Акустоэлектрический преобразователь

(57) И 1 брь гсвязи и м кемо гател ьно истанций.1 е.ька ц ест вдрев алектри в сНЦХ ИСКДж 1- + Сй ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ Н 1.хТРИь 4 Е(,:)х ИЙ Р.:Оение от нькится к гелефонноибьгь, исн)дьзьвдыо во всноконь ьном оборудовании ноль и обретен и 51 повышение брдзовдния звукового сигнала КИИ НУТЕМ СНИЖЕНИ 51 Ньт)ИНЕИ- ни и ство.ьидции кодф.,801633509 А 1 усиления. Лкустоалектрический преобразователь содержит трдызи. горы- 3, микрофон 4, полевой транзистор 5, резисторы 6- 9, конденсатор 10 и стабилитроныи 12. 11 ри агом цепь, состоящая из резисторов 6 8, соединеннььх с нолевым транзистором 5, образует цепль оьрицательной обратной связи (00 по постоянному току, д пень, состоящая из резисторов 7 и 8 и конденсатора 10, - цепь 00(. го перел 1 енному току. Использование двух пеней глубоких 00(,. но переменному и нь)стоянному токдл 1 и полевого транзистора 5 приводит к уменьшеник) входной емкости и к увелицению вхь);ьього со)ротивления, цто ио.во.яет и нльзовать пьезоэлектрический микрофон .1, д также нриводит к увеличению,ьидд.ьонд изменения выходного тока и лменьпенин) не,ьинейных искажений и зависимси козф. усиления от параметров и н.ьусмц х гранзисторов 1,) и темпе, л;11, 1,Изобрегение относится к технике телефонной связи и может быть использовано во вспомо ате.ьном оконсчном оборудовании ндстанций.Целью изобретения является повышение качества преобразования звукового сигнала в электрический путем снижения нелинейных искажений и лабилиззции кэффициента усиления.На чергсжс приведена принципиальная элскт 1 ичсскдя схема акустоэлектрического преобразвателяЛкустоэ.1 елгри еский преобразователь содержит пс рвый 1, второй 2 и третий 3 транзисторы, микрофон 4, полевой транзистор 5, первый 6, второй 7, третий 8 и чсГвертый .) рс,(истр(1, конденсдтор 1), Исрный 1 и второй 12 стзбилитроны, первый 13 и второй 14 выводы дкустоэлекгрическ О цреобрд (Ондтеля.11 реобрдзонз ге,ь рдботзег следук)цгичбрз,ц;15 ыводь5 и 4 погключаются к,инни свя (и, п л Орй и 1 гкусгоэзсктрический преобразователь подается нзцряженис пигдция .Акуси сский сигнал нрсобрз(хс Гся микрофном 4 и эсскгрический, уси,индстся нолсвым грдн (истром 5 и трзн(илордми3 и исту(дет в .ицию свя(и. Цепь, ссгонидя из рсзистора 8, сое.шнсн)г с ском и),ц в ГО тр;нзисгрз 5, ис Гол ГГ.)рГО .Ое,1 инец с рсзис торг)ми ) и 7, ре,; дв.(я. ссй цс.цьт)ицзтс.льОй Обрд гной связи (ОО,) по нос гоянол(у ГОК).и Ид,(, снимаемый с полевого гран.(нсгр 5, псгудсг нз переход эмиттер - 6,зд рзнзисгорд1 ри увеличснии выхдн о н,прикения нкоя эгот сигнал тдкжс увеличиваегся, чг приводит к росту кол- .ЦКГОРНОч) тКД ГР;НЗИЛОРДИ КОЛЛЕК- горного тока трын (и гров 2 и 3.Наоборот, при умсньшении вы.хдиого напряжения коллекторный гок транзисторов 2 и 3 уменьшается, что препятствует дальнейшечу уменьшению выходного напряжения 11)скольку ве,ичица коллекгорного тока грднзисторарезко завися О) разности потенциалов чсжду его эчиттером и базой, г происходи стдби,изация выходноп нзпря кения покоя Цепь, состоящая ;(3 рс ОГр Ь, кнденсдтри рсзис- Грз 7, ян.яс(ся (,сью О)С ио переменимл ткус игц,л с резисгорз )5 п)ступает в цепь элИттсрг( гран (игрд 1, нд сток по.ево- О рзнзысгрд 5 и н цепь пидиня исток ИО, (О(рг нз)с1)г 5 чс рс з р( зис тор Ь, и гзкж в цспь (,Гвор, И)лсног гранЗИЛОрд 5 Чс рсЗ рСЗИСГр ,. ,И НдЛ 00 ступаю(ций в це ь эмиср; (рзнзистрд 1, сГ 16 или (ирчс Г к) 31)и циси Г л с и.1 сния п 1 с . ного си И,),1; (к) ( рслсннол(, ку и уменьНдст НЕЛИНсйНЫ ИСЛ,+с НИЯ; Гзлж УМСНЬ идет здвисимц гь лэИцис цгд уси.нчя От разброса параметров используемых транзисторов 1 3 и от температуры. Сигнал ООС, поступающий на сток полевого транзистора 5, уменьшает его входную емкость, что приводит к увеличению амплитуды полезногосигнала от микрофона 4. Сигнал ООС,поступающий на цепь питания истока полевого транзистора 5, уменьшает переменную сставляюцгую тока через резистор 6 и, тем самым, увеличивает переменную составляюцую тока, поступающую на вход последующего усилительного каскада на транзисторе 1 Сигнал ООС с резистора 9 увеличивает обцс е вхс)зное сопротивление усилителя.С гдбилитроныи 12 предохраняют акус тоэлектрический преобразователь от перенапряжений в линии связи.Гакил образом, применение двух глубоких ООС но переменному и постоянномугокдм и полевого транзистора 5 приво- .и к уменьшению входной емкости и увеличению входцо сопротивления что позволяет использовать пьезоэлектрический микрофон), з гакже к увеличению диапазонаизменения выходного тока и уменьшению нс инейных искажений и зависимости коэф фицис нтз ус иления от параметров примененных транзисторов3 и температуры. Фор,иу.га гг;(обретения30 .Акусгоэсссгрический преобразователь, содержащий микрофон и конденсатор, первый вывод которого подключен к первым выво,гдм первого резистора и второго резистора, второй вывод которого является перныч выводом дкустоэлектрического преобра (дателя, вторым выводом которого явля гся первый вывод первого стабилитрона, вгорой вывод которого через встречно включс нный второй стабилитрон подключен к второму выводу второго резистора, коллектор первого транзистора подключен к базе второго транзистора, коллектор которого через трегий резистор подключен к эмиттеру первого транзистора, третий транзистор и четвертый резистор, при этом первый и второй транзисторы имеют разные типы проводи мости, от,гичающийея тем, что, с цельюповышения качества преобразования звуко- вого сигнала в электрический путем снижения нелинейньх искажений и стабилизации лэффи циентз усиления, введен полевой гр)И)истр, затвор которого через четвертый 55 рсзистор нодклк)чец к первому выводу второг резистора, второй вывод которого через чикрофн пдключен к затвору полевого тран.(исторз, исток которого подключен к второму Г)ыв)ду первого резистора и базе первго грзнзисгорд, миттер которого подклюпш к соку полезог транзистора и второму выводу лонденсд гора, коллектор второгоранаистора по,гкскзчен к первому выводу с рвог стзбилитрна и коллектору третье633509 Составитель Г. КорсаковРедактор Н. Рогулич Техред А. Кравчук Корректор С, ЧерниЗаказ 623 Тираж 387 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 1 О 1 го транзистора, база и эмиттер которого подключены соответственно к эмиттеру второго транзистора и второму выводу второго резистора, при этом третий транзисторимеет тот же тип проводимости, что и второй транзистор.