Электролит цинкования

(54) ЭЛЕКТРОЛ (57) Использо НИЯ ЦИНКОВЫХ бретения:, эл сульфат цинка ная кислота 5 0,03-0,1. 1 табл ИТ ЦИНКОВАНание: для элекпокрытий. Сущктролит соде50-150, фтори15, глицилгли ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ И ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬ(71) Институт общей и неорганической химии АН УССР, Институт физической химииАН УССР и Институт биоорганической химии АН УССР(56) Авторское свидетельство СССРИ. 1158621, кл, С 25 О 3/22, 1981,Авторское свидетельство СССРМ 1675398, кл, С 25 О 3/38, 1989,Авторское свидетельство СССРМ 268114, кл, С 25 0 3/22, 1968. Изобретение относится к области электролитического цинкования и может найти применение в машиностроении, приборостроении и других отраслях промышленности.Известны комплексные электролиты цинкования, характеризующиеся высокой рассеивающей способностью, например, электролит, содержащий соль цинка, хлорид аммония, борную кислоту, полиэтиленгликоль, смачиватель и стабилизатор работающий при плотности тока 0.1-6 А/дм и температуре 15-40 С, рассеивающая способность которого составляет 60-700 ь (1);Известны сульфатные электролиты, например, меднения, на основе простых солей, обладающие, достаточно высокой рассеивающей способностью, введение в которые в качестве органической добавки гцицилглицилглицина позволяет повысить.Ы 2 1763525 пластичность покрытий при высокой скорости осаждения (2).аайНаиболее близким к изобретению по техническому существу и достигаемому ре- Ос зультату является электролит цинкования, (,) содержащий сульфат цинка, фтористоводо- у родную кислоту и органическую добавку (3).Однако известный электролит обладает низкой рассеивающей способностью и не- фф достаточно высокой скоростью осаждения цинка.вайЦелью изобретения является увеличение рассеивающей способности электролита при высокой скорости осаждения цинка.Указанная цель достигается за счет использования электролита, содержащего, г/л:сульфат цинка 50-150фтористоводородная кислота 5-15глицилглицилглицин 0,03-0,11763525 Таблица 1 Таблица 2 Условия электроосаждения покрытий: катодная плотность тока - 5-30 А/дм, температура 18-25 С, рН - 1-3.Рассеивающая способность электролита составляет 70.Вводимая в электролит органическая добавка - глицилглицилглицин представляет собой простейший трипептид, состоящий из трех остатков аминокислоты глицина и хорошо растворима в водеПри плотностях тока выше 15 А/дм рекомендуется применять барботаж воздухом. Катодный выход по току составляет 92-97 оь. Микротвердость цинковых покрытий, получаемых из изобретенного электролита, составляет 45 .кг/мм в зависимости от плотности тока и концентрации добавки. Выбранные пределы концентраций компонентов электролита обусловлены тем, что уменьшение нижних пределов значений концентрации нецелесообразно, т.к. ухуд.шается рассеивающая способность электролита, а увеличение значений концентраций выше указанных пределов не приводит к сколько-нибудь значительному увеличению рассеивающей способности и скорости осаждения металла. Примеры использования электролитаприведены в таблице 1.В таблице 2 представлены свойстваэлектролита и получаемых покрытий.5 Как видно из таблицы, изобретенныйэлектролит обеспечивает высокую скорость осаждения цинка (до 7,9 мкм/мин) в зависимости от плотности тока, а также повышенную пластичность цинковых по крытий, При этом введение в электролитглицилглицилглицина позволяет обеспечить его высокую рассеивающую способность. 15 Формула изобретения Электролит цинкования, содержащийсульфат цинка, фтористоводородную кислоту и органическую добавку, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышениярассеивающей способности электролита при высокой скорости осаждения цинка, он в качестве органической добавки содержит глицилглицилглицин при следующем соот ношении компонентов, г/л: сульфат цинка50-150; фтористоводородная кислота 5-15; глицилглицилглицин 0,03-0,1,1763525 Продолжение табл, 2 Составитель Е,КубасоваТехред М.Моргентал Корректор О.Густи Редактор М.Кузнецова Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Заказ 3432 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5