Транзисторный амплитудный модулятор импульсных сигналов

Номер патента: 422096

Авторы: Панчул, Пелипенко

ZIP архив

Текст

Союз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 22.02,72 (21) 1750661/26-9 51) М. Кл. Н 031 7,0 с присоединением заяв Государственный ноетет Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий(71) Заявител 54) ТРАНЗИСТОРНЪ 1 Й АМПЛИТУДНЫЙМОДУЛЯТОР ИМПУЛЬСНЫХ СИГНАЛОВ Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано в устройствах автоматики, вычислительной и измерительной техники в качестве амплитудного модулятора импульсных сигналов сигналами произвольной формы.Известен транзисторный амплитудный модулятор импульсных сигналов, содержащий модулирующий транзистор и транзисторный ключевой каскад с резонансным контуром и резистором в цепи коллектора.Цель изобретения - упрощение модулятора и обеспечение возможности модулирования без искажений импульсных сигналов большой амплитуды, а также улучшение выходных характеристик модулятора. Это достигается тем, что резистор в коллекторной цепи транзистора ключевого каскада подсоединен к эмиттеру модулирующего транзистора, накопительный конденсатор клочевого каскада включен между коллектором транзистора этого каскада и средней точкой двух согласно включенных диодов, причем анод одного из них соединен с движком переменного резистора, включенного между общей шиной и эмиттером модулирующего транзистора, а катод другого диода через резонансный контур - с общей шиной. На чертеже показана принципиальная схема предлагаемого модулятора.Транзисторный амплитудный модуляторимпульсных сигналов содержит модулирующий транзистор 1 и транзисторный ключевой каскад 2, включающий в себя транзистор 3, резисторы 4, 5, переменный резистор 6, диоды 7, 8, 9, конденсаторы 10, 11 и параллельный резонансный ЕС-контур, об разованный первичной, обмоткой трансфорнатора 12, индуктивносто 13, включенной последовательно с ней, и конденсатором 14. К клемме 15 подключается выход датчика модулирующсго напряжения, к клемме 16 - выход датчика импульсных сигналов несущей частоты. Резистор 5 в цепи коллектора транзистора 3 ключевого каскада 2 подсоединен к эмиттеру модулпрующего транзистора 1. Накопительныц конденсатор 10 ключевого каскада 2 включен меоду коектором транзистора этого каскада и средней точкой двух согласно включенных диодов 8 и 9. Анод диода 9 соединен с движком псрсмснного резистора б, включсшого между общей шиной и эмиттером модулпрующего транзистора 1. Катод диода 8 соединен с выводом параллельного резонансного 1.С-контура, другой вывод последнего - с общей шиной. Резистор 4 и диод 7 служат для выполнения ключевого20 25 30 35 40 режима транзистора 3, конденсатор 11 является фильтром несущей.Ключевой каскад 2 - это эмиттерная нагрузка транзистора 1, поэтому при подаче модулирующего сигнала на клемму 15 напряженис на эъ 1 иттере модулирующего транзистора воспроизводит форму модулирующего сигнала, При подаче на клемму 16 импульсной несущей в устройстве происходят следующие процессы. В течение паузы клемма 16 через выходной тр апзистор датчика оказывается подключенной к нулевой шине, и отрицательное напряжение смещения, подаваемое на эмиттср транзистора 3, запирает через открытый выходной транзистор датчика и диод 7 транзистор 3. Накопительный конденсатор 10 быстро заряжается через резистор 5 до уроьня напряжения, имсющегося на эмиттере транзистора 1.В течение длительности импульса несущей выходной транзистор датчика закрыт и напряжение на его выходе, т. е. на клемме 16, равно напряжению источника коллекторного питания, вследствие чего диод 7 закрывается и ток, проходивший ранее через резистор 4 и диод 7, начинает протекать через базу транзистора 3, открывая его почти до насыщения. Напряжение иа коллекторе этого транзистора резко падает, и накопительный конденсатор 10 разряжается на параллельный резонансный ЕС-контур,После окончания очередного импульса несущей вновь открывается диод 7 и закрывается транзистор 3, а накопительный конденсатор начинает заряжаться через резистор 5 и диод 9 до уровня напряжения на эмиттере модулирующего транзистора. Поскольку последнее изменяется соответственно изменению модулирующсго напряжения, то напряжение на конденсаторе 10 к концу заряда оказывается равным разности напряжений на эмиттере транзистора 1 и на движке переменного резистора 6. Таким образом, накопительный конденсатор 10 передаст в выходной резонансный контур заряд, пропорциональный разности указанных напряжений, и в выходном контуре возникают резонансные колебания, амплитуда которых также пропорциональна этой разности напряжений. Изменяя положение движка переменного резистора, можно менять амплитуду модулированных колебаний в параллельном резонансном 1.С-контуре.Устройство позволяет модулировать одним и тем же сигналом несколько несущих, для чего к эмиттеру модулирующего транзистора нужно подключить несколько параллельных ключевых каскадов (по количеству модулируемых несущих). Предмет изобретения 1. Транзисторный амплитудный модулятор импульсных сигналов, содержащий модулирующий транзистор и транзисторный ключевой каскад с резонансным контуром и резистором в цепи коллектора, отличающийся тем, что, с целью упрощения модулятора и возможности модулировать без искажений импульсные сигналы большой амплитуды, резистор в цепи коллектора транзистора ключевого каскада подключен к эмиттеру модулирующего транзистора,2. Модулятор по п. 1, отличающийся тем, что, с целью улучшения выходных характеристик, накопительный конденсатор ключевого каскада включен между коллектором транзистора этого каскада и средней точкой двух согласно включенных диодов, причем анод одного из них соединен с движком переменного резистора, включенного между общей шиной и эмиттером модулирующего транзистора, а катод другого диода через упомянутый резонансный контур соединен с общей шиной.422096 1- ФЕк Заказ 2127/5 Тираж 811Совета Министроткрытийнаб., д. 4/5 И дактор И. Грузо Составитель Г. ЧелейТехред Е. Борисова Изд.1429 осударственного комитета по делам изобретений и Москва, Ж, Раушская

Смотреть

Заявка

1750661, 22.02.1972

Н. И. Пелипенко, Ю. А. Панчул Институт автоматики

МПК / Метки

МПК: H03K 7/02

Метки: амплитудный, импульсных, модулятор, сигналов, транзисторный

Опубликовано: 30.03.1974

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-422096-tranzistornyjj-amplitudnyjj-modulyator-impulsnykh-signalov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Транзисторный амплитудный модулятор импульсных сигналов</a>

Похожие патенты