Полумостовой транзисторный инвертор

СОЮЗ СОВЕТСКИКСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 1)5 Н 02 М 7/53 ОСУДАРС ПО ИЗОБР ПРИ ГКНТ ЕННЫЙ НОМИТЕТНИЯМ И ОТКРЫТИЯМСР ОБРЕТ ПИСАН ОРСКОМУ СИИ ЬСТ К ше ве2 нзисрато-ироБлания ад ение пятст тора оние н- пов ения динамичесючении транзисоб ически т торный и транзис нве то торыи и оводимостобразуюмодную днсформат щие полуиагональ р 5, ричную9 обраинверто" и вты 8 и ового(71) Институт кибернетики АН ЭССР(54) ПОЛУМОСТОВОЙ ТРАНЗИСТОРНЫЙ ИНВЕРТОР(57) Изобретение относится к электехнике и может быть использованосистемах вторичного электропитании автоматики, Цель изобретенияИзобретение относится к электротехнике и может быть использовано истемах вторичного электропита ния и автоматики,Цель изобретения дежности путем умен ких потерь при пере торов. На чертеже схемат полумостовой транзи Инвертор содержи и 2 разного типа пр конденсатора 3 и 4,мостовую схему. В в включен силовой тра содержащий первичну 7 обмотки. Вторые ди эуют цепь возврата801610571 вышение надежности путем умень динамических потерь при перекп нии транзисторов. Полумостовой тор содержит два транзистора 1 разного типа проводимости, Тра торы 1 и 2 управляются от гене ра 19 управляющих импульсов че управляющий трансформатор 15. контур тока базы транзисторов входит первый резистор 12, шун ванный первыми диодами 10, 11, годаря этому на этапе рассасыв избыточных носителей в одном и пирающих транзисторов 1 (2) и напряжения на резисторе 12 пре вует отпиранию другого транэис 2 (1). 1 ил,.ра тока нагрузки в источник питания, Между эмиттерами транзисторов 1, 2 последовательно в прямом направлении включены первые диоды 10, 11, каторые шунтируют включенный между эмитгерами транзисторов первый резистор 2, Базы транзисторов 1, 2 соединены с одинаковыми концами вторичных обмоткой 13, 14 управляющего транс-. форматора 15 через вторые резисторы 16 и 17. К первичной обмотке 18 трансформатора 15 подключен генератор 19 управляющих прямоугольных импульсов,Инвертор работает следующим обраом,При подаче постоянного напряжеия питания происходит заряд конденаторов 3 и 4 и распределение напря 1610571кения на обратных сопротивленияхдиодов 8-11 и коллекторно-эмиттерныхпереходах транзисторов 1, 2. Приравенстве обратных сопротивленийдиодов 8-11 и емкостей конденсаторов3, 4 на обоих концах первичной обмотки б силового трансформатора 5устанавливается одинаковое напряжение, равное половине входного напряжения, Приложенное к коллекторноэмиттерным переходам транзисторов1, 2 напряжение вызывает ток, создающий падение напряжения на прямомсопротивлении диодов 10, 11 и резисторе 12, запирающее транзисторыи 2.При поступлении отпирающего .управцяющего импульса на вход транзистора 1 аналогичный запирающей импульсприлагается к базе транзистора 2,Отпирание транзистора 1 подключает отрицательный входной вывод кначалу первичной .обмотки 6 силовоготрансформатора 5,При изменении полярности управляющего импульса происходит запирание транзисгора 1 и отпирание транзистора 2. Так как рассасывание носителеи задерживается в транзисторе1, то существует период одновременнойпроводимости обоих транзисторов. Возникающее под.действием сквозного тока падение напряжения на диодах 1011 создает отрицательную связь исмещение рабочих точек транзисторов1, 2. Вследствие этого сквозной токОграничивается и потери мощности втранзисторах уменьшаются, Переходный процесс заканчивается после полного рассасывания носителей в транзисторе 1 и его надежного запирания. Во время процесса рассасывания транзистор 2 находится в линейном режимеПадение напряжения на резисторе 12вычитается из напряжения управления, транзисторов 2 и снижает ток егобазы,Формула из о бр ет енияПолумостовой транзисторный ннвертор, содержащий два подключенных квходным выводам инвертора согласнопоследовательно соединенных конденсатора, точка соединения которых образует первый выходной вывод инвертора, два транзистора разного типапроводимости, подключенных коллекторами к входным выводам инвертора, иуправляющий трансформатор с первичной обмоткой, подключенной к гене 20 Ратору управляющих импульсов, и вторичными обмотками, связанными с базовой цепью транзисторов, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с цельюповышения надежности путем уменьшения динамических потерь при переключении транзисторов, между эмиттерами транзисторов включен введенныйпервый резистор, шунтированный введенной цепочкой из двух согласнопоследовательно соединенных первыхдиодов, включенных согласно с направлением проводимости транзисторов,причем точка соединения первых диодов подключена к второму выходномувыводу через введенные вторые диоды,включенные встречно первым диодом,к каждому из входных выводов инвертора, а указанная связь вторичныхобмоток выполнена так, что каждая из40 них через введенный второй резисторвключена между базой одного транзистора и эмиттером другого транзистора.Тираж 499 Подписноего комитета по изобретениям и открытиям пр5, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5