Двумерный оптический модулятор

(51)5 6 0 ИЕ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ и ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Институт электроники АН БССР(56) Авторское свидетельство СССРМ 805239, кл, 6 02 Р 1/05, 1981.Патент Японии М 59-46368,кл. О 02 Г 1/03Патентпонии й. 54-9064,кл. 6 02 Р 1/05, 1979.(54) ДВУМЕРНЬЙ ОПТИЧЕСКИЙ МО ДУЛЯТОР(57) Изобретение относится к оптическим методам обработки информации, в частноИзобретение относится к оптическим методам обработки информации, в частности, для избирательной пространственной модуляции света.Целью изобретения является повышение контрастности двумерного оптического модулятора.На чертеже изображен двумерный оптический модулятор.Предлагаемый модулятор содержит пластину 1 из электрооптического материала, выступы 2 пластины, участок 3 приложения электрического поля, первый оптический элемент 4 из диэлектрического материала, электрод 5, подводящие электрические проводники 6, второй оптический элемент 7, выступы 8 диэлектрического элемента.Пластина из электроЬптического мате-риала 1 выполнена, например, иэ кристалла, сти, для избирательнои пространственной модуляции света, Цель изобретения - повышение контрастности двумерного оптического модулятора. Двумерный оптический модулятор состоит из последовательно оптически связанных через пластину 1 из электрооптического материала с выступами 2 и участками 3 приложения электрического поля первого 4 и второго 7 оптических элементов из диэлектрического материала с электродами 5, расположенными соосно с соответствующими выступами 2 пластины 1 на выступах 8 диэлектрического элемента, на боковых поверхностях которых расположены подводящие электрические проводники 6, соответствующие электродам 5. 1 ил,ДКДР на продольном электрооптическом эффекте. Выступы 2 пластин созданы в пластине шлифовки в монолитной пластине путем шлифовки в монолитной пластине с обеих сторон в ортогональных направлениях симметричных пазов шириной, например, 0,5 мм или менее и глубиной, например, 0,5 мм. На выступах 2 пластины образуются участки 3 приложения электрического поля размером, например, 1,0 х 1,0 мм или менее.,2Первый 4 и второй 7 оптические элементы из диэлектрического материала выполнены из оптического материала с коэффициентом преломления и спектральным диапазоном, равными или близкими к коэффициенту преломлейия и спектральному ди апазону пластины 1 иэ электрооптического материала, например из плавленого кварца марки КВ, В первом 4 и втором 7 оптических элементах из диэлектрического материаласозданы выступы 8 диэлектрического элемента путем шлифовки в монолитной пластине канавок, либо раздельного ихизготовления с последующей их фиксациейс шагом, равным шагу выступов 2 пластины 5в пластине 1 из злектрооптического материала, Глубина канавок определяется количеством подводя цйх электрическихрооднов б и их констоуктивным выполнением, На выступы 8 первого 4 и второго 7 10элементов из диэлектрического материалананосятся металлические кольцеобразныеэл 8 ктрОды 5 (можно прозрачнОпрОВОдяЩие) соосно Г Выстуггами 2 пластиь,"ыметр которых должен быть такимчтобы 15кольцО эл 8 ктродов 5 ВписьВалось В контуручастка 3 приложения электрического поля,Нэ Ооковые поверхности Выступов 8 первоГО 4 и Второго 7 Оптически; элементов идиэлектрического матернгла наносятся 20подводящие электрические, например металлические, проводники 6 с подключением едияичнОГО проводника к Одному электроду, Присборв весь оптический блок сжимается сусилием, достаточным для демпфирования 25механических колебаний в пластине 1 изэлектрооптическОГО мат 8 риала.Устройство работа 8 Т слэдующим Обоазом,На всех электродах невыбранных элементов ОрГанизуется Рлектрич 8 ский потенциал Одного знака равный ПО величинеОабочей разности;:Отенциалов, прикладываемой к электролам Выбранных элемен Гарных элем 8 нтов, или на эл 8 ктрОДы пОДается 35"земля",ПР,л, ПРИЛожении .",а ПП-, ;,СЛЕжаш 1 ьэлектродь 1 5 управляющей разности потекциалов в единичном элементе, ограниченном участком 3 приложение электрического 40поля, наводится попа, которое открываетданный элемент, В соседнем же с ними элементе проекция результиругощего Векторанапряженности электричбского поля Ер, определяемого как Ер = Г+ + Г-, где Е+, Е- - 45 напряженности электрических полей, наведенные противолежащими электродами 5, на ось симметрии электрооптического элемента в точках, расположенных на разных участках этой оси,ориентирована в противоположных направлениях. Вследствие этого в этом элементе будут формироваться зоны с одинаковой анизотропией (паразитной), но противоположного знака. Следовательно, в соседних с выбранным элементарным элементом происходит практически полная компенсация паразитных электрических полей.Таким образом, изобретение обеспечивает высокой контраст двумерного оптического модулятора, выполненноо на основе монолитной электрооптической пластины. Формула изобретения Двумерный оптический модулятор, содержащий пластину из электрооптического материала и расположенные напротив друг друга пары электродов, о т л и ч а ю щ и й - с я тем, что, с целью повышения контрастности, в него введены первый и второй оптические элементы из диэлектрического материала с чередующимися идентичными выступами и впадинами, расположенными параллельно на сторонах, примыкающих к пластине из злектрооптического материала, при этом в пластине из электрооптического материала по двум ортогональным направлениям симметрично на противоположных сторонах расположены выступы с шагом, аналогичным шагу выступов в диэлектрических элементах, а противолежащие пары электродов расположены на выступах оптических элементов из диэлектрического материала соосно с соответствующими выступами пластины из электрооптического материала, а подводящие электрические проводники к электродам расположены во впадинах оптического элемента из диэлектрического материала.1588162 Составитель А, ГрузинцевРедактор О, Стенина Техред М Моргентал Корректор Т. Мале при ГКНТ СССР роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 1 О Заказ 4634 ВНИИПИ Гос Тираж 282 рственного комитет 113035, Москва, Подписноеа по изобретениям и открытиЖ, Раушская наб., 4/5