310237

ОПИСАНИЕ ЗЮ 237ИЗОБРЕТЕН Ия К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Соиз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт, свидетельства Лов МПК 6 05 д 23/30 Заявлено 22.Ч 1.1968 ( 1259403/18-10)с присоединением заявки Мз -Приоритет -Опубликовано 26,Ч 11.1971, Бюллетень М 23Дата опубликования описания 17,Х 1.1971,Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Иииистров СССРЪДК 536.587(088.8) Авторыизобретения Э. М, Фромберг и В. П. Багаев Заявитель УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ МОЩНОСТЬЮ ПОДОГРЕВА ТЕРМОСТАТАИзобретение относится к области автоматического регулирования и может быть использовано в системах стабилизации температуры.Известны устройства для регулирования мощности подогрева радиотехнических термостатов, содержащие устройства широтно-импульсной модуляции (ШИМ), в качестве которых используются управляемый мультивибратор, реактивные триггеры ШИМ, магнитные усилители и т, д,Недостатками этих устройств являются низкая чувствительность и незначительный коэффициент регулирования относительной продолжительности выходных импульсов.Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что в нем с целью расширения пределов регулирования при высоком к. п, д. в,качестве каскадов формирования импульсов переменной скважности использован двухкаскадный транзисторный усилитель с непосредственной связью 1 по схеме с общим эмиттером, вход которого соединен с выходом термочувствительного моста постоянного тока, коллекторы транзисторов через резисторы соединены с источником синусоидального пульсирующего напряжения, а коллектор выходного транзистора соединен со входом усилителя-ограничителя.На фиг. 1 изображена схема описываемого устройства; на фиг. 2 - эпюры напряжений на коллекторе транзистора ПП 1 при изменении величины управляющего тока; на фпг. 3 - эпюры тока и напряжений на элементах моду лятора.Предлагаемое устройство содержит термочувствительный мост 1 постоянного тока, каскады 2 формирования импульсов переменной скважностп, усилитель-ограничитель 3, усили тель 4 мощности в режиме переключений иисточник 5 пульсирующего синусоидального напряжения.Схема 1 работает следующим образом. Приизменении температуры термостата происхо дит изменение величины постоянного управляющего тока в цепи базы транзистора ПП 1, .Питание цепи коллектора транзистора ПП 1 осуществляется пульсирующихт синусоидальным нацряжением (фиг. 2, а), Область 1 соот ветствует работе транзистора в режиме отсечки, область П - работе транзистора в активной области п 1 ри постоянном токе в цепи коллектора. Этот режим работы транзистора устанавливается при коллекторном напряжении, пре вышающем некоторое практическое значение,зависящее от величины тока в цепи, базы. При уменьшении базового тока работы транзистора в активной области начинается при меньших коллекторных напряжениях, и область П 30 расширяется (фиг. 2, б, в, г, д).310237 иг Импульсы на коллекторе транзистора ПП 1 усиливаются последующим каскадом, зпюры напряжения на коллекторе .которого изобра.жены на фиг. 3, а (стрелками на этом рисунке показано направление движения фронтов импульсов при уменьшении тока в цепи базы пранзистора ПП 1, что соответствует повышению температуры термостата,и, как следствие, приближению моста к балансу). В результате ограничения и последующего усиления импульсов напряжения на выходе каскадов формирования импульсов переменной скважности через нагреватель термостата протекает,импульсный ток (фиг. 3, б),Предлагаемая схема позволяет изменять относительную продолжительность импульсов тока подогрева от О до 1 и обладает повышенной чувствительностью по сравнению с известными схемами широтно-импульсной модуляции. Предмет изобретения Устройство для управления мощностью подогрева термостата, содержащее термочувствительный мост постоянного тока, каскады формирования импульсов переменной скважности, усилитель-ограничитель и источник синусоидального пульсирующего напряжения, отличающееся тем, что, с целью расширения 10 пределов регулирования при высоком к. п. д.,в нем в качестве каскадов формирования импульсов переменной скважности использован двухкаскадный транзисторный усилитель с непосредственной связью по схеме с общим эмит тером, вход которого соединен с выходомтермочувствительного моста постоянного тока, коллвкторы транзисторов через резисторы соединены с источником синусоидального пульсирующего напряжения, а коллектор вы ходного транзистора соединен со входом усилителя-опраничителя,310237 г и Риг 2 Составитель В. С. АгаповаРедактор С. И. Хейфиц Техред Т, П. Курилко Корректор О. Б. Тюр Тип, Харьк. фил. пред, Патент Заказ 357/1256 Изд.1019 Тир ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытийМосква, Ж, Раушская наб.,473 Подписное и Совете Министров СССР 4/