Быстродействующий коммутационный выключатель

(19)51)5 Н 01 Н 13/7 1 Щ фвюсщщфч".9 пьрг.,Ис" ,у, )фЙ 1 ум 1, ,чщ,.В.", Б яг .,ЪЪЕТ ЗОБ ПИСАН ЕНТ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОВЕДОМСТВО СССР(71) Научно-исследовательский технологический институт приборостроения(73) Научно-исследовательский технологический институт приборостроения(54) БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ КОММУТАЦИОННЫЙ ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ(57) Изобретение относится к области радиоэлектроники, в частности к конструкциибыстродействующих коммутационных выключателей, используемых как клавиатурадля ввода информации в вычислительных Изобретение относится к области радиоэлектроники, в частности к конструкции быстродействующих коммутационных выключателей, используемых как клавиатура для ввода информации в вычислительных системах или как пульт управления ЭВМ.Целью изобретения является упрощение процесса изготовления и повышение надежности.На фиг.1 изображен общий вид быстродействующего коммутационного выключателя, разрез: на фиг.2 изображено плоское основание: а) в разрезе, б) вид сверху,Быстродействующий коммутационный выключатель содержит плоское основание, . выполненное в виде двух неразьемно соесистемах или как пульт управления ЭВМ. Новым в быстродействующем коммутационном выключателе является плоское основание, выполненное в виде двух неразьемно соединенных диэлектрических слоев - верхнего с по крайней мере одним первым коммутационным контактом и нижнего с по крайней мере одним вторым коммутационным контактом. В верхнем слое выполнено отверстие, обеспечивающее доступ к поверхности второго коммутационного контакта. Быстродействующий коммутационный выключатель исключает необходимость выполнения сквозных металлизированных отверстий в плоском основании, изготовление которых требует дорогостоящей технологии, с использованием драгоценных металлов и процесса фотохимии, а следовательно, повышается его надежность. 2 ил. диненных диэлектрических слоев - верхнего 1 и нижнего 2, дистанционную пленку 3, дискретный замыкающий элемент 4 и фронтальную пленку 5. На нижнем 2 диэлектрическом слое плоского основания ,сформирован по крайней мере один первый коммутационный контакт 7 в виде кольца. В верхнем.1 слое плоского основания внутри кольцевого контакта 7 выполнено отверстие 8 для обеспечения доступа нижней центральной поверхности дискретного замыкающего элемента 4 к поверхности второго коммутационного контакта в нижнем 2 диэлектрическом слое плоского основания. Дистанционная пленка 3 неподвижно соединена с верхним 1 диэлектрическимслоем плоского основания. Дискретный замыкэющий элемент 4 установлен на кольцеобраэную поверхность первого коммутэционного контакта 7 и удерживается в таком положении фронтальной пленкой 5 5, неподвижно соединенной с дистанционной пленкой 3.Быстродействующий коммутационный . выключатель работает следующим образом,В ответ на нажимное усилие, приклады ваемое к центральной части дискретного замыкающего элемента 4, происходит его деформация, благодаря которой его же нижняя центральная поверхность приходит в контакт с поверхностью второго коммутационного контакта 6, Происходит замыкание электрической цепи.Использование заявленного технического решения обеспечивает упрощение технологии изготовления быстродействую щего коммутационного выключателя, т.к. конструкция плоского основания исключает необходимость выполнения сквозных металлизированных отверстий, изготовление которых требует дорогостоящей техноло гии, с использованием драгоценных металлов и процесса фотохимии. При этом повышается надежность быстродействующего коммутационного выключателя за счет исключения в конструкции сквозных металлизированных отверстий.Таким образомобеспечивается достижение положительного эффекта более простыми средствами по сравнению с известными.. Формула изобретенияБыстродействующий коммутационный выключатель, содержащий плоское основание, с по крайней мере одним первым коммутационным контактом и одним вторым коммутационным контактом, дистанционную пленку, дискретный замыкающий элемент, фронтальную пленку, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что плоское основание выполнено в виде двух неразьемно соединенных диэлектрических слоев, верхнего с по крайней мере первым коммутационным контактом и нижнего с по крайней мере одним вторым коммутационным контактом, в верхнем слое выполнено отверстие с обеспечением доступа нижней центральной поверхности дискретного замыкающего элемента к поверхности второго коммутационного контакта.1804658 Составитель Н.ТимошковТехред М,Моргентал . Корректор С.Юско Редактор изводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул, Гагарина, 101 Заказ 1080 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035, Москва, Ж-З 5, Раушская наб 4/5