Конденсаторный микрофон
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
союз советснихсаавлистичкснихреспувлин Н 19/01, 1 Ьюл,21 ститут РОДНОГО ХО Д еМ в Колотилоанов и Б.К, Шурд)332596 1,1985 са 1 зосхеГу4 А б ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТпо изсвретениям и атнрцтПРИ ГКНТ СССР(57) Изобретение относится к электроакустике, Цель изобретения - повышение надежности работы путем повышенивлагоустойчивости, Конденсаторный мирайон содержит неподвижный кремниевыиэлектрод 1, полимерную мембрану 5 иизоляционную кольцевую прокладку 4между ними, Обращенные друг к другуповерхности неподвижного электродаи мембраны покрыты электретной пленкой 2 оксида кремния 810 и металлической пленкой 6 соответственно. Насвободную поверхность электретнойпленки 2 нанесена полиэтилентерефталатная пленка толщиной 10"20 мкм.1 ил.Изобретение относится к электроакустике,Целью изобретения является повышение йадежности работы конденсаторного микроФана путем увеличения еговлагоустойчивости,На чертеже приведен конденсаторный микройон,Конденсаторный микроФон садердит неподвижный электрод 1, представляющий собой полированную до 14-гокласса пластину монокристаллическогокремния марки КЗФ 4,5 с ориентацией,". 111 толщиной 300 мкм, размером 156 х 6 мм и отверстием В 0,8-1 мм,2оксидную пленку 2 толщиной 1,3-2 мкм,полученную методом Влажного окисленияпри температуре 1000+1 С, защитноепокрытие 3 толщиной 10-20 мкм, полученное методом наплавления под давле,нием более 0,2 М 11 а полиэтилентерефталатной (ИЗТФ) пленки (ТУ 6-05-194-6),кольцевую прокладку 4 из ПЗТФ пленкитолщиной 10-20 мкм, мембрану 5 из 25ПЗТФ пленки толщиной 5-10 мкм, металлическое покрытие 6 на поверхностимембраны, обращенной к неподвижномуэлектроду 1, воздушный зазор5 -10 мкм, отверстие 8 ф 0,8-1 мм, корпус 9, акустический объем (полость10) и металлическое (алюминиевое)покрытие 11 на электроде. Защитное покрытие из ПЗТФ пленки35 толщиной 10-20 мкм наплавляли на по" верхность оксидных пленок да их электризации в коронном разрядеНаплавление производили под давлением более 0,02 МПа через Ьторопластавую прокладку толщиной 10"50 мкм, расположенную между пленкой ПЗТФ и.нагрузочным механизмом. Фтаропластовую прокладку использовали в качестве материала, предохранящего прилипание расплавленной ПЭТФ пленки к нагрузочному механизму (металлическому цйлиндру или подпружиненному штоку), При давлении .менее 0,02 МПа пленка ПЗТФ в процессе расплавления сокращалась в размевах и50 неравномерно покрывала рабочую поверхность. Толщину ПЗТФ пленки ограничивали величиной 10-20 мкм в связи с тем, что при толщине менее 10 мкм ухудшались влагозащитные свойства покрытия, а при толщине ПЗТФ более 20 мкм рез 55 ко уменьшалась чувствительность преобразователя из-за сокращения плотности индуцируемого заряда на мембране с увеличением расстояния между заряженной поверхностью Б 0 и мембраной,Электризацию образцов (кристаллов с пленкой Б.О и защитным покрытием) осуществляли втечение 15-30 с при температуре 16015 С постоянным налряжением 4-5 кВ с;отрицательным смещением на игольчатом электроде. Расстояние ат иглы до поверхности образцов составляло 9-10 мм.При температуре электризации 160+ +5 С наблюдалась оптимальная влагостойкость заряженных пленок БьО и Формировалась наиболее устойчивая модификация гидройобного кремнийорганического соединенияИспытания ПЭТФ пленок, нанесенных на металлические подложки, показали, что ПЭТФ пленки в отличие от других защитных покрытий, используемых в мик роэлектронных устройствах, не заряжались в короне при повышенной температуре. После электризации БхО пленок с нанесенным защитным покрытием проводили испытания их на влагостойкость путем выдержки в закрытом эксикаторе с водой и периодического измерения потенциала поверхности методом компенсации (ГОСТ 25209-82), Потенциал поверхности сразу после электризации на образцах размером 6 х 6 мм составлял 300-400 В при толщине оксицных пленок 1,3 мкм.Исследования показали, что влага- стойкость БО, электретов с покрытием ПЭТФ не уступает влагостайкости электретов из Фторопласта при соответствующем начальном значении потенциала поверхности 300-400 В.Как на БО, электретах с защитным покрытием, так и на Фторопластовых пленках 4 МБпотенциал поверхности уменьшался во влажной среде до некоторого стабильного значения 50-60 В, которое затем. сохранялось на этом уровне в течение длительного времени.Формула и з о б р е т енияКонденсаторный микрофон, содержащий неподвижный кремниевый электрод, полимерную мембрану и изоляционную кольцевую прокладку. между ними, причем обращенные друг к другу поверхности неподвижного электрода и мембраны покрыты электретной пленкой оксида кремния и металлической пленкой соответственна, о т л и ч а ю щ и й с яСоставитель И, ИгумноваТехред М.Г.:икеш Редактор А. Лежнина Корректор М. Пожо Заказ 4255 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКЦТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101 5 1 б 21184 6тем, что, с целью повышения надещни.= электретной пленки из оксида кремния ти работы путем увеличения влагоустой- нанесена полиэтилентерефталатная пленчивости, на свободную поверхность ка толщиной 10-20 мки,
СмотретьЗаявка
4635782, 24.10.1988
КИЕВСКИЙ ИНСТИТУТ НАРОДНОГО ХОЗЯЙСТВА
РЯБЧЕНКО ГЕОРГИЙ ВЛАДИМИРОВИЧ, КОЛОТИЛО ДАНИИЛ МАКАРОВИЧ, БРОМ НИКОЛАЙ СЕРГЕЕВИЧ, ИВАНОВ АЛЕКСЕЙ АЛЕКСЕЕВИЧ, ШУРДУК БОРИС КОНСТАНТИНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H04R 19/01, H04R 19/04
Метки: конденсаторный, микрофон
Опубликовано: 15.01.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1621184-kondensatornyjj-mikrofon.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Конденсаторный микрофон</a>
Предыдущий патент: Устройство согласования линий междугородной и местной телефонных станций
Следующий патент: Устройство для подключения ламп накаливания к источнику постоянного тока
Случайный патент: Машина для испытания материалов на изгиб