Способ неразрушающего контроля изделий из ферромагнитных материалов

-"сиз ферромагнитЗОБ ЕЛЬСТВУ ВТОРСКО ическии институткий институтемин, А.П.Демин во ССС 82, 1989 ШАЮЩЕГО КОНТЕРРОМАГНИТНЫХ ится к неразрушаюбыть использовано видеосигналблок 5 подмавходу магнитователЗВМ я, ивторым 4зовате (дб раО ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИРИ ГКНТ СССР(71) Московский энергетИркутский политехниче(54) СПОСОБ НЕРАЗРУРОЛЯ ИЗДЕЛИЙ ИЗ ФМАТЕРИАЛОВ(57) Изобретение относщему контролю и может Изобретение относится к неразрушающему методу контроля и может быть использовано при обнаружениях дефектов в ферромагнитных материалах.Целью изобретения является повышение достоверности и информативности обнаружения дефектов и их размеров за счет расширения информативной возмржности свойств магнитной пленки с управляемой доменной структурой.На фиг,1 и 2 приведены виды доменных структур при наличии и отсутствии полей рассеяния дефектов соответственно; на фиг.3 - структурная схема устройства для осуществления предлагаемого способа.Устройство для осуществления способа неразрушающего контроля изделий из ферромагнитных материалов содержит последовательно соединенные магнитодоменный преобразователь 1 в виде пленки с управляющей доменной структурой, телевизионный в дефектоскопии изделийных материалов. Цель изобретения - повышение достоверности при обнаружении дефекта и информативности при определении его размеров; ширины раскрытия и глубины. Для достижения цели в качестве параметра изменения картины доменной структуры магнитодоменного преобразователя используют ее период, а количественную оценку обнаруженных дефектов проводят по площади изменения магнитного отпечатка при ряде значений подмагничивающего поля. Изменения картины доменной структуры оцеНивают по отношению изображения картины над бездефектным участком изделия. 2 з.п,ф-лы, 3 ил,датчик 2, блок 3 обработки микроЭВМ 4 и управляемый ничивания, подключенный к доменного преобразо подключенный между микро входом магнитодоменного пре ля блок 6 автоматики,Способ осуществляют следу зом,В начальном этапе осущ ние устройства, Магнитодо резователь 1, чувствительн полям рассеяния от дефек над намагниченным эталон дефектами различных разме щении преобразователя н пленке образуется магнит Сигнал магнитодоменного ля 1 посредством телевизи передается в блок 3 обрабо ла, где происходят фильтр ествляют обуче- р,менный преобый к магнитным тов, размещают ным образцом с ф ров. При размеад дефектом наный отпечаток.преобразоватеонного датчика тки видеосигнаация квантова1725106 45 50 55 ние и дискретное выделение видеосигнала. Измерение периода доменной структуры преобразователя 1, измерение площади магнитного отпечатка от различных дефектов при разных полях подмагничивания Но производятся микроЭВМ и программным путем. Результатом обучения является составление и запоминание в микроЭВМ таблиц зависимостей площади магнитного отпечатка от ширины трещины и значений подмагничивающего поля. Кроме того, составляются таблицы зависимостей глубины дефектов и изменения площади магнитного отпечатка при фиксированной ширине дефектов. МикроЭВМ 4 управляет процессом контроля и обработкой информации в блоке 3 обработки видеосигнала, а также управляет блоком 5 подмагничивания.После проведения обучения устройства на эталонных образцах переходят к контролю реальных иэделий намагниченных аналогичным образом и изготовленных из того же материала, что и эталонный образец. Магнитодоменным преобразователем 1 посредством блока автоматики осуществляется сканирование контролируемого изделия (не показано). В процессе сканирования измеряют период доменной структуры магнитной пленки преобразователя, сравнивают с периодом доменной структуры,полученным на бездеффектном участке изделия, а обнаружение дефектов производят по степени изменения периода доменной структуры магнитной пленки преобразователя. Для определения ширины обнаруженных дефектов используют ранее установленную зависимость ширины дефекта и площади магнитного отпечатка при подмагничивании полем Но, При определении ширины дефекта используется тот факт, что площадь магнитного отпечатка не зависит от глубины дефекта в пределах чувствительности метода. Для определения глубины дефекта используется факт, что ширина уже установлена, и таблицы зависимостей глубины дефектов от изменения площади магнитного отпечатка минимум при двух значениях поля подмагничивания, одна из которых выбирается таким, что магнитная пленка не обнаруживает дефект, т.е. переходит в состояние насыщения, Тогда по изменению площади магнитного отпечатка и значению поля насыщения Нн можно оце 5 10 15 20 25 30 35 40 нить размер дефекта, т.е, глубину, используя ранее полученные на этапе обучения зависимости.Предлагаемый способ по сравнению с известным обеспечивает повышение достоверности контроля и позволяет получить количественную оценку размеров дефектов в ферромагнитных изделиях за счет выбора таких параметров контроля, как период доменной структуры магнитной пленки, площадь магнитного отпечатка и значение поля подмагничивания Но.В качестве микроЭВМ может быть использована любая класса "Электроника" со стандартным набором устройств.Формула изобретения 1. Способ неразрушающего контроля изделий из ферромагнитных материалов, заключающийся в том, что преобразователь на основе магнитной пленки с управляемой доменной структурой размещают вначале над бездефектным, а затем - над испытуемым изделиями, и по изменению картины доменной структуры под воздействием полей рассеяния дефектов, определяют их наличие, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения достоверности обнаружения дефектов в процессе сканирования, в качестве параметра изменения картины доменной структуры используют ее период.2. Способ по п.1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения информативности контроля за счет определения также и ширины раскрытия протяженного дефекта, измеряют площадь магнитного отпечатка на магнитной пленке с доменной структурой, размещенной над обнаруженным дефектом, и величину напряженности подмагничивающего поля, по значениям которых определяют ширину раскрытия. 3. Способ по п.1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения информативности контроля за счет оценки также и глубины дефекта, проводят не менее двух измерений площади магнитного отпечатка на магнитной пленке, размещенной над дефектом, при разных значениях напряженности подмагничивающего поля и по величине изменения площади магнитного отпечатка и величине подмагничивающего поля определяют глубину дефекта,1725106 Риь оставитель Л. Бодровехред М.Моргентал Коррек Осаулен Редактор И. Горная каз 1171 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 ина, 101 инат "Патент", г. Ужгород, ул.Га роизводственно-издательскии ко