Коммутатор свч-мощности

(54) КОММУТАТОР СВЧ-МОЩНОСТИ од лектронно ам мо но Изобретение относится к э и технике, а именно - к коммутатор щ сти СВЧ на рп-диодахЦелью настоящего изобретения является снижение потерь пропускания и повышение надежности при микрополосковом исполнении.Поставленная цель достигается тем, что в известной конструкции коммутатора мощности СВЧ, содержащей пассивную часть, включающую отрезок линии передачи, к которой на четвертьволновом расстоянии один от другого через резисторы одними концами подключены и шлейфов, где и2, и и диодов, подключенных к другим концам шлейфов, на пассивную часть нанесена полиамидная пленка толщиной 3 - 5 мкм, на внешней поверхности которой размещены введенные полосковые проводники, совпадающие с проекцией на эту поверхность пассивной части,Описание поясняется фиг, 1 и 2,ОСУДАРСТВЕН) ЮЕ ПАТЕНТНОЕДОЧСТВО СССРГОСПАТЕНТ СССР)(57) Использование; изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве коммутатора мощности СВЧ. Сущность изобретения; коммутатор мощности СВЧ содержит пассивную часть, включающую отрезок линии передачи, к которой на четвертьволновом расстоянии один от другого через резисторы подключены одними концами п шлейфов, где и2, к другим концам которых подключены диоды. На пассивную часть нанесена полиамидная пленка, на внешней поверхности которой размещены введенные полосковые проводники, совпадающие с проекцией на эту поверхность пассивной части. 2 ил,На фиг. 1 дан один из вариантов конструкции, где металлическое основание схемы 1, диэлектрическая подложка 2, центральный проводник схемы 3, четвертьволновые отрезки линий 4, пленочные резисторы 5, ри-диоды 6, слой полиамидной пленки 7, верхний слой металлиэации, повторяющий топологический рисунок схемы 8, заземленный проводник 9,Наличие в конструкции коммутатора слоя полиамидной пленки и слоя металлизации имеет ряд существенных преимуществ по сравнению с прототипом,Во-первых, образовавшаяся структура металлическое основание - диэлектрическая подложка - проводник схемы - полиамидная пленка и слой металлизации представляет собой микрополосковую высокодобротную линию, имеющую пониженные потери, Снижению потерь также способствует малая величина тангенса потерь в полиамидной пленке(19. 5 10 ), 1801234Во-вторых, в предлагаемой конструкции отсутствует необходимость в использовании навесных конденсаторов, роль которых выполняет система: проводник - пленка - слой металлизации, Этот конден сатор имеет большую емкость и эффективно шунтирует резисторы.В-третьих, поскольку полиамидная пленка пробивается при напряжении свыше 100 В и выдерживает нагрев до 250 С, то конструкция имеет повышенную надежность,К преимуществам этой конструкции можно отнести простоту в изготовлении и возможность использования технологии ГИС. 15Отметим, что возможная толщина полиамидной пленки и ограничена сверху и снизу величинами п 1иЬ 2. Нижний предел Ь 1 выбирается таким образом, чтобы, во, первых, исключить разрыв пленки в местах 020 ее изгиба, во-вторых, исключить возможный пробой пленки. Верхний предел Ь 2 определяется величиной емкости, шунтирующей резистор на рабочей частоте, Экспериментальным путем в двухсантиметровом диапа зоне длин волн были определены величины этих пределов: 61 = 3 мкм, Ь 2 = 5 мкм.П р и м е р. В качестве примера рассмотрим конструкцию микрополоскового коммутатора мощности СВЧ, выполненного,на 30 диэлектрической подложке толщиной Н = 0,5 мм с диэлектрической проницаемостью е = 9,8 (фиг, 1). Центральный проводник схемы имеет ширину Ю = 0,5 мм, толщину то" 5 мкм и волновое сопротивление Е = 50 Ом. 335 Четвертьволновые отрезки линий (шлейфы) имеют ту же ширину и толщину, что и центральный проводник. Пленочные резисторы выполнены из тантала с поверхностным сопротивлением 100 Ом/о, Четыре реп-диода подключены одним концом к четвертьволновым отрезкам. а другим - к заземленному проводнику, Поверх схемы нанесена полиамидная пленка толщиной 4 мкм, закрывающая центральный проводник, пленочные резисторы и четвертьволновые отрезки линий, Сверху пленки напылен проводник из слоев никеля (1 мкм), меди (4 мкм) и золота (2 мкм), повторяющий топологический рисунок схемы и не имеющий гальванических контактов с элементами схемы.Частотные зависимости потерь пропускания Ь(1) для рассматриваемого примера приведены на фиг, 2 (кривая 1)На этом же рисунке (кривая 2) для сравнения показана зависимость Ьф измеренная для прототипа. Видно, что выигрыш в потерях в предлагаемой конструкции составляет около 0,4 дБ,Формула изобретения Коммутатор СВЧ-мощности, содержащий пассивную часть, включающую отрезок линии передачи, к которой на четвертьволновом расстоянии один от другого через ре- зисторы подключены одними концами и шлейфов, где и2, и и диодов, подключенных к другим концам шлейфов, о т л и ч а ющ и й с я тЕм, что, с целью снижения потерь пропускания и повышения надежности при микрополосковом исполнении, на пассивную часть нанесена полиамидная пленка толщиной 3 - 5 мкм, на внешней поверхности которой размещены введенные полосковые проводники, совпадающие с проекцией на эту поверхность пассивной части,1801234 Кггц акто рректор С;Шекмар КНТ СССР Производственно-издательский комбинат,"Патент", г. Ужгород. ул,Гагарина, 101 Ь 5 аказ 119 ВНИИ Составитель А.Балы Техред М.Моргентал Тираж ПодписноеГосударственного комитета по изобретениям и открытиям и 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5