Устройство развязки антенных решеток
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ЮЗ СОВЕТСКИХ ИАЛИСТИЧЕСКИ ПУБЛИК 75699) (1 505 Н 0 Е ИЗОБ ТЕНИ ТОРСКОМУ ЕТЕЛЬСТВ ский институт машев .др Антенны ь, 1983, с. 195, РАЗВЯЗКЙ АНиженипя взаимной и передаюэволяет дополя тольза экраном, стия в нем=025+ х 3 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР(46) 23.08.92. Бюл. М 31 (72) Московский энергетиче (72) В.И.Щербаков и М,М, Ю (56) Ямпольский В,Г. и и ЗМС; -М.; Радио и свя рис, 8.19. (54) УСТРОЙСТВО ТЕННЫХ РЕШЕТОК (57) Использование: для сн ного влияния между прием Изобретение относится к радиотехнике, в частности к средствам увеличения развязки между антеннами.Изобретение может быть использовано для увеличения развязки между приемной и передающей линейными антенными решетками или приемной и передающей антеннами, перемещаемыми в направлении, перпендикулярном экрану.Известны устройства развязки в виде многосвязных вынесенных защитных экранов, в основу которых положена идея компенсации полей дифракции от внешних кромок экрана дополнительным излучением из отверстия в экране. Размеры, Форма и положение отверстия относительно кройок экрана выбирается таким образом, чтобы поле, создаваемое отверстием, было равно по величине и противоположно пофазедифракционному полю внешней кромки экрана.Однако такие устройства развязки не достаточно эффективны для антенных решеток.Наиболее близким техническим решением к предлагаемому устройству является квадратный экран. щей линейными антенными решетками, перемешаемыми в направлении, перпендикулярном металлическому экрану. Сущность изобретения: введена цилиндрическая диэлектрическая насадка, установленная на кромке металлического экрана со щелью. форма огибающей поверхности насадки выбрана так, чтобы разность хода лучей, проходящих от излучателей через насадку и через щель, была кратна половине длины волны. 1 ил. Однако квадратный экран побиться эффективного ослабленияко в строго определенной точкегде поля кромки экрана и отверпротивофазны.Цель изобретения - увеличение развязки между антенньцаи решетками.Поставленная цель достигается тем, что в известной устройство, содержащее металлический экран со щелью, введена диэлектрическая насадка, выполйенная-.в Форме цилиндра, ось которого совмещена с кромкой металлического экрана, а Форма огибающей поперечного сечения обеспечивает разность хода лучей через ребро экрана и щель в эране, равную половине длины волны,и выбрана из соотношенийгде е - диэлектрическая проницаемость материала диэлектрической насадки, Н 1 - высота щели относительно плоскости антенных решеток, Н 2 - высота металлического экрана, Х 1, У - координаты огибающей поперечного сечения, Х 2 - расстояние от металлического экрана до соответствующего излучателя антенной решетки,На чертеже показано устройство развязки антенных решеток.Устройство состоит из металлического прямоугольного экрана 1, отверстия 2 в экране, диэлектрической насадки 3, поглотителя 4. По обе стороны экрана расположены излучающие элементы передающей 5 и приемной 6 антенных решеток, между которыми необходимо обеспечить развязку, где 7,8 и 9,10 - лучи, по которым электромагнитное поле, излучаемое элементом передающей антенной решетки, попадает на элементы приемной антенной решетки,Устройство работает следующим образом.Электромагнитное поле, излучаемое элементом передающей антенной решетки, попадает на элементы приемной антенной решетки по двум направлениям; 1) по лучам 7 и 8. 2) по лучам 9 и 10. Выбором огибающей поперечного сечения диэлектрической насадки можно обеспечить разность фаз, равную П+2 пП, где п=0,1,2,., а подбором размера отверстия в экране 2 - равную амплитуде полей, переизлучаемых кромкой экрана и щелью в нем в сторону приемной антенной решетки, В результате этого на ее элемвнтах мы получим поля равной амплитуды и в противофазе, Чтобы исключить третий путь прохождения поля, верхнюю часть диэлектрической насадки можно покрыть диэлектрическим материалом 4.Форма огибающей поперечного сечения диэлектрической насадки получается из решения системы уравнений;х х тх, - У (Н-У, + (Н 2 - У)2 4+ Н 2 -где е -диэлектрическая проницаемость материала диэлектрической насадки. Н 1 - высота щели относительно плоскости антенных решеток, Н 2 - высота металличе ского экрана, Н 1,Х 1,У - координаты огибающей поперечного сечения, Х 2 - расстояние от металлического экрана до соответствующего излучателя антенной решетки.Первое уравнение системы получено 10 путем записи закона Снелля для данногоустройства развязки. Второе уравнение системы является записью условия разности хода лучей через ребро и щель в экране, равной половине длины волны. Величина 15 е влияет на размеры диэлектрической насадки: чем больше е, тем они меньше и наоборот. Формула изобретения 20 Устройство развязки антенных решеток, содержащее металлический экран, установленный в плоскости их симметрии, причем в металлическом экране выполнена щель,отл ича ю щеес ятем, что, с целью 25 увеличения развязки, введена диэлектрическая насадка, выполненная в форме цилиндра, ось которого совмещена с ромкой металлического экрана, а форма огибающей поперечного сечения выбрана из соотноше- ЗО ний= 05+ хгнЗгде е - диэлектрическая проницаемостериала диэлектрической насадки;Н 1 - высота щели относительно плсти антенных решеток;Н 2 - высота металлического экранХ,У - координаты огибающей попного сечения;Х 2- расстояние от метална до соответствующего изной решетки,оск реч- кра- тенлического лучателя а х хг -, хнг.Ред П одственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина аз 3094 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва,.Ж, Раушская наб 4/5
СмотретьЗаявка
4906838, 25.10.1990
МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
ЩЕРБАКОВ ВЛАДИМИР ИЛЬИЧ, ЮМАШЕВ МИХАИЛ МИХАЙЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01Q 1/52
Метки: антенных, развязки, решеток
Опубликовано: 23.08.1992
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1756994-ustrojjstvo-razvyazki-antennykh-reshetok.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство развязки антенных решеток</a>