Усилитель считывания

Союз Советских Сонезлмстмческих РеспубликЗависимое от авт. свидетельства .чЪ 20.1 Ч.1970 ( 1434200/18-24 11 с 7104 вле дииецием заявки Л с при ПриоритетОпуоликовано 19,1.1972. Бюллстс Комитет по делам изобретений и отрытий при Совете Министров СССРДК 681.327.12(088.8 1. 197Оликонаеня Описяни ата о Авторизобретения А. Трусилов Заявите СИДИТЕДЬ СЧИТЫВАИИЯ УстрОЙство Относится к В 11 нслитсльнои технике, в частности, к усилителям с ипывац:;:1, используемым В заноминаОщих усроСтвах для усиления считываемых сшиалов с тонких мапитных пленок. 511 звестиы балацсные регенерат 1 шцые усилители считывания с эмцтте 1 Иой связью со стробированием токовыми импульсам; Ио цепи питания, Эти усилители просты, обладают высоким быстродействием и вьсокой чувстви тельностью ко входным силалам, высокой добротностью, Они не чувствпельцы к синфазиым помехам, быстро восстани влив; отся после перегрузок дифференциальными помехами, потребляют незначительные мощности 15 (только в момент стробцровання), ис склонны к паразитцому самовозбужденшо. Все эго ВыгодеО Отле 1 ает бале 1 нс 1 ыс рсгсисратиВ 1 ые усилители с эмиттерной связью со стробироваиием токовыми импульсами по цсци инта иия от известных усилЕпелей друИх классов.Наряду с очевидными достоинствами цзвсстные усилители ооладают существенным недостатком, заключающимся в статическом, температурном и временцом дрейфе нул 51 25 передаточной характеристики. Вслцчша этого дрейфа ограничивает чувствительность усилителей. Наличие дрейфа в схеме эквивалентно подаче на вход идеальной схемы разностиого иапряжеция (или тока), величина и З 0 еи 1,1 к которого соотвстс 1 вуОт величине и знакуо;1 е 100 раз постного дрс 1 фс этОГО уси.1 итсля,В нредложенн 011 схемс иредсл уВстВнтельности повышен благодаря тому, что в нее введена транзисторная пара с перекрестной коллекторно-базовой связь 0 с интегрирующим 1 цепочкеаи, иод 1 слючецнымн к коллскторам транзисторной пары, а эмнттерные входы последней 1 Одключсцы к токовым выходам балансно-регенсративной схсхы,На фиг, 1 изображена нрнцшшальная схема услитсля; на фиг, 2 - временные диаграммы.Усилитель счнтыван 1 гя состоит из регецера. тивной схемы (транзисторы 1, , работающие в ключевом режиме, резисторы д, 1 коллекторной нагрузки и резистор 5 эмиттериой нагрузки), транзисторнон;ары О, 7 с перекрестной обратной связью и с интегрирующими цеочками 8, 9, Вкеноченными в коллскторцые цепи транзисОров, к эмиттсриым входам которой иодк,10 чены токоВые Выход 11 ре енсративной схемы. Входные сч 1 пываемые снпалы и стробирующие токовые импульсы, несколько задерЕке 1 ншыс но фазе относительно первых, вместе с токовыми импульсами коррекции дрейфа подаются соответственно на входы 10, 11 и 12 (см. временные диаграммы ца фиг. 2). Поскольку выходные токовые импульсы интегрируются как птослс стробировацця токовымиимпульсами между воздействием входных сигналов (в момент считывания), то, очевидно, в случае многократного повторения знака входных сигналов может произойти разбалансировка усилителя, Чтобы этого нс случилось, следует обеспечить большее компенсирующее действие стробирующих токовых импульсов между моментами считывания. Это достигается выбором большей амплитуды или большей длительности компенсирующих токовых импульсов в сравнении с амплитудой или длительностью стробирующих токовых импульсов в момент считывания.Так как в момент стробирования усилителя выходной сигнал появляется на одном из двух выходов схемы независимо от наличия или отсутствия на входе управляющего сигнала, то естественно ожидать, что в случае отсутствия воздействия входного сигнала появление выходного сигнала на том или ином выходе схемы будет зависеть только от знака полного разностного дрейфа балансного усилителя в момент возникновения в схеме регенеративного процесса. Если появившийся на выходе сигнал проинтегрировать (например, зарядить конденсатор током выходного сигнала) и полученное смещение подать на вход регенеративной схемы (например, в цепь положительной обратной связи) со знаком, противоположным знаку полного разностного дрейфа, то, очевидно, произойдет частичная или полная компенсация этого дрейфа. В результате этого эффект влияния полного разностного дрейфа схемы на предел ее чуьствительностп понизится и предел чувствительности схемы возрастет, В предложенном усилителе считывания действие полного разностного дрейфа схемы компенсировано с помощью транзисторной пары с перекрестной коллекторно-базовои связью с интегрирующими цепочками в цепях коллекторной нагрузки транзисторов.В момент стробирования выходной токовыйимпульс регенеративной схемы поступает па 5 эмиттерный вход одного из транзисторов парыи интегрируется с помощью КС-цепочки в коллекторной цепи этого транзистора, Полученное смещение подается в базовую цепь другого транзистора пары. Поскольку этот транзи стор работает в режиме эмиттерного повторителя, смещение со знаком, противоположным знаку полного разностного дрейфа, передается в базовую цепь до этого открывающегося транзистора в момент стробирования. В ре зультате происходит компенсация дрейфа усилителя (балансировка нуля). Очевидно, чем больше постоянная времени КС-цепочки (т= =КС), тем выше степень результирующей компенсации дрейфа и тем меньшая величина 20 входного сигнала необходима, чтобы появление выходного сигнала на том нли другом выходе усилителя было поставлено в соответствие со знаком этого входного сигнала.Предмет изобретенияУсилитель считывания для запоминающихустройств на тонких магнитных пленках, содержащий бала нсно-регенеративную схему с эмиттерной связью со стробированием токо выми импульсами по цепи питания, отличаюиийся тем, что, с целью снижения влияния разностного дрейфа усилителя на предел его чувствительности, в него введена транзисторная пара с перекрестной коллекторно-базовой 35 связью с интегрирующими цепочками, подключенными к коллекторам транзисторной пары, а эмиттерные входы транзисторной пары подключены к токовым выходам балансно-регенеративной схемы,326635 Фиь. Иык фив. 2 Составитель Л, ГласкоТекред 3. Тараненко Редактор Б. Федотов Корректор И. Шматова Типография, пр. Сапунова, 2 Заказ 513,6 Изд. М 107 Тирагк 448 ПодписноеЦ 11 ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская набд. 4/5