Способ исследования микроструктуры поверхности

Номер патента: 1589146

Автор: Татаринова

ZIP архив

Текст

СООЗ СОВЕТСКИХ ОЦИАЛИСТИЧЕСН РЕСПУБЛИКГ 51)5 С О 1 М 15 0 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ЕЛЬСТВУ физи и ство СССР 06) 1984. во СССР /08, 1983 ИИКРОСТР ук(57) Из тронной тносится к элек акуумной техник ретение электро физическприборам к устауются пленочные к электр ковкам,е испол покрытия истость которых вли ится к электроной технике, а Изобретение оой и электровак лектрофизическим прибор ам, где используются пл рытия, пористость котор именно еых. установочные по ри помо следующ х ияет их работу, а также ения пористых мате бразо нике полу Цель и в и 1, порисподводитИсслеют к отри 3 черезрмативн енки ст На фиг епени микропористости. .1 изображена типичная ерная характеристика га ьт-амп вого раз да, заж рхности участка астка в уществле ющегося в мина состоит меритель орах пов инейного льномунакового а и экспо ального уч ма для ос на фиг,2 - схеия предлагаемого разца и жду поГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИПРИ ГКНТ СССР К А 8 ТОРСНОМУ Сви 1(54) СПОСОБ ИССЛЕДОВАНИЯТУРЫ ПОВЕРХНОСТИ обретения - расширение и сти путем количественной на их работу, к также к технике получения пористых материалов, Цельюизобретения является расширение ин"формативности путем количественнойоценки степени пористости. Эта цельдостигается тем, что в качестве параметра измеряют ток газового разряда,зажигающийся в микропорах поверхности,насыщенной газом и находящейся в вакууме. 0 величине пористости судят по отношению токов через вакуумный промежуток на измерительный электрод с исследуемой поверхности к току эталонного образца, умноженному на пори "стость эталонного образца. При этомдиэлектрические и полупроводниковыеобразцы нагревают до температур зажигания газового разряда в микропорах. 3 пл. способа; на фиг.3 - вольт-амперна характеристика для фольги с порис тостью 80-85 Х (график 1) и исслед мой фольги (график 2),Способ осуществляют п щи установки, изображенной им о м.К исследуемой поверхностость которой исследуется,ся измерительный электроддуемую поверхность подключцательному полюсу источникизмерительный прибор 4, аный электрод 2 - к положитполюсу, Создают условия одигазонасыщения эталонного оисследуемой поверхности. Мверхностью 1 и электродом 2 создается высокий вакуум. Измеряют токи через вакуумный промежуток в зависимости от прикладываемого напряжения. По этим результатам строятвольтамперные характеристики для исследуемой поверхности и эталонного образца. В качестве эталонного образца и исследуемой поверхности были выбраны никелевые порошковые фольги размером 30 мм, причем пористость эталонной фольги была предварительно определена другими методами и составляла 80- 85%, Измерительный электрод диаметром 10 мм устанавливался на расстоянии 1,6 мм от фольги. Измерения токов для обеих фольг проводилось через одно и то же время после откачки от атмосферного давления, что обеспечивало равную газонасыщенность микропор поверхности. В момент измерения токов вакуум был 5 10.Па.Па фиг.З показаны вольт-амперные характеристки для фольги с пористостью 80-85% (график 1) и для исследуемой фольги (график 2). Измерялось отношение токов на линейном участке а при напряжении = 2 кВ. Принимая фольгу с К = 80-85% пористостью за эталонный образец, определяли пористость исследуемой поверхности другой фольги. Степень микропористости фольги К равнаэ . Д 0 10-8 (80-85%)=1 3510 фА130-32%.Проверочное измерение пористости исследуемого образца былапроведена с помощью электронного микроскопа, которое показало те же результаты, т.е. К = 30-35%. При исследовании микроструктуры поверхности полупроводниковых и диэлектрических материалов поверхности нагревают до температур возникновения газового разряда в микропорах поверхности перед измерением токов разряда.Формула изобретения1 ОСпособ исследования микроструктурыповерхности, заключающийся в том,что контролируемую поверхность, предваритвльно насыщенную неинертным газом, помещают в вакуум напротив измерительного электрода, подключенногок положительному полюсу источникапостоянного напряжения, измеряют токпри фиксированном промежутке междуконтролируемой поверхностью и измерительным электродом, о т л и ч а ю -щ и й с я тем, что, с целью расширения информативности путем количественной оценки степени микропористости поверхности, в вакуумный объемвводят эталонный электрод, раснолагаемый на таком же расстоянии отизмерительногоэлектрода, что иконтролируемый электрод, подают напряжение, равное напряжению зажигания разряда эталонного и контролируемого образцов, измеряют зависимость тока этого разряда от напряжения, а о степени микропористости К1 35 судят по отношению К = - К., где1 эф К э - степень микропористости поверхности эталонного образца в % 1эе1 - токи разряда с эталонного и конт ролируемого электродов при постоянном напряжении на линейном участке вольт-амперной характеристики.

Смотреть

Заявка

4300167, 10.07.1987

МОСКОВСКИЙ ИНЖЕНЕРНО-ФИЗИЧЕСККИЙ ИНСТИТУТ

ТАТАРИНОВА НИНА ВЛАДИМИРОВНА

МПК / Метки

МПК: G01N 15/08

Метки: исследования, микроструктуры, поверхности

Опубликовано: 30.08.1990

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1589146-sposob-issledovaniya-mikrostruktury-poverkhnosti.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ исследования микроструктуры поверхности</a>

Похожие патенты