Устройство для топографии магнитного поля

.8)детельство СССР й 33/02, 1979,ПОГРА тель- быть мерено в необполя и при оле в я как СУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМи гкнт сссР ПИСАНИЕ ИЗОБ(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТО МАГНИТНОГО ПОЛЯ (57) Изобретение относится к вычисли ной и измерительной технике и может использовано при необходимости из ния магнитного поля одновремен: большом числе точек плоскости, при ходимости визуализации (топографии) с помощью дисплея или телевизора ил необходимости ввода информации о и ЭВМ. Измерение может производитьс переменных, так и постоянных во времени магнитных полей, например магнитных головок запоминающих устройств, полей смещения и управления в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах и в других случаях. Цель изобретения - повышение быстродействия - достигается выполнением каждого из взаимосвязанных элементов 2 в виде генератора 3 заряда с выходным электродом 4, основных электродов 5, 6, вспомогательных электродов 7, 8, зарядопроводящей цепи 9 с входным электродом 10, промежуточным электродом 11 и выходным электродом 12 и зарядопроводящей цепи 13 с входным электродом 14, промежуточным электродом 15 и выходным электродом 16. Устройство также содержит полупроводниковую пластину 1, З на которой размещена матрица из столбцов и строк взаимосвязанных элементов 2. 2 ил.16. Причем электроды 5, 7, 10 и 6. 8.,14 35расположены так, чтобы была возможна передача зарядов, находящихся в потенци 40 Изобретение относится к вычислительной и измерительной технике и может быть использовано ггри необходимости измерения магнитного поля одновременно в большом числе точек плоскости, при необходимости визуализации (топографии) полл с помощью дисплея или телевизора или паи необходимости ввода информации о поле в ЭВМ, Может проводиться измерение как переменных, так и постоянных во времени магнитных полей, например магнитных головок запоминающих устройств, полей смещения и управления в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах и в других случаях,Целью изобретения являешься повышение быстродействия.На фиг, 1 представлена функциональная схема устройства; на фиг,2 - временные диаграммы одного цикла измерения.Устройство содержит покрытую слоем диэлектрика полупроводникаву о пластину 1, на которой размещена матричная регулярная структура из столбцов и строк взаимосвязанных элементов 2. Каждый элемент содержит генератор 3 заряда с выходным электродом 4, первый 5 и второй 6 основные электроды, первый 7 и второй 8 вспомогательные электроды, первую зарядопроводящую цепь 9 с входным электродом 10, промежуточным электродом 11 и выходным электродом 12, вторую зэрядопроводящую цепь с входным электродом 14, промежуточным электродом 15 и выходным электродом альных ямах над электродами 5 и 6, под действием управляющих сигналов в сторону электродов 10 и 14 соответственно; элементы 2 расположены так, чтобы зарядопроводящие цепи соседних в строке элементов 2 образовали две цепи передачи заряда ат элемента-к элементу. Информация с выходных электродов зарядопроводящих цепей последних в строках элементов считывается специальными схемами считывания, Электроды 5 и 6 располагают на равном расстоянии от выходного электрода 4 генератора 3 заряда так, чтобы была возможна передача заряда без существенных потерь между ними и чтобы угол, который образуют линии, соединяющие центры электродов 5 и 6 с центром электрода 4, был острым. Злектроды 5 и 6 располагают с таким расчетом, чтобы передача заряда между ними была исключена. Цепи подведения управляющих сигналов на схеме ус"ройствэ не показаны. Временныедиаграммы одного цикла измерения картины магнитного поля 5 10 :15 20 25 30 в предположении, что полупроводниковая пластина выполнена из полупроводника ртипа, представлены на фиг. 2, где Оо - напряжение, незначительно превышающее напряжение инверсии поверхности полупроводника; 01 - напряжение хранения за- . ряда; О 2 - напряжение передачи заряда;0201 Оо.Магнитные силовые линии поля, подлежащего измерению, перпендикулярны плоскости полупроводниковой пластины.Устройство работает следующим образам,Если напряженность измеряемого магнитного поля равна нулю, то в момент передачи заряда из-за электрода 4 к электродам 5 и 6 вследствие симметричного расположения электродов 5 и 6 относительно 4 произойдет деление передаваемого заряда пополам, Половина заряда сконцентрируется под электродом 5, а половина - под электродом 6, Равные заряды передаются под электроды 7 и 8, затем под электроды 10 и 14. Равные заряды будут сдвинуты по зарядопроводящим цепям к схемам считывания данной строки, так что разностный сигнал будет равен нулю. Если напряженность измеряемого поля не равна нулю, то в зависимости ат напряженности и направления поля произойдет неравное распределение заряда, передаваемого от электрода 4 к электродам 5 и 6. Больший по величине заряд сконцентрируется пад одним из электродов (5 или 6), следовательно, появится разностный сигнал в схемах считывания строки, амплитуда и знак которого зависит от величины и направления внешнего поля. Используя внешние цепи усиления сигнала и синхронизации, легко сформировать телевизионный сигнал и вывести информацию о магнитном поле во всех узлах матричной регулярной структуры устройства на экран телевизора или передать в вычислительную машину.Формул а и заб рете н ия" Устройство для топографии магнитного поля, содержащее полупроводниковую пластину, на которой размещена матрица, состоящая из столбцов и строк взаимосвязэнныхзлементов,отличающееся тем, что, с цепью повышения быстродействия, каждый из взаимосвязанных элементов выполнен в виде генератора заряда с выходным электродом, первого и второго основных электродов, первого и второго вспомогательных электродов и первой и второй эарядопроводящих цепей, а все электроды и зарядаправодящие цепи изо1652951 Врею ф оставитель Л,Устиновахред М.Моргентал Ред А.Маковская ал рректо аз 1772 Тираж 433 Подписное8 НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ С113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 оизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гага лированы от пластины, причем основные электроды расположены на равном расстоянии от выходного электрода генератора заряда, центры этих электродов с центром выходного электрода генератора заряда составляют угол, меньший 180, между первым основным электродом и входным электродом первой зарядопроводящей цепи расположен первый вспомогательный электрод, между вторым основным электродом и входным электродом второй зарядопроводящей цепи располагается второй вспомогательный электрод, входной электрод первой зарядопроводящей цепи расположен рядом с выходным электродом первой зарядопроводящей цепи предыдущего элемента строки, выходной электрод первой зарядопроводящей цепи расположен 5 рядом с выходным электродом последующего элемента строки и входной электрод второй зарядопроводящей цепи расположен рядом с выходным электродом второй зарядопроводящей цепи, предыдущего эле мента строки, выходной электрод второй зарядопроводящей цепи расположен рядом с входным электродом второй зарядопроводящей цепи последующего элемента строки.