой индуктивностью последовательного колебательного контура Е,С. С целью расширения модуляционной характеристики в предлагаемом генераторе между выходами модуляционной ицдуктивцости и коллекторами выходных транзисторов усилителей обратной связи включены рдзвязывающис диоды в направлении проводимости коллекторных токов выходных транзисторов а переходы коллектор-эмцттср вь 1 ходцых трацзисторов усилителей обратной связи шуцтировацы резисторами. На чертеже приведена электрическая схема предлагаемого генератора частотно-модулированных колебаний.Колебательный контур 1, 2 и 3 включен между входом усилителя обратной связи нд транзисторах 4, 5 и его выходом нд трдцзисторах 6, 7.Модуляционная индуктивность 8 последовательно с резистором 9 включена между сицфазцы 1 и выходами транзисторов 6, 7 10, 11.Диоды (2 - 15), ирслотврдщдющис шунтирование обмотки 8 исрсхолдми база-коллектор транзисторов 6, 7 и 10, 11 включены последовательно в коллекторцые цсии этих транзисторов.Резисторы 16 - 19 начального смсщеци Вк,11 Осны идрд.1 лсл 1 цО коллсктор-эмиттсрцым иерехолдм транзисторов 6, 7 и 10, 11. Устройства 20 и 2 формировдция сигналов управления, вы 1 олцснцыс г вилс контактов перскл)очсция, залают режимы работы транзисторов 6, 7 и 10, 1.Рс:стор 22 цдчдльцого смещения и Ориентировки усилителей Обратной связи улучшает услОВ 151 Возбужлсни 51 колсодци)1 В Гсцердторс.Рдзноиолярцыс источники питдци Е, иГсцс 1 аторд вкл 10 сцы иослслОВдт 1 лицо и СОГЛ ДСЦО.Рсзсторы 22- 26 Обеспечивают псирсры- пост ко.1 состс)льного процесса 15 контурс (, 2, 8 гсчсратора за счет сипфазпс)го с нп равленисм тсп(я в контуре подклОчсии транзисторов 6, 7 илп (О, 11 к источника) Иитяпи Еь Е,.Прсллагасмый генератор рдоотяст слслующим образом.При нклоченип источников пптпи 51 возипкаот псрсхолныс процессы в колес)атсльном контуре 1, 2, 8, обеспечивающие возбуждение колебаний в генераторе. Подлср)кацис непрерывного колебательного процесса осуИс.ствляетс с помощью резисторов 22 - 26. Ток колебательного контура управляет транзисторами услитслсй обратной связи, ряботакнппми в рож;1)е исрсклк)чсния.Включение диодов 12 - (6 позс;лст исклОспть интированис модул 5 цпонной Ос)- мотки 8 персхолями база - коллектор транзисторо 6, 7 илп (О, 1 в зависимости От положения контактов устройств 20, 21 формирования сигналов управления,Шунтирование модуляционной обмотки в течение части периода колебаний приводит к снижсншо эфсрсктивной лобротиостп контура и искажсищо формы напряжения ия выхоЛс.Дпо;ы 12 - 15 включены встречно лля напряжения ца молулционной обмотке относительно полярности источников питания. Повышение чобротности контура генератора ведет к увсличешпо напряжения нд модуляционной пнлуктивиости 8, а ндличие развязьвяюцих циоцов 12 - 15 позвол 5 ст сн 5 Ть ограцичснис на всличину этого напряжения относительно величии источников питация ЕЕ в рсзульта 1 е чего лостигастся расширение молуляционцой характеристики генератора.Шунтирование коллектор-эмиттерных переходов транзисторов 6, 7 и 10, 11 резисторами 16 - У 9 позволяет уменьшить отрицательное лсствие развязывающих лиолов 12 - (6 в момент псрскло сни, например, транзисторов 6, 7 п 4, 6, коглд ток (Онтура мс 5 ст свое направление.сзистсры 16 - 19 ограничивают по всли пис тс)к с)сИспи) лл 5 токов колсодтельнооконтура в момсит изменения положений транзисторов 6 пли 7, 10 1 ли 11. В этот исрсхолн 11 )Омсит, коглс т 01( В контуре меняет напраление, транзисторы 4, а не в состо 5 нии 10 поллср)кивать режим насыщения выхолныхтранзисторов 6, 7 п 10, 11. Выхолныс транзисторы 6, 7 и 10, 11 остаются иа этот момент в идсьпцснии зя счет эффекта рассасыванп неосповных носителей при малом коллекторном токе колсбатсльного контура У, 2, 8. При выхоЛс из насыщения этих транзисторов вступают в действие сопротивления смсцсния резисторов 16 - 19, способствуя завершению процесса изменения режимов транзисторов 4, 6.Таким образом, диоды 12 - У 6 осуществляют развязку напржеиий источников питания и напр)кения пд иплуктпвности 8, чем и достигается эффект расширения модул- ционной характеристики генератора за счет увеличения допустимой левидции частот при повышениц добротности контура и снижении Ве,1 пчин паиряжен 5 Й 1 стоиИков питНи 51,30Предмет изобретенияГенератор частотно-модулированных колебаний ио авт. св.369675, отличаоиийся тем, что, с целью расширешя молуляционной З 5 характеристш(и, мсжлу выхолами молуляцпонной индуктивности и коллекторами выхолных транзисторов усилителей обратной связи включены развязывающие лиолы в направлении проводимости коллекторных токов 40 вь)содных транзисторов, а перехоЛы коллектор-эмиттер выходных транзисторов усилителей обратной связи шунтированы резисторами.432659 оставитель В. Чернышехред А. Камышников Редактор Т,розо ПодписноеССР Тираж 811 Совета Миннстро открытий наб., д. 4/5Заказ Тип. Харьк. фил. пред. Патеи 50/567 Изд.1724 ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и Москва, Ж, Раушская