Установка для изготовления изделий методом гальванопластики

Номер патента: 1611995

Авторы: Гайдученко, Гудрамович, Коваленко

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 51)5 С 25 О 1/02 НИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ПИ ТЕЛЬСТВ К АВТОРСКОМУ лекторов и гелиоконцентрагальванопластики, Целью вляется повышение качестувеличение номенклатуры ых изделий, Установка выто появляется возможность ние катод-матрицы относи- электролита в ванне и исатод-матрицы различных новка включает электролиу 1, неподвижные аноды 3, 2, закрепленную на валу 4 ащения 11, траверсу, кото- по стойкам 7 и гибкое звеой гидростатической переленкои А.П.Гай 10 ОСУДАРСТВЕН(ЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР(21) 4495869/3102 (22) 20,10.88 (46) 07.12.90. Бюл. М 45 (71) Специальное конструкторско-технологическое бюро Института технической механики АН УССР (72) В.С,Гудрамович, А.И.Кова дученко (53) 621.357.77.002.52(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР . М 476073, кл. С 25 Р 17/00, 1973.Авторское свидетельство СССР М 825267, кл. С 25 О 17/00, 1979. (54) УСТАНОВКАДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ МЕТОДОМ ГАЛЬВАНОПЛАСТИКИ (57) Изобретение относится к гальванопластике и может быть использовано при производстве реф торов методом изобретения я ва обработки и обрабатываем полнена так, ч менять положе тельно уровня пользовать к размеров. Уста тическую ванн катод-матрицу механизма вр рая движется но 10 объемн дачи. 2 ил. 1611995 А 1Изобретение относится к гальванопластике, в частности к устройствам для изготовления рефлекторов больших зеркальных антенн и гелиоконцентраторов методами гальванопластики.Целью изобретения является повышение качества обработки и расширение функциональных возможностей установки путем увеличения номенклатуры обрабатываемых иэделий,На фиг.1 изображена предлагаемая установка, вид спереди; на фиг,2 - то же, вид справа,Установка для изготовления рефлекторов больших зеркальных антенн содержит электролитическую ванну 1, внутри которой размещается катод-матрица 2 и неподвижный анод 3, катод-матрица 2 закреплена на конце вала 4 телескопической конструкции, Вал 4 с помощью шарнира 5 прикреплен свободно к траверсе 6, которая движется по стойкам 7 вверх и вниз с помощью червячной пары 8 и электродвигателя 9. Траверса 6 с помощью гибкого звена 10 соединена с валом 4 через хвостовик проушины шарнирно.Установка работает следующим образом.После закрепления катод-матрицы 2 на валу 4 механизма 11 вращения катод-матрица 2 опускается в электролитическую ванну 1, траверса 6 поднимается до верхнего положения на стойке 7, соответствующего полному погружению катод-матрицы в электролит,Ванна заполняется электролитом до полного погружения катод-матрицы 2 в электролит, включается источник питания и начинается электролитический процесс осаждения металла на токопроводящую катод-матрицу 2, которая вращается на валу 4,Процесс осаждения металла на катод- матрицу 2 длительный и разбит на несколько этапов с различными плотностями катодного тока.По мере осаждения металла на катод- матрицу 2 и получения минимально заданной толщины осадка на поверхности катод-матрицы 2 траверсу 6 опускают до определенного положения на стойке 7 и, соответственно, через гибкое звено 10 объемной гидростатической передачи автоматически отклоняется на определенный угол . вал 4 механизма вращения катод-матоицы 2, что соответствует определенному положению катод-матрицы 2 относительно уровня электролита в ванне (т.е. часть поверхности осаждения катод-матрицы 2 начинает периодически погружаться в электролит). Таким образом, на участок катод-матрицы 2, который периодически по гружается в электролит, осаждается металламеньше, т.е. соблюдается зависимость, чем меньше поверхность осаждения находится в электролите, тем меньше осаждается металла на эту поверхность, При движении 10 траверсы 6 по стойкам 7 вниз она проходитнесколько фиксированных положений, которые соответствуют определенным углам отклонения вала механизма вращения и определенному положению катод-матрицы от носительно уровня электролита в ванне, т.е.площадь осаждения катод-матрицы, которая периодически погружается в электролит, увеличилась в несколько раз, что улучшает качество осадка, так как появляет ся возможность лучшего отделения водорода в процессе электролиза.Таким образом, увеличивая или уменьшая площадь осаждения на катод-матрице и регулируя длительность процесса осажде ния по времени в каждом фиксированномположении катод-матрицы, можно получать переменную толщину по меридиану рефлектора, ставя ее в зависимость от требований к конструкции рефлектора, Использование 30 предлагаемой установки для изготовлениярефлекторов больших зеркальных антенн методом гальванопластики позволяет по сравнению с существующими расширить функциональные возможности и номенкла туру изготавливаемых изделий, повыситькачество изготавливаемых изделий и получать изделия переменной толщиной осаждаемого металла по меридиану,40 Формула изобретенияУстановка для изготовления изделийметодом гальванопластики, преимущественно рефлекторов больших зеркальных антенн и гелиоконцентраторов, содержащая 45 ванну для электролита, неподвижный анод,катод-матрицу, размещенные на валу механизма ее вращечия, закрепленного с возможностью вертикального перемещения на траверсе, и устройство для поддержания по стоянного уровня электролита в ванне, о тл ича ю ща я ся тем,что,с целью повышения качества обработки и увеличения номенклатуры обрабатываемых изделий, вал механизма вращения выполнен телескопи ческим, а траверса через гибкое звено гидростатической передачи шарнирно соединена с наружной втулкой вала.1611995 Составитель И.Сааковаедактор Н,Рогулич Техред М,Моргентал . Корректор М,Самборская Заказ 3816 Тираж 546 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул, Гагарина, 10

Смотреть

Заявка

4495869, 20.10.1988

СПЕЦИАЛЬНОЕ КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ БЮРО ИНСТИТУТА ТЕХНИЧЕСКОЙ МЕХАНИКИ АН УССР

ГУДРАМОВИЧ ВАДИМ СЕРГЕЕВИЧ, КОВАЛЕНКО АЛЕКСАНДР ИВАНОВИЧ, ГАЙДУЧЕНКО АНАТОЛИЙ ПАВЛОВИЧ

МПК / Метки

МПК: C25D 1/02

Метки: гальванопластики, методом

Опубликовано: 07.12.1990

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1611995-ustanovka-dlya-izgotovleniya-izdelijj-metodom-galvanoplastiki.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Установка для изготовления изделий методом гальванопластики</a>

Похожие патенты