Транзисторный ключ

союз советскихСОЦИДЛ ИСТИН ЕСКИРЕСПУБЛИК Н 5 Н 02 М 1/08, 7/5 ОСУДАРСТВЕННЫИ КОПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И РИ ГКНТ СССР ИТЕТКРЫТИЯМ ИЕИ К АВТ Му СВИДЕТЕЛЬСТ(71) Научно-исследовательский институт автоматики и электромеханики при Томскоминституте автоматизированных систем управления и радиоэлектроники(56) Патент США3 Ф 4339671, кл, Н 03 К 17/60, 307-253,13.07.82,Авторское свидетельство СССРЬ 1141544, кл. Н 02 М 7/537, 12.08.83.Авторское свидетельство СССРВ 970588, кл. Н 02 М 1/08, 08,04.81,Изобретение относится к электротехни-. ке и может быть использовано в источниках вторичного электропитания систем радиотехники, автоматики и вычислительной техники.Цель изобретения - повышение надежности путем упрощения схемы,На фиг.1 приведена электрическая схема ключа; на фиг,2 представлены диаграммы токов и напряжений на элементах ключа,Транзисторный ключ содержит силовой транзистор 1, первый 2 и второй 3 управляющие транзисторы, подключенные к выводам запирающего 4 и отпирающего 5 источников напряжения, первый 6 и второй 7 резисторы, диод 8 и трехобмоточный дроссель 9, первая 10, вторая 11 и третья 12 обмотки которого подключены к транзистору 2(57) Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в источниках вторичного электропитания. Цель - повышение надежности путем упрощения схемы, Устр-во содержит силовой транзистор 1, первый 2 и второй 3 управляющие транзисторы и трехобмоточный дроссель 9. При отпирании управляющего транзистора 3 отпирается силовой транзистор 1, а в первой обмотке 10 дросселя 9 накапливается энергия магнитного поля. При за 11 ирании управляющего тра зистора 3 энергия, накопленная в дросселе 9, через обмотки 12 и 11 отпирает управляющий транзистор 2 и запирает переход база-коллектор силового транзистора 1 через обмотку 11 и диод 8, 2 ил. Устройство работает следующим образом. При входном сигнале 13 нулевого уровня (фиг.2) транзистор 3 открывается и замы.кает цепь базового тока 14 транзистора 1 через обмотку 10 дросселя 9, При насыщении сердечника дросселя 9 этот ток может ограничиваться резистором или внутренним сопротивлением отпирающего источника 5, Полярность обмотки 12 (15 на фиг.2) при включении транзистора 3 и увеличении базового тока транзистора 1 не способствует открыванию транзистора 2.Повышение уровня входного сигнала приводит к запиранию транзистора 3 и прекращению базового тока транзистора 1, При уменьшении базового тока в обмотке 10 в обмотках 11, 12 наводятся импульсные ЗДС (15 на фиг,2), в результате чего транзистор 2 отпирается, а к переходу база-коллектортранзистора 1 прикладывается запирающее напряжение через диод В.Длительность импульса, возникающего на обмотке 12, выбирают равной или несколько большей времени рассасывания иэ быточного заряда в базовой области транзистора 1 при протекании тока от источника 4 через транзистор 2, После запирания транзистора 1 он находится в закрытом состоянии под действием запира ющего напряжения (18 на фиг.2) источника 4 через резистор 6.Таким образом, введение трехобмоточного дросселя 9 позволяет исключить промежуточные элементы связи между первым 15 2 и вторым 3 управляющими транзисторами, упростить схему устройства, повысить надежность и КПД. 20Формула изобретенияТранзисторный ключ, содержащий силовой транзистор, коллектор и эмиттер которого присоединены к выходным выводам, а база подключена к первому силовому вы воду первого управляющего транзистора и через первый резистор - к его второму силовому выводу, присоединенному к первому выводу источника запирающего напряжения, второй вывод которого подключен к эмиттеру силового транзистора и первому выводу источника отпирающего напряжения, второй вывод которого присоединен к первому силовому выводу второго управляющего транзистора, вход управления которого, шунтированный вторым резистором, подключен к входному выводу управления, диод, первый вывод которого присоединен к коллектору силового транзистора,отличающийся тем,что,сцелью повышения надежности путем упрощения схемы, введен трехобмоточный дроссель, первая обмотка которого включена между вторым силовым выводом второго управляющего транзистора и базой силового транзистора, соединенной с вторым выводом диода через вторую обмотку дросселя, третья обмотка которого присоединена к входу управления первого управляющего транзистора.оставитель В. Ежо хред М.Моргентал Тираж ПодписноеИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5