415493

93 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 4 В 4 Союз СоветскихСоциалистицескихРеспублик Зависимое от авт. свидетельства М аявлено Об1971 (ЛЪ 1610118 г 18 24) С 01 с 11 г 2 ПриоритетОпубликовано 1511,1974. Бголлетець Ле осударственныи комит Совета Министров ССС оо делам изобретений и открытийДК 535,247.4(088.8) Дата опубликован пцсанця 10.И 1.1974 Авторыиз обретен и В. Свечников, А. К, Смовж, Х, И. Гаприндашвилн Р. П. Джангобегов Институт полупроводников АН Украинской ССР3 аявител НАТНО-Ч УЬСТВИТЕЛЬНОГ УСТРОЙСТВ присоединением заявки М Изобретение относится к области вычислительной техники,Известно координатно-чувствительное устройство, содержащее полусферическую стекловолоконную планшайбу с бесконечно малойугловой апертурой, на плоскую поверхностькоторой нанесены первый резистивный слой ислой фотопроводящего материала с максимумом фотопроводимости в коротковолновой области опектра, 1Известное устройство обладает низкой разрешающей способностью.Предложенное устройство отличается тем,что содержит нанесенные на слой фотопроводящего материала с максимумом фотопроводелимости в коротковолновой области спектрапрозрачный токопроводящий слой, слой фотопроводящего материала с максимумом фотопроводимости в длинноволновой областиспектра и второй резистивный слой, электрическое поле которого ориентировано перпендикулярно электрическому полю первого резисгивного слоя.Это позволило повысить разрешающую способность устройства, 2На чертеже изображена схема предлагаемого координатно-чувствительного устройства.На плоской поверхности полусферическойпланшайбы 1 последовательно размещеныпрозрачный резистивный слой 2, например з высокоомная пленка ЯпОг, слой фотопроводящего материала 3, максимум фотопроводимости которого находится в коротковолновой области, например Сс 1, прозрачный токопроводящий слой 4, например Сг 10, являющийся коллектором. Поверх коллектора размещены слой фотопроводящего материала 5, максимум фотопроводимости которого находится в длинноволновой области, например СйТс, и резистивный слой 6. Указанный порядок нанесения слоев обеспечивает необходимую прозрачность устройстьа.Электрическое поле резистивного слоя 2 ориентиру.от вдоль оси Х, т. е, эквипотенццальцыс линии. представляющие собой сцстему параллельных отрезков, направлены перпендикулярно этой оси. Электрическое ноле резцсгцвцого слоя 6 направ,гяют вдоль осц г. При этом эквппотенциальпые лцццц этого полл перцецдцкулярцы оси гг. Распрсделеггце потенциала на рсзцсгцвцых слоях 2 и 6 носит линейный характср, что обусловливает линейную зависимость выходного напряжения устройства от смещения источника свста 7.Координатно-чувствительное устройство работает следмгощим образом.Вследствие сферичности входной поверхности плашпайбы 1 каждое волокно с бесконечно малой угловой апертурой имеет различно скошенные входные торцы, ориентированные вразные точки пространства, ограниченного углом полусферы. Световой поток от перемещающегося источника света 7, находящегося в некоторых пространственных координатах, попадает на поверхность планшайбы 1, улавливается определенным волокном, торцовая поверхность которого ориентирована таким образом, что после преломления лучи движутся параллельно оптической оси данного волокна, и направляется к нижерасположенным слоям 2, 3, 4, 5 и 6. Остальные волокна, для которых пе выполняются рассмотренные выше условия, поглощают падающее излучевие.Часть светового потока, излученного источником света 7, пройдя через соответствующее стекловолокно и прозрачный резистивный слой 2, освещает локальную область фотослоя 3, Вследствие явления внутреннего фотоэффекта сопротивление освеп 1 енпого участка фотослоя 3 резко падает, что приводит к созданию токопроводящего мостовика между резистивным слоем 2 и коллектором 4, который при этом заряжается до потенциала освещенного участка резистивного слоя 2. Фотослой 3 поглощает коротковолновую составляющую спектра излучения источника света 7, пропуская длинноволновую составляющую через прозрачный коллектор 4 к фотослою 5, максимум фотопроводимости которого расположен в длинноволновой области спектра. Сопротивление освещенной локальной области фото- слоя 5 резко падает, что приводит к создания; токопроводящего мостика между резистивны:,: слоем б и коллектором 4, вследствие чего коллектору сообщается потенциал освещенного участка резистивного слоя 6.Для того чтобы разделить сигналы от резистивных слоев 2 и 6, последнде запнтывают переменным;напряжением различной частоты, Суммарное выходное напряжение снимают,с общего коллектора 4 и с помощью соответствующим образом настроенных фильтров разделяют сигналы от резистивных слоев 2 и 6.При движении источника света 7 вдоль оси5 10 15 20 25 30 35 40 Х изменяется составляющая выходного напряжения, определяемая потенциалами освещенных участков резистивного слоя 2, так как изображение источника света движется перпендикулярно эквипотенциальным линиям электрического поля резистивпого слоя 2, В то же время составляющая выходного напряжения от резистивного слоя 6 не изменяется, так как изображение источника света движется параллельно эквипотенциальным линиям электрического поля этого резистивного слоя,При движении источника света 7 вдоль оси У картина противоположна описанной выше Составляющая выходного напряжения от резистивного слоя 2 в этом слое неизменна, а составляющая от резистивного слоя 6 меняется в соответствии с движением источника света 7.Если источник света движется произвольным образом, то составляющие выходного напряжения от резистивных слоев 2 л б соответствуют составляющим смещения источника света относительно координатных осей. Предмет изобретенияКоординатно-чувствительное устройство, содержащее полусферическую стекловолоконную планшайбу с бесконечно малой угловой апертурой, на плоскую, поверхность которой нанесены первый резистивный слой и слой фотопроводящего материала с максимумом фото- проводимости в коротковолновой области спектра, отличающееся тем, что, с целью повышения разрешающсй способности устройства, опо содержит нанесенные на слой фотопроводящего материала с максимумом фотопроводимоспи в,коротковолновой области спектра прсзрачный токопроводящий слой, слой фоопроводящего материала с максимумом фотопроводимости в длинноволноьой области спектра и второй резистивный слой, электрическое поле которого ориентировано перпендикулярно электрическому полю первого резистивпого слоя.415493 Соствтель А. Шелипова Текред Т. Ускова Редактор Б. Наикина Корректор А. Дзесов Типография, пр. Сапунова, 2 Заказ 1412/14 Изд. Ла 1274 Тираж 760 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Мншстров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4,5