158723

Номер патента: 746218

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Воробьев, Заседателев, Лепин, Яковлев

МПК: G01L 9/04

Метки: давлений, датчиков, зависимости, интегральных, компенсации, малых, механической, температурной, чувствительности

...(алюминиевые) выводы 5, кремниевую пластину- заготовку б.В качестве исходной пластины-заготовки б используется монокристаллический кремний марки КЭФтолщиной 250 мкм, ориентированный в плоскости (100), Термическим окислениемопри 1200 С образуется слой двуокиси кремния толщиной 0,72 мкм, который используется н качестве маскирующего слоя на операциях формирования тензочувствительных элементон 4 (дийфузионые тензорезисторы р-типа с поверхностным сопротивлением 200 ом/и иглубиной диФфузии 1,8 мкм) и алюминиевых вынодов 5. Тонкие квадратныекремниевые мембраны 1 формируютсяпутем анизотропного травления пластины-заготовки б н кипящем гидразинеГидрате Ид НН 0 марки ЧДА, причемстороны мембрай ориентированы покристаллографическим...

Номер патента: 1649644

Опубликовано: 15.05.1991

Автор: Якоб

МПК: H03K 17/08

Метки: моста, пара, плечо, полууправляемая, электронная

...транзистора Т посред ством тока управления х (фигЗ,Р .По истечении времени задержки включениятранзистор Т начинает воспринимать ток (ток коллектора с на фиг.З,а), Так как протекание тока д 30 от источника напряжения постоянного тока через транзистор Т ввиду линейной индуктивности создается медленно (фиг.З,с),конденсатор С кратковременно должен представлять выходной токпока не будет создан ток 1 из контура напряжения постоянного тока, Одновременно конденсатор Спри переключении выходного тока д с диоО да П 1 на тразистор Т должен предо ставлять реактивный ток для запирания диода П 1. Благодаря этому транзистор Т в течение времени задержки запирания диода Р 1 может работать в активной зоне (высокая мощность по терь в транзисторе),...

Номер патента: 1522049

Опубликовано: 15.11.1989

Авторы: Кузнецов, Печук, Таратухина

МПК: G01L 1/22

Метки: бесклеевых, датчиков, компенсации, начального, погрешности, сигнала, температурной, тензорезисторных

...24 В, Сначала измеряютначальный сигнал датчика при нормальной температуре (20 С), П =ф 1, мВ .Повышают температуру в камере до150 С и .выдерживают датчик при этойтемпературе 2-4 ч. После выдержки 45измеряют начальный сигнал датчика .Б при температуре 150 С, Б С=1,8 мВ. Определяют температурнуюпогрешность начального сигнала приэтой температуре где ЬС - разность температур, С;о - температурный коэффициентсопротивления меди, ( М= 0,0039 1/ С );У - выходной сигнал датчика приноминальной нагрузке, мВ;Б, - начальный выходной сигнал принормальной температуре, мВ;Б, - напряжение питания, В;К - сопротивление тензорезистора,С положительно, компенсирующий резистор К впаивают последовательно сакомпенсационным тензорезистором, какпоказано на фиг. 4,...

Номер патента: 883816

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Кононеров, Мирзабаев, Потаенко

МПК: G01R 33/07

Метки: датчиков, компенсации, температурной, холла

...опорного напряжения, снимаемого с резисто. сигнал, величина которого изменением опорно 1го напряжения устанавливается таким образом,чтобы рабочие точки оптронов 6 и 7 находились на линейных участках передаточной характеристики. Изменяя напряжение регулируемого источника 11 можно добиться, чтобыпадение напряжения на резисторе 12 былоравно по величине и противоположно по знаку паразитному нулевому напряжению разбаланса датчика. Компенсация напряжения температурного раэбаланса происходит следующим образом. При отклонении температуры от Т изменение входного сопротивления датчика 1 последовательно изменяет падения напряжения на резне. торе 9, выходное напряжение вспомогательного усилителя 8, выходное сопротивление оптрона 7 и величину...

Номер патента: 516977

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Гринберг, Марчук, Мдивани, Штец, Шуляковский

МПК: G01R 33/00

Метки: гальваномагниторекомбинационного, компенсации, нестабильности, преобразователя, температурной

...3 и корректора 4. ГМРП питают т источника 2 в режиме заданного Итока. Сопротивление преобразователя 1,помещенного в переменное магнитное поле,будет представлять из себя практическичистое сопротивление преобразователя, имекшего место в отсутствии магнитного поля. 20Сопротивление ГМРП определяется равновесной концентрацией носителей заряда и,следовательно, является функцией температуры его, Б некоторой, весьма незначительной степени сопротивление преобразователя 25будет определяться и функцией величиныизмеряемого магии.ного поля и температуры. Формируются две составляюшиекоторые и посгупают на корректор 4,в соответствии с изменением постоянной ЗОсоставляюшей происходит компенсация температурной погре:ности переменной...